具有防裂纹结构的半导体装置制造方法及图纸

公开了具有防裂纹结构的半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括芯片区域和划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；沟槽区域，在划线区域中；间隙填充绝缘层，在沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层以通过层间绝缘层暴露间隙填充绝缘层的上表面；以及第一金属衬层，覆盖间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在间隙填充绝缘层与低k层之间以及间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。层与层间绝缘层之间。层与层间绝缘层之间。

【技术实现步骤摘要】
具有防裂纹结构的半导体装置
[0001]本申请要求于2021年8月27日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0114248号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的主题通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思总体涉及半导体装置，更具体地，涉及包括防裂纹结构的半导体装置。

技术介绍

[0003]随着电子工业的快速发展和对扩展功能的消费者需求，电子装置已经变得更轻且更紧凑。因此，结合在电子装置内的半导体芯片需要具有提高的集成度。因此，与半导体芯片的构成元件和组件相关联的设计规则已经在尺寸上减小。此外，低k材料层已被引入到半导体芯片中，以便减小布线之间的寄生电容并改善电阻
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电容(RC)延迟。
[0004]还要注意的是，多个半导体芯片在晶片上通常作为组被制造。此后，一旦一组半导体芯片被成功制造并且被晶片级测试，各个半导体芯片就被分离(或切单)。为了防止在切单(singulation)期间半导体芯片的断裂(cracking)或碎裂(chipping)，已经引入了特定方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：半导体基底，包括芯片区域和第一划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；以及第一金属衬层，在第一划线区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第一沟槽区域，在第一划线区域中；以及第一间隙填充绝缘层，在第一沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层，以通过层间绝缘层暴露第一间隙填充绝缘层的上表面，其中，第一金属衬层覆盖第一间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在第一间隙填充绝缘层与低k层之间以及第一间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一金属衬层水平延伸以覆盖第一间隙填充绝缘层的下表面。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，还包括：互连线结构，在芯片区域中，其中，互连线结构包括设置在低k层中的下互连线、设置在层间绝缘层中的中互连线、以及设置在层间绝缘层中的中互连线上方的上互连线。5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：铜垫，连接到上互连线，通过层间绝缘层的上表面被暴露，并且与第一金属衬层和第一间隙填充绝缘层的上表面共面。6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：电极垫，设置在半导体基底的下表面上并且通过互连线结构电连接到铜垫。7.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：碎裂阻挡件和保护环中的至少一个，碎裂阻挡件设置在第一沟槽区域与互连线结构之间的第一划线区域中，保护环设置在第一沟槽区域与互连线结构之间的芯片区域中。8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：外金属互连线，在芯片区域中，设置在互连线结构与碎裂阻挡件和保护环中的所述至少一个之间，其中，外金属互连线以及碎裂阻挡件和保护环中的所述至少一个包括在互连线结构的制造期间同时形成的至少一种材料。9.一种半导体装置，包括：半导体基底，包括芯片区域和第二划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；铝垫，设置在低k层上方的层间绝缘层中的第二划线区域中；以及金属衬层，在第二划线区域中并且从铝垫垂直延伸穿过层间绝缘层。10.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：第二沟槽区域，在铝垫上的第二划线区域中；以及第二间隙填充绝缘层，在第二沟槽区域中并且从铝垫垂直延伸穿过层间绝缘层，以通
过层间绝缘层暴露第二间隙填充绝缘层的上表面，其中，金属衬层覆盖第二间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在第二间隙填充绝缘层与层间绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔慜贞，李瑌真，李全一，李钟旼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：