【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法
[0001]本揭示是关于一种半导体装置及一种形成半导体装置的方法。
技术介绍
[0002]半导体装置使用在各种电子应用上，例如个人计算机、手机、数字相机及其他的电子设备。半导体装置的制造一般通过在半导体基材上方依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层材料，以及使用微影蚀刻图案化多种材料层以在其上方形成电路组件及元件。
[0003]半导体产业通过持续降低最小特征尺寸以持续改善多种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，其容许在既定面积内整合更多的组件。
技术实现思路
[0004]本揭露的一态样为提供一种半导体装置，其包括源极/漏极区域、层间介电质、源极/漏极接触、金属半导体合金区域，以及接触间隔物。源极/漏极区域邻接于通道区域，层间介电质位于源极/漏极区域上，源极/漏极接触延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域，金属半导体合金区域位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物，接触间隔物环绕源极...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一源极/漏极区域，邻接于一通道区域；一层间介电质，位于该源极/漏极区域上；一源极/漏极接触，延伸穿过该层间介电质且进入该源极/漏极区域；一金属半导体合金区域，位于该源极/漏极接触及该源极/漏极区域之间，该金属半导体合金区域设置在该通道区域的一上表面下方，该金属半导体合金区域包括一第一掺杂物；以及一接触间隔物，环绕该源极/漏极接触，该接触间隔物包括该第一掺杂物及一非晶化杂质。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂物具有与该源极/漏极区域相同的导电类型。3.一种半导体装置，其特征在于，包含：一源极/漏极区域，邻接于一通道区域，该源极/漏极区域包括一第一掺杂物；一层间介电质，位于该源极/漏极区域上；一源极/漏极接触，延伸穿过该层间介电质且进入该源极/漏极区域，该源极/漏极接触在该通道区域的一上表面下方延伸；以及一金属半导体合金区域，位于该源极/漏极接触及该源极/漏极区域之间，该金属半导体合金区域包括该第一掺杂物，该金属半导体合金区域的一下方部具有比该源极/漏极区域的该第一掺杂物的浓度更大的一较大浓度，该金属半导体合金区域的一上方部具有比该源极/漏极区域的该第一掺杂物的浓度更小的一较小浓度。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该金属半导体合金区域具有紧邻该源极/漏极区域及该金属半导体合金区域的一第一界面的该第一掺杂物的一第一浓度，且该金属半导体合金区域具有紧邻该源极/漏极接触及该金属半导体合金区域的一第二界面的该第一掺杂物的一第二浓度，该第一浓度比该第二浓度大，该源极/漏极区域具有该第一掺杂物的一第三浓度，该第三浓度小于该第一浓度，该第三浓度大于该第二浓度。5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包含：一接触间隔物，在该源极/漏极接触及该源极/漏极区域的一上方部之间，该接触间隔物...
【专利技术属性】
技术研发人员：周孟翰，萧宜瑄，刘书豪，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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