半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

提出半导体装置及其形成方法。在形成混合鳍片结构之前，移除覆侧壁层基脚。当移除覆侧壁层以使金属栅极能够形成在纳米结构晶体管的纳米结构通道周围时，移除覆侧壁层基脚防止金属栅极基脚形成在混合鳍片结构下方。可以以非对称方式形成覆侧壁层以包含不同的长度及/或角度以及其他范例。不对称覆侧壁层能够为p型纳米结构晶体管和n型纳米结构晶体管形成不对称金属栅极结构，同时防止金属栅极基脚形成在p型纳米结构晶体管和n型纳米结构晶体管的混合鳍片结构下方。这可以降低在半导体基底上形成的纳米结构晶体管产生的纳米结构晶体管内的短通道效应和漏电的可能性。内的短通道效应和漏电的可能性。内的短通道效应和漏电的可能性。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本公开实施例关于半导体制造技术，特别关于半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体装置制造的进展和技术制程节点尺寸的降低，晶体管可能会受到短通道效应(short channel effects，SCE)的影响，例如热载子劣化、障壁降低和量子限制以及其他范例。此外，随着较小技术节点的晶体管栅极长度降低，源极/漏极(source/drain，S/D)电子穿隧增加，这增加了晶体管的截止电流(当晶体管处于关闭配置时流过晶体管通道的电流)。硅(Si)/硅锗(SiGe)纳米结构晶体管，例如纳米线、纳米片和全绕式栅极(gate
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around，GAA)装置是在较小技术节点上克服短通道效应的潜在候选装置。相较于其他类型的晶体管，纳米结构晶体管是可以减少短通道效应并提高载子迁移率的有效的结构。

技术实现思路

[0003]根据一些实施例提供半导体装置的形成方法。此方法包含在第一鳍片结构和第二鳍片结构之间形成介电层，第一鳍片结构在半导体基底之上，第二鳍片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：在一第一鳍片结构和一第二鳍片结构之间形成一介电层，该第一鳍片结构在一半导体基底之上，该第二鳍片结构在该半导体基底之上且邻近该第一鳍片结构；移除该介电层的多个部分以在该第一鳍片结构和该第二鳍片结构之间形成一浅沟槽隔离区并在该浅沟槽隔离区之上形成一凹槽；在该凹槽中、在该第一鳍片结构的一第一侧壁上方、在该第二鳍片结构的一第二侧壁上方以及在该浅沟槽隔离区的顶表面上方形成一覆层；以及从该浅沟槽隔离区的该顶表面移除该覆层以留下沿着该第一侧壁的一第一覆侧壁层和沿着该第二侧壁的一第二覆侧壁层，其中该第一覆侧壁层和该第二覆侧壁层包括不对称的相应长度。2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，更包括：在形成该覆层之前，在该第一侧壁上方和该第二侧壁上方形成一晶种层；以及其中形成该覆层包括：在该晶种层上形成该覆层。3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中形成该晶种层包括：使用化学气相沉积制程形成该晶种层，其中使用包括二硅烷的蒸汽混合物来沉积该晶种层。4.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中形成该晶种层包括：在一第一压力下形成该晶种层；以及其中形成该覆层包括：在一第二压力下形成该覆层，其中该第二压力小于该第一压力。5.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中形成该晶种层包括：将该晶种层形成为约0.5纳米至约1.5纳米的厚度。6.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中形成该晶种层包括：在多个第一层的侧面上形成一第一厚度的该晶种层，所述第一层被包括在该第一鳍片结构和该第二鳍片结构中；以及在多个第二层的侧面上形成一第二厚度的该晶种层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙哈吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：