半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包含：沉积多层堆叠于半导体基材上，多层堆叠包含交替的多个牺牲层及多个通道层；形成虚设栅极于多层堆叠上；形成第一间隙壁于虚设栅极的侧壁上；进行第一布植工艺，以形成第一掺杂区域，第一布植工艺具有第一布植能量及第一布植剂量；进行第二布植工艺，以形成第二掺杂区域，其中第一掺杂区域及第二掺杂区域是在通道层中，未被第一间隙壁及虚设栅极覆盖的部分，第二布植工艺具有第二布植能量及第二布植剂量，第二布植能量是大于第一布植能量，且第一布植剂量是不同于第二布植剂量。且第一布植剂量是不同于第二布植剂量。且第一布植剂量是不同于第二布植剂量。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本揭露是有关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种可以控制掺质横向散布的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置被使用于各种电子应用中，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。半导体装置一般是通过下述来制作：依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料于半导体基材上，并使用微影图案化各种材料层，以形成电路组件和元件于其上。
[0003]通过持续减少最小特征尺寸，半导体产业不断改善各种电子组件(例如：晶体管、二极管、电阻、电容等)的积成密度，其允许更多的组件整合在一定的面积中。然而，当最小特征尺寸缩减时，应解决所产生的额外问题。

技术实现思路

[0004]根据本揭露的一实施例，一种半导体装置的制造方法包含沉积多层堆叠于半导体基材上，其中多层堆叠包含交替的多个牺牲层与多个通道层；形成虚设栅极于多层堆叠上；形成第一间隙壁于虚设栅极的侧壁上；进行第一布植工艺，以形成第一掺杂区域，其中第一布植工艺具有第一布植能量及第一布植剂量；进行第二布植工艺，以形成第二掺杂区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：沉积一多层堆叠于一半导体基材上，其中该多层堆叠包含交替的多个牺牲层与多个通道层；形成一虚设栅极于该多层堆叠上；形成一第一间隙壁于该虚设栅极的一侧壁上；进行一第一布植工艺，以形成一第一掺杂区域，其中该第一布植工艺具有一第一布植能量及一第一布植剂量；进行一第二布植工艺，以形成一第二掺杂区域，其中该第一掺杂区域及该第二掺杂区域是在所述多个通道层的一部分中，该部分是未被该第一间隙壁及该虚设栅极覆盖，该第二布植工艺具有一第二布植能量及一第二布植剂量，该第二布植能量是大于该第一布植能量，且该第一布植剂量是不同于该第二布植剂量；在进行该第一布植工艺及该第二布植工艺后，形成一第二间隙壁于该第一间隙壁的一侧壁上；形成一第一凹陷于该多层堆叠中，其中该多层堆叠相邻该第二间隙壁；且形成一磊晶源极/漏极区域于该第一凹陷中。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该进行该第一布植工艺及该第二布植工艺的操作包含布植砷、磷、锑、二氟化硼，或硼至该多层堆叠的多个暴露区域中。3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该第一间隙壁及该第二间隙壁具有范围为3nm至5nm的厚度。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中在该第一布植工艺及该第二布植工艺后，来自该第一掺杂区域的多个掺质是以平行于该半导体基材的一顶面的一方向，迁移至一第一通道层的一第一部分中，该第一部分是位于该虚设栅极下，来自该第二掺杂区域的多个掺质是以平行于该半导体基材的该顶面的一方向，移动至一第二通道层的一第二部分中，该第二部分位于该虚设栅极下，且该第二通道层是在该第一通道层下。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一虚设栅极于一第一通道层的一第一通道区域及一第二通道层的一第二通道区域上，其中该第一通道层及该第二通道层是设置于一半导体基材上；形成一第一间隙壁于该虚设栅极的一侧壁上；进行一第一布植工艺，以布植多个掺质于该第一通道层中，从而形成多个第一掺杂部分于该第一通道区域的多个第一端；进行一第二布植工艺，以布植多个掺质于该第二通道层中，从而形成多个第二掺杂部分于该第二通道区域的多个第二端，其中在该第一布植工艺及该第二布植工艺的过程中，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林育樟，吴濬宏，陈亮吟，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：