集成电路及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种集成电路，包括第一有源区、第一接触件、第一栅极、第一导线、第一导体和第一通孔。在一些实施例中，第一有源区沿第一方向延伸。在一些实施例中，第一接触件在第二方向上延伸，并且至少与第一有源区重叠。在一些实施例中，第一栅极沿第二方向延伸，并且与第一有源区重叠。在一些实施例中，第一导线沿第一方向延伸，并且与第一栅极重叠。在一些实施例中，第一导体与第一接触件、第一栅极和第一导线重叠，并且在第一方向和第二方向上延伸。在一些实施例中，第一通孔位于第一导体和第一导线之间，并且将第一导体和第一导线电连接在一起。本发明专利技术的实施例还提供了一种制造集成电路的方法。制造集成电路的方法。制造集成电路的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例总体涉及电子电路领域，更具体地，涉及集成电路及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)小型化的最新趋势已导致更小的器件消耗更少的功率同时以更高的速度提供更多的功能。小型化过程也导致了更严格的设计和制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(EDA)工具生成、优化和验证集成电路的标准单元布局设计，同时确保满足标准单元布局设计和制造规范。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一方面提供了一种集成电路，包括：第一有源区，沿第一方向延伸，并且位于衬底的第一层上；第一接触件，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸，并且位于不同于所述第一层的第二层上，并且至少与所述第一有源区重叠；第一栅极，沿所述第二方向延伸，与所述第一有源区重叠，并且位于与所述第一层不同的第三层上；第一导线，在所述第一方向上延伸，并且与所述第一栅极重叠，位于不同于所述第一层、所述第二层和所述第三层的第四层上；第一导体，在所述第一方向和所述第二方向上延伸，与所述第一接触件、所述第一栅极和所述第一导线重叠，并且位于与所述第一层、所述第二层、所述第三层和所述第四层不同的第五层上；以及第一通孔，位于所述第一导体与所述第一导线之间，所述第一通孔将所述第一导体和所述第一导线电连接在一起。
[0004]本专利技术的又一方面提供了一种集成电路，包括：第一有源区，在第一方向上延伸，并且位于衬底的第一层上；第二有源区，在所述第一方向上延伸，位于所述第一层上，并且在不同于所述第一方向的第二方向上与所述第一有源区分隔；第一接触件，在所述第二方向上延伸，位于与所述第一层不同的第二层上，并且与所述第二有源区重叠；第一栅极，在所述第二方向上延伸，与所述第一有源区和所述第二有源区重叠，并且位于不同于所述第一层的第三层上；第一导线，在所述第一方向上延伸，并且与所述第一栅极重叠，位于不同于所述第一层、所述第二层和所述第三层的第四层上；第一导体，在所述第一方向和所述第二方向上延伸，与所述第一有源区、所述第一栅极和所述第一导线重叠，并且位于不同于所述第一层、所述第二层、所述第三层和所述第四层的第五层上；第一通孔，位于所述第一导体与所述第一导线之间，所述第一通孔将所述第一导体和所述第一导线电连接在一起；以及第二导体，在所述第一方向和所述第二方向上延伸，与所述第二有源区和所述第一接触件重叠，在所述第一方向上与所述第一导体分隔，并且至少通过所述第一接触件电连接至所述第二有源区中的第一区域，并且位于所述第五层上。
[0005]本专利技术的又一方面提供了一种制造集成电路的方法，所述方法包括：在第一层上的有源区组上方沉积第一导电材料，从而形成接触件组，所述有源区组在第一方向上延伸，所述接触件组包括第一接触件，所述接触件组在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并且与所述有源区组中的至少第一有源区重叠；在第二层上且在所述有源区组上方制造栅极
组，所述栅极组在所述第二方向上延伸，所述栅极组包括第一栅极，并且所述栅极组与所述有源区组重叠；在所述接触件组上方制造第一通孔组，以及在所述栅极组上方制造第二通孔组，所述第二通孔组包括在所述第一栅极上方的第一通孔；在第三层上且在至少所述接触件组上方沉积第二导电材料，从而形成第一导线组，所述第三层在所述第一层和所述第二层之上，所述第一导线组包括在所述第一方向延伸的第一导线，所述第一导线与所述第一栅极重叠，并且通过所述第一通孔电连接至所述第一栅极；在所述第一导线组上方制造第三通孔组，所述第三通孔组包括在所述第一导线上方的第二通孔；以及在第四层上且在至少所述第一导线组上方沉积第三导电材料，从而形成第二导体组，所述第四层在所述第一层、所述第二层和所述第三层之上，所述第二导体组包括在所述第一方向和所述第二方向上延伸的第一导体，所述第一导体与所述第一栅极重叠，并且通过所述第二通孔电连接至所述第一导线。
附图说明
[0006]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
[0007]图1A
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图1D是根据一些实施例的集成电路的布局设计图。
[0008]图2A
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图2E是根据一些实施例的集成电路的示意图。
[0009]图3A
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图3D是根据一些实施例的对应集成电路的对应顶视图。
[0010]图4是根据一些实施例的集成电路的电路图。
[0011]图5是根据一些实施例的集成电路的顶视图。
[0012]图6是根据一些实施例的集成电路的电路图。
[0013]图7是根据一些实施例的集成电路的顶视图。
[0014]图8是根据一些实施例的集成电路的电路图。
[0015]图9是根据一些实施例的集成电路的顶视图。
[0016]图10是根据一些实施例的集成电路的电路图。
[0017]图11是根据一些实施例的集成电路的顶视图。
[0018]图12是根据一些实施例的集成电路的电路图。
[0019]图13是根据一些实施例的集成电路的顶视图。
[0020]图14是根据一些实施例的集成电路的电路图。
[0021]图15是根据一些实施例的集成电路的顶视图。
[0022]图16是根据一些实施例的集成电路的电路图。
[0023]图17是根据一些实施例的集成电路的顶视图。
[0024]图18A是根据一些实施例的形成或制造集成电路的方法的流程图。
[0025]图18B是根据一些实施例的形成或制造集成电路的方法的流程图。
[0026]图19A
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图19F是根据一些实施例的对应中间器件结构的截面图。
[0027]图20是根据一些实施例的制造IC器件的方法的流程图。
[0028]图21是根据一些实施例的生成集成电路的布局设计的方法的流程图。
[0029]图22是根据一些实施例的用于设计IC布局设计和制造IC电路的系统的示意图。
[0030]图23是根据本公开的至少一个实施例的IC制造系统以及与其相关联的IC制造流程的框图。
具体实施方式
[0031]本专利技术提供了用于实现本公开的不同特征的许多不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。其他部件、材料、数值、步骤、布置等是可以考虑的。诸如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0032]而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：第一有源区，沿第一方向延伸，并且位于衬底的第一层上；第一接触件，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸，并且位于不同于所述第一层的第二层上，并且至少与所述第一有源区重叠；第一栅极，沿所述第二方向延伸，与所述第一有源区重叠，并且位于与所述第一层不同的第三层上；第一导线，在所述第一方向上延伸，并且与所述第一栅极重叠，位于不同于所述第一层、所述第二层和所述第三层的第四层上；第一导体，在所述第一方向和所述第二方向上延伸，与所述第一接触件、所述第一栅极和所述第一导线重叠，并且位于与所述第一层、所述第二层、所述第三层和所述第四层不同的第五层上；以及第一通孔，位于所述第一导体与所述第一导线之间，所述第一通孔将所述第一导体和所述第一导线电连接在一起。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一导体包括：第一导电部分，在所述第二方向上延伸，并且与所述第一有源区和所述第一接触件重叠；以及第二导电部分，在所述第一方向上延伸，并且与所述第一栅极和所述第一有源区重叠，其中，所述第一通孔位于所述第二导电部分与所述第一导线之间。3.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：第二通孔，位于所述第一栅极与所述第二导电部分之间，所述第二通孔将所述第一栅极和所述第二导电部分电连接在一起。4.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：第二接触件，在所述第二方向上延伸，位于所述第二层，与所述第一有源区重叠，并且在所述第一方向上与所述第一接触件分隔；以及第二栅极，在所述第二方向上延伸，与所述第一有源区重叠，位于所述第三层上，并且在所述第一方向上与所述第一栅极分隔。5.根据权利要求4所述的集成电路，还包括：第二导线，在所述第一方向上延伸，并且与所述第二接触件和所述第二栅极重叠，位于所述第四层上，在所述第一方向上与所述第一导线分隔；以及第二通孔，位于所述第二栅极和所述第二导线之间，所述第二通孔将所述第二栅极和所述第二导线电连接在一起。6.一种集成电路，包括：第一有源区，在第一方向上延伸，并且位于衬底的第一层上；第二有源区，在所述第一方向上延伸，位于所述第一层上，并且在不同于所述第一方向的第二方向上与所述第一有源区分隔；第一接触件，在所述第二方向上延伸，位于与所述第一层不同的第二层上，并且与所述第二有源区重叠；第一栅极，在所述第二方向上延伸，与所述第一有源区和所述第二有源区重叠，并且位于不同于所述第一层的第三层上；
第一导线，在所述第一方向上延伸，并且与所述第一栅极重叠，位于不同于所述第一层、所述第二层和所述第三层的第四层上；第一导体，在所述第一方向和所述第二方向上延伸，与所述第一有源区、所述第一栅极和所述第一导线重叠，并且位于不同于所述第一层、所述第二层、所述第三层和所述第四层的第五层上；第一通孔，位于所述第一导体与所述第一导线之间，所述第一通...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭士玮，萧志民，吴佳典，赖建文，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：