【技术实现步骤摘要】
存储器器件及用于搜索存储器器件的方法
[0001]本专利技术的实施例是有关于存储器技术，且尤其涉及一种具有内容可寻址存储器单元的存储器器件及用于搜索存储器器件的方法。
技术介绍
[0002]许多现代电子器件包含被配置成存储数据的电子存储器。随着技术的飞速发展，工程师们努力使存储器器件变得更小、但又更复杂，以改善及开发更高效、更可靠且具有更多能力的电子器件。各别的存储器胞元可垂直堆叠在三维(three
‑
dimensional，3D)存储器中，从而容许更大的位密度，且因此容许更高效的电子器件。
技术实现思路
[0003]本专利技术的实施例提供一种存储器器件，包括：多个内容可寻址存储器(CAM)单元，排列成行及列，且被配置成分别存储多个数据状态，所述多个内容可寻址存储器单元中的一内容可寻址存储器单元包括第一铁电存储元件；多个字线，沿所述行延伸，且被配置成向所述多个内容可寻址存储器单元提供搜索查询，以用于所述搜索查询与所述多个内容可寻址存储器单元的所述多个数据状态之间的逐位比较；以及多个匹配线，沿...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，其特征在于，包括：多个内容可寻址存储器(CAM)单元，排列成多个行及多个列，且被配置成分别存储多个数据状态，所述多个内容可寻址存储器单元中的一内容可寻址存储器单元包括第一铁电存储元件；多个字线，沿所述多个行延伸，且被配置成向所述多个内容可寻址存储器单元提供搜索查询，以用于所述搜索查询与所述多个内容可寻址存储器单元的所述多个数据状态之间的逐位比较；以及多个匹配线，沿所述多个列延伸，且被配置成分别从各内容可寻址存储器单元列输出多个匹配信号，其中一列的匹配信号在所述列的各内容可寻址存储器单元的所述多个数据状态匹配所述搜索查询的对应位时被断言，且在所述列的各内容可寻址存储器单元的所述多个数据状态不同于所述搜索查询的所述对应位时被解除断言。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第一铁电存储元件包括：第一栅极，耦合到所述多个字线中的第一字线；第一源极，耦合到源极线；以及第一漏极，耦合到所述多个匹配线中的一匹配线。3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述第一字线被配置成向所述内容可寻址存储器单元提供单端信号。4.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述内容可寻址存储器单元还包括第二铁电存储元件，所述第二铁电存储元件包括：第二栅极，耦合到所述多个字线中的第二字线；第二源极，耦合到所述源极线；以及第二漏极，耦合到所述匹配线，其中所述第一字线及所述第二字线各自被配置成向所述内容可寻址存储器单元提供差分信号。5.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：字线驱动器，耦合到所述多个字线，且被配置成经由所述多个字线向所述多个内容可寻址存储器单元提供所述搜索查询，其中所述多个内容可寻址存储器单元中的各内容可寻址存储器单元包括不多于两个晶体管，其中所述的存储器器件，还包括解码器，耦合到所述多个匹配线，且被配置成输出匹配所述搜索查询的内容可寻址存储器单元列的地址，其中当内容可寻址存储器单元列不逐位匹配所述搜索查询时，从所述内容可寻址存储器单元列的一个或多个内容可寻址存储器单元向与所述内容可寻址存储器单元列对应的匹配线提供输出信号。6.一种存储器器件，其特征在于，包括：半导体衬底；第一字线，在所述半导体衬底之上设置在第一高度处；第二字线，在所述半导体衬底之上设置在所述第一高度处，且在第一方向上与所述第一字线侧向间隔开，所述第一字线及所述第二字线在与所述第一方向正交的第二方向上延伸成使得所述第二字线具有最靠近所述第一字线的第一内侧壁的第二内侧壁；
匹配线，设置在所述第一字线与所述第二字线之间，且在与所述第一方向和所述第二方向二者正交的第三方向上延伸；第一铁电层，沿所述第一字线的所述第一内侧壁设置；第一沟道层，设置在所述第一铁电层与所述匹配线之间；第二铁电层，沿所述第二字线的所述第二内侧壁设置；以及第二沟道层，设置在所述第一铁电层与所述匹配线之间。7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中所述匹配线被配置成当所述存储器器件的数据状态匹配搜索查询的位时输出匹配信号，其中所述存储器器件的所述数据状态相依于第一铁电存储元件及第二铁电存储元件的阈值电压，其中所述第一字线及所述第二字线被配置成施加数据信号以对所述存储器器件的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜慧如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。