制造半导体结构的方法技术

提供了制造半导体结构的方法。在实施例中，一种制造半导体结构的方法，包括：形成半导体区域，该半导体区域具有第一掺杂浓度的第一导电类型的第一掺杂剂；在半导体区域的上方形成电介质层；形成穿过电介质层的开口，该开口暴露半导体区域；在形成开口之后，在半导体区域中进行第一导电类型的第二掺杂剂的等离子体掺杂以形成表面掺杂区域，该表面掺杂区域中的第一导电类型的掺杂剂的第二浓度大于第一掺杂浓度；在进行第一导电类型的第二掺杂剂的等离子掺杂之后，对表面掺杂区域进行非晶化注入；以及在开口中形成导电特征，该导电特征与表面掺杂区域电接触。表面掺杂区域电接触。表面掺杂区域电接触。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体结构的方法
[0001]本申请是申请日为2018年10月10日、申请号为201811178757.4并且专利技术名称为“高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本申请涉及半导体工艺，尤其涉及高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构。

技术介绍

[0003]半导体工业已进入纳米技术工艺节点，追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，来自制造和设计问题两者的挑战已经引起三维设计的发展，例如，鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET器件通常包括具有高的高宽比的半导体鳍，并且在其中形成沟道和源极/漏极区域。在鳍式结构上方以及沿着其侧面(例如，包住)形成栅极，利用了沟道增加表面积的优点，以产生更快、更可靠且更好控制的半导体晶体管器件。然而，随着尺寸上的缩小，出现了新的挑战。

技术实现思路

[0004]在一个方面，本文公开了一种制造半导体结构的方法，包括：形成半导体区域，该半导体区域具有第一掺杂浓度的第一导电类型的第一掺杂剂；在半导体区域的上方形成电介质层；形成穿过电介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体结构的方法，包括：形成半导体区域，所述半导体区域具有第一掺杂浓度的第一导电类型的第一掺杂剂；在所述半导体区域的上方形成电介质层；形成穿过所述电介质层的开口，所述开口暴露所述半导体区域；在形成所述开口之后，在所述半导体区域中进行所述第一导电类型的第二掺杂剂的等离子掺杂以形成表面掺杂区域，其中所述表面掺杂区域中的所述第一导电类型的掺杂剂的第二浓度大于所述第一掺杂浓度；在进行所述第一导电类型的所述第二掺杂剂的等离子掺杂之后，对所述表面掺杂区域进行非晶化注入；以及在所述开口中形成导电特征，所述导电特征与所述表面掺杂区域电接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成具有所述第一掺杂剂的所述半导体区域包括在外延生长期间进行原位掺杂。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在进行所述等离子掺杂之后，执行退火。4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述导电特征包括：在所述表面掺杂区域上形成硅化物区域。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面掺杂区域包括掺杂浓度梯度，该掺杂浓度梯度从峰值掺杂浓度起以每2.5nm十倍浓度的比率下降。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面掺杂区域包括掺杂浓度梯度，其中该掺杂浓度梯度的峰值掺杂浓度在5
×
10
21
cm
‑3至10
23
cm
‑3的范围内，并且其中所述第一掺杂浓度在10
19
cm
‑3至10

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佳政，陈亮吟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：