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场效应晶体管可以包括有源层，该有源层包含至少两种原子元素的氧化物化合物材料并且位于衬底上方，至少两种原子元素包括锡的第一元素和选自Ge、Si、P、S、F、Ti、Cs和Na的第二元素。场效应晶体管还可以包括位于有源层上的栅极电介质、位于栅极电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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