半导体结构及其形成方法技术

场效应晶体管可以包括有源层，该有源层包含至少两种原子元素的氧化物化合物材料并且位于衬底上方，至少两种原子元素包括锡的第一元素和选自Ge、Si、P、S、F、Ti、Cs和Na的第二元素。场效应晶体管还可以包括位于有源层上的栅极电介质、位于栅极电介质上的栅电极以及接触有源层的相应部分的源电极和漏电极。氧化物化合物材料可以包括至少锗和锡。氧化物化合物半导体材料可以用作BEOL结构中的p型半导体材料。本发明专利技术的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]由氧化物半导体制成的晶体管是用于后段制程(BEOL)集成的有吸引力的选择，因为它们可以在低温下进行处理，并且因此将不会损坏先前制造的器件。例如，制造条件和技术不会损坏先前制造的前段制程(FEOL)器件和中段制程(MEOL)器件。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管包括：层，包括至少两种原子元素的氧化物化合物材料并且位于衬底上方，所述至少两种原子元素包括锡的第一元素和选自Ge、Si、P、S、F、Ti、Cs和Na的第二元素；栅极电介质，位于有源层上；栅电极，位于所述栅极电介质上；以及源电极和漏电极，接触所述有源层的相应部分。
[0004]本专利技术的另一实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管包括：栅电极，位于衬底上方；栅极电介质，位于所述栅电极的顶面或底面上；层，包括至少两种原子元素的氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管包括：层，包括至少两种原子元素的氧化物化合物材料并且位于衬底上方，所述至少两种原子元素包括锡的第一元素和选自Ge、Si、P、S、F、Ti、Cs和Na的第二元素；栅极电介质，位于有源层上；栅电极，位于所述栅极电介质上；以及源电极和漏电极，接触所述有源层的相应部分。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：包括所述氧化物化合物材料的所述层为有源层，并且其中，所述有源层与所述栅极电介质以相应的均匀厚度水平地横向延伸，并且在平面图中具有相同的面积；并且所述栅电极以均匀的栅电极厚度水平地横向延伸，并且在所述平面图中的面积等于所述有源层和所述栅极电介质的面积。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述氧化物化合物材料与所述栅极电介质直接接触。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二元素是Ge。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述氧化物化合物材料的平均材料组分为GeSn
1+α
O
3+δ
，α在从
‑
0.5到1.0的范围内，并且δ在从
‑
0.5到1.0的范围内。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述有源层还包括接触所述氧化物化合物材料的氧化锡层。7.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述氧化物化合物材料的平均材料组分为Si
β
...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔治奥斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：