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本公开涉及一种互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法。本公开的各个实施例通过经由单个间隙填充处理同时形成延各个方向延伸的互连件来提高半导体器件的集成度。本发明的实施例提供了一种能够简化半导体处理的互连结构、包括该互连结构的半导体器件...
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