晶片结构制造技术

一种晶片结构及其修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。在第一晶片的第一表面上形成第一预修整标记，其中形成第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着第一晶片的周边的路径。在第一预修整标记上且沿着第一预修整标记的路径修整第一晶片，以移除第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。区。区。

【技术实现步骤摘要】
晶片结构
[0001]本专利技术是2018年11月13日所提出的申请号为201811346956.1、专利技术名称为《晶片结构及其修整方法》的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术的实施例是有关于一种晶片结构及其修整方法，特别是有关于一种具有经修整边缘的半导体晶片结构及一种用于处理半导体晶片结构的外边缘的修整方法。

技术介绍

[0003]近年来，由于半导体芯片小型化的需求，因此在半导体制造工艺中晶片薄化工艺的要求变得更严格。一般来说，在晶片薄化工艺期间，对半导体晶片的背侧执行的研磨工艺可能使晶片边缘被损坏。随后，可执行边缘修整工艺以移除晶片的外边缘。

技术实现思路

[0004]根据一些实施例，提供一种修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一预修整标记，其中形成所述第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着所述第一晶片的周边的路径。在所述第一预修整标记上且沿着所述第一预修整标记的所述路径修整所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片结构，其特征在于，包括：晶片，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及连接所述第一表面与所述第二表面的边缘；其中所述边缘实质上垂直于所述晶片的所述第一表面及所述第二表面，所述边缘具有被第二区环绕的多个第一区，各个所述第一区被所述第二区彼此分离及间隔开且所述第二区的纹理特征不同于所述第一区的纹理特征。2.根据权利要求1所述的晶片结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：江浩宁，庄铭德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：