互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及一种互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法。本公开的各个实施例通过经由单个间隙填充处理同时形成延各个方向延伸的互连件来提高半导体器件的集成度。本发明专利技术的实施例提供了一种能够简化半导体处理的互连结构、包括该互连结构的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。根据本公开的一个实施例，一种互连结构包括：多个互连件的堆叠，其中，多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸，并且至少两层的下部互连件的上表面的一部分与至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。分直接接触。分直接接触。

【技术实现步骤摘要】
互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月12日提交的韩国专利申请第10
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2021
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0106594号的优先权，其通过引用整体并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种互连结构、包括该互连结构的半导体器件、以及用于制造该互连结构和具有该互连结构的半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]随着对半导体器件的高性能、高速和/或多功能的需求增加，半导体器件的集成度也在提高。在这种高度集成的半导体器件的趋势下，一直在积极地进行半导体布局设计的研究，特别是用于连接各种半导体元件的互连件的有效布线的研究。

技术实现思路

[0005]本专利技术的各个实施例通过同时形成沿各个方向延伸的互连件来提高半导体器件的集成度。可以通过单个间隙填充处理形成沿各个方向延伸的互连件。本专利技术的各个实施例提供了一种能够简化半导体处理的互连结构、一种包括该互连结构的半导体器件、以及一种用于制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种互连结构，包括：多个互连件的堆叠，其中，所述多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸，以及所述至少两层的下部互连件的上表面的一部分与所述至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述上部互连件的线宽与所述下部互连件的线宽相同或大于所述下部互连件的线宽。3.一种半导体器件，包括：第一互连件，其在衬底之上沿第一方向延伸；第一接触件，其连接所述第一互连件和所述衬底；以及第二互连件，其形成在所述第一互连件之上，与所述第一互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一互连件的上表面和所述第二互连件的下表面位于相同的水平。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的线宽与所述第一互连件的线宽相同或者大于所述第一互连件的线宽。6.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括第三互连件，所述第三互连件在所述第二互连件之上形成，与所述第二互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第二方向不同的第三方向延伸。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面和所述第三互连件的下表面位于相同的水平。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第三互连件的线宽与所述第二互连件的线宽相同或者大于所述第二互连件的线宽。9.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：第三互连件，其形成在所述第二互连件之上并且沿第三方向延伸；以及第二接触件，其两个端部分别与所述第二互连件和所述第三互连件直接接触。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面位于比所述第三互连件的下表面更低的水平。11.一种半导体器件，包括：第一互连件，其形成在衬底之上并且沿第一方向延伸；第一接触件，其连接所述第一互连件和所述衬底；第二互连件，其形成在所述第一互连件之上并且沿第二方向延伸；第二接触件，其连接所述第一互连件和所述第二互连件；以及第三互连件，其形成在所述第二互连件之上，与所述第二互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第二方向不同的第三方向延伸。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面和所述第三互连件的下表面位于相同的水平。13.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宗洙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：