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提供了制造半导体结构的方法。在实施例中，一种制造半导体结构的方法，包括：形成半导体区域，该半导体区域具有第一掺杂浓度的第一导电类型的第一掺杂剂；在半导体区域的上方形成电介质层；形成穿过电介质层的开口，该开口暴露半导体区域；在形成开口之后，在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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