器件封装件包括在界面处直接接合至第二管芯的第一管芯，其中，该界面包括金属

一种检测装置及其测试插座，测试插座包含一金属块、一组装块、一模拟接地探针与一数字接地探针。金属块具有一凹陷部，用以连接一独立接地。组装块与金属块电气隔绝，可拆卸地嵌入凹陷部内，使得金属块与组装块共同组成一探针座。探针座用以测试一待测晶片...

提供了一种半导体装置及其制造方法。用于制造半导体装置的方法包括：在半导体基板上方沉积栅极介电层；通过原子层沉积(ALD)工艺在栅极介电层上方沉积功函数层，其中功函数层包含金属元素及非金属元素，并且ALD工艺包含多个循环。循环的每一者包含...

本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括设置在衬底上方的介电结构内的一个或多个互连件。接合焊盘具有沿着所述介电结构的顶表面布置的顶表面。其中，如在截面图中所观察的，接合焊盘的顶表面包括彼此横向分隔开非零距离的多个离散的顶表面段，该非零距...

本发明涉及集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在围绕一个或多个下部互连件的下部介电结构上方的下部绝缘结构。由下部绝缘结构的一个或多个内侧壁围绕的底部电极通孔。底部电极通孔包括围绕导电芯的阻挡件。底部电极布置在底部电极通孔上，数据存储结构...

本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括形成从衬底突出的鳍状结构，形成与鳍状结构相交的栅极结构，在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件，以及在鳍状结构上方形成导电部件。栅极间隔件横向位于栅极结构和导电部件之间。方法还包...

本申请的实施例提供了一种半导体器件以及制造存储器器件的方法，半导体器件包括衬底、衬底上方的第一层和第一层上方的第二层。第一层包括第一鳍结构、与第一鳍结构重叠以形成第一传输门晶体管的第一栅极结构、以及与第一栅极结构分离并与第一鳍结构重叠以...

本发明的实施例涉及存储器单元及其制造方法。存储器单元包括写入存取晶体管、储存晶体管和读取存取晶体管。写入存取晶体管的栅极与写入字线连接，写入存取晶体管的源极与写入位线连接，写入存取晶体管的漏极与储存晶体管的栅极连接。储存晶体管的源极连接...

在衬底上方形成离散介电模板结构的二维阵列。可以在离散介电模板结构之间的沟槽的下部中形成第一介电间隔件矩阵层。可以在沟槽的上部中形成第二介电间隔件矩阵层。可以在每个离散介电模板结构的体积内形成一对源极腔和漏极腔。可以在每个源极腔和每个漏极...

形成半导体器件的方法包括在第一半导体区域上方形成第一栅极堆叠件，在第一栅极堆叠件上沉积间隔件层，以及在间隔件层上沉积伪间隔件层。伪间隔件层包括含金属材料。对伪间隔件层和间隔件层执行各向异性刻蚀工艺，以分别形成栅极间隔件和伪侧壁间隔件。蚀...

实施例包括：器件，包括位于第一半导体部件的第一沟道区域上的第一高k栅极电介质，第一高k栅极电介质是具有在至范围内的晶粒尺寸的结晶层。器件也包括位于第一高k栅极电介质上的第一栅电极。器件也包括位于第一栅电极的相对侧上的源极区域和漏极区域。...

本发明的实施例提供了存储器接口电路、存储器器件及存储器接口方法。存储器接口电路包括被配置为接收指令信号和地址信号的请求解码器。请求解码器被配置为对指令信号和地址信号进行解码以生成数据计数信号和开始地址信号。突发计数器耦合到请求解码器，并...

本发明涉及包括MEMS致动器的集成芯片结构。MEMS致动器包括具有从锚的中心区域向外延伸的第一多个分支的锚。第一多个分支分别包括第一多个指状件。质量块围绕锚并且包括从质量块的内侧壁向内延伸的第二多个分支。如在顶视图中观察的，第二多个分支...

一种半导体晶片装置，包含封装基板、中介板、第一裸片及第二裸片。第一裸片包含一第一连接接口。第二裸片包含第二连接接口。中介板的第一侧面用以供设置第一裸片及第二裸片。第一裸片及第二裸片透过第一连接接口、中介板及第二连接接口进行数据传输。封装...

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；以及微电子机械系统(MEMS)器件，位于衬底上，其中，微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块；其中，衬底在机械块处具有狭缝，其中，狭缝从机械块的顶面至机械块的底面延伸穿过衬底，其中，衬...

一种半导体装置，包括半导体层堆叠物，置于基底的突出部的上方；隔离部件，置于基底的上方，其中基底的突出部的顶表面是以第一距离与隔离部件的底表面分离；金属栅极堆叠物，与半导体层堆叠物交织，其中金属栅极堆叠物的底部是置于基底的突出部的侧壁上，...

一种集成电路芯片及角落应力释放结构。根据本公开的集成电路芯片包括电路区域和围绕电路区域的密封环区域。密封环区域包括沿第一方向纵向延伸的第一有源区，以及设置在第一有源区上的第一栅极结构。第一栅极结构沿由第一方向倾斜的第二方向纵向延伸。第一...

本发明的实施例提供了一种半导体器件包括存储体。存储体包括数目为N的多个存储阵列和局部控制电路。每个存储阵列均包括多个位单元，被配置为存储信息位并且连接在多条位线和多条互补位线之间。局部控制电路被配置为一次对最多N

实施例提供了预切割技术以在器件晶圆的前表面处切割平行开口，然后将器件晶圆翻转并且从器件晶圆的背侧完成切割以从晶圆分割管芯。组合的预切割技术和背侧切割技术在器件的侧表面中提供缩进。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。体结构及其形成...

公开了一种集成电路(IC)芯片封装及其制造方法。该IC芯片封装包括：第一互连衬底和第二互连衬底，处于同一表面水平上；第一集成电路(IC)芯片和第二IC芯片，分别设置在第一互连衬底和第二互连衬底上；IC芯片耦合器，设置在第一互连衬底和第二...