半导体器件及其制造方法技术

公开了一种形成导电部件的改进方法和由该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括形成延伸穿过第一介电层的金属线，金属线电耦合到晶体管；在金属线上选择性地沉积牺牲材料；在第一介电层上方并邻近牺牲材料选择性地沉积第一介电材料；在第一介电材料上方选择性地沉积第二介电材料；去除牺牲材料以形成暴露金属线的第一凹槽；以及形成位于第一凹槽中并且电耦合到金属线的金属通孔。本发明专利技术的实施例还提供了半导体器件及其制造方法。还提供了半导体器件及其制造方法。还提供了半导体器件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体
，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件被用于各种电子应用，例如诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上顺序沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在半导体衬底上形成电路组件和元件来制造半导体器件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许将更多元件集成到给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的其他问题。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成延伸穿过第一介电层的金属线，其中，金属线电耦合到晶体管；在金属线上方选择性地沉积牺牲材料；在第一介电层上方并且邻近牺牲材料选择性地沉积第一介电材料；在第一介电材料上方选择性地沉积第二介电材料；去除牺牲材料以形成暴露金属线的第一凹槽；以及形成位于第一凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成延伸穿过第一介电层的金属线，其中，所述金属线电耦合到晶体管；在所述金属线上方选择性地沉积牺牲材料；在所述第一介电层上方并且邻近所述牺牲材料选择性地沉积第一介电材料；在所述第一介电材料上方选择性地沉积第二介电材料；去除所述牺牲材料以形成暴露所述金属线的第一凹槽；以及形成位于所述第一凹槽中并且电耦合到所述金属线的金属通孔。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在选择性地沉积所述第一介电材料之后回蚀刻所述牺牲材料，其中，所述第二介电材料沿着所述第一介电材料的顶表面和侧表面沉积。3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用氧等离子体回蚀刻所述牺牲材料。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲材料至少部分地沉积在所述第一介电层上，并且其中，通过回蚀刻所述牺牲材料来去除在所述第一介电层上延伸的所述牺牲材料的部分。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第二介电材料和所述牺牲材料上方沉积第二介电层；以及在去除所述牺牲材料之前蚀刻所述第二介电层。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在去除所述牺牲材料之后，在所述第二介电材料、所述第一介电材料和所述金属线上方沉积第二介电层；以及在形成所述金属通孔之前蚀刻所述第二介电层。7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用氧等离子体去除所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟任，王仁宏，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：