阵列基板和显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括基板和设于基板上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括依次层叠于基板上的第一有源层和绝缘层，第一薄膜晶体管还包括氧化物层，氧化层直接层叠于第一有源层上且位于第一有源层和绝缘层之间。本发明专利技术通过在低温多晶硅薄膜晶体管的有源层上直接设置氧化物层，利用氧化物层覆盖半导体层的晶界突起，平坦有源层表面上的凹凸，避免因为绝缘层直接覆盖在低温多晶硅薄膜体管的有源层导致二者之间的界面状态异常，从而避免了因该界面状态异常导致的系列问题。系列问题。系列问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]目前，非晶硅转变成多晶硅的方式主要是通过将激光束照射到非晶硅上，非晶硅熔融后重新凝固成多晶硅，在此过程中可能产生晶体间的碰撞现象，从而导致晶界处产生突起。
[0003]当将这种多晶硅作为半导体层应用于现有的薄膜晶体管时，其晶界处的突起将直接与绝缘层接触，导致半导体层和绝缘层之间的界面状态异常。该界面状态异常容易引起系列不良问题，如造成薄膜晶体管的亚阈值特性的劣化，增加从栅电极流入半导体层的漏电流，减小栅绝缘膜的耐压性，降低薄膜晶体管的可靠性等。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种阵列基板和显示面板，旨在解决现有的低温多晶硅薄膜晶体管中因半导体层的晶界处突起，导致半导体层和绝缘层之间的界面状态异常的技术问题。
[0005]为解决上述问题，本专利技术的实施例提供一种阵列基板，包括基板和设于所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠于所述基板上的第一有源层和绝缘层，所述第一薄膜晶体管还包括氧化物层，所述氧化层直接层叠于所述第一有源层上且位于所述第一有源层和绝缘层之间。
[0006]根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述氧化物层是包含铟，镓，锌，锡与镧系金属中至少一种的氧化物，可以是IGZO或Ln
‑
IZO。
[0007]根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述第一有源层包括第一源极区和第一漏极区，以及设于所述第一源极区和所述第一漏极区之间的第一沟道区，所述氧化物层至少覆盖所述沟道区。
[0008]根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述基板的材料是聚酰亚胺，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设于所述基板和所述第一有源层之间，所述遮光层在所述基板上的投影至少覆盖所述第一沟道区在所述基板上的投影。
[0009]根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述阵列基板还包括设于所述基板上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄5膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二源极区和第二漏极区，以及设于所述第二源极区和所述第二漏极区之间的第二沟道区。
[0010]根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设于所述基板和所述第二有源层之间，所述遮光层在所述基板上的投影至少覆盖所述第二沟道区在所述基板上的投影。
[0011]0根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述基板的材料是聚酰亚胺，所述遮光层
在所述基板上的投影进一步覆盖所述第一沟道区在所述基板上的投影。
[0012]根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述第一有源层和所述第二有源层设于同一膜层上，所述氧化物层和所述第二有源层通过同一制程获得。
[0013]根据本专利技术的实施例提供的阵列基板，所述阵列基板还包括设于所述基板5上的缓冲层，所述缓冲层设于所述遮光层背向所述基板的一侧，且完全覆盖所述遮光层。
[0014]本专利技术的实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。
[0015]有益效果：本专利技术的实施例提供的阵列基板和显示面板，通过在低温多晶硅薄膜晶体管的有源层上直接设置氧化物层，利用所述氧化物层覆盖半导体层0的晶界突起，平坦有源层表面上的凹凸，避免因为绝缘层直接覆盖在低温多晶硅薄膜体管的有源层导致二者之间的界面状态异常，从而避免了因该界面状态异常导致的系列问题。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所5需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本专利技术的实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0018]图2是本专利技术的实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
[0019]附图标记说明：
[0020]基板101，遮光层102，缓冲层103，第一有源层140，第一沟道区141，第一源极区142，第一漏极区143，氧化物层105，第二有源层150，第二沟道区151，第二源极区152，第二漏极区153，绝缘层106，层间介质层107，第一层间介质层1071，第二层间介质层1072，钝化保护层108，第一源极S1，第一栅极G1(G11、G12)，第二栅极G2(G21、G22)，第一漏极D1，第二漏极D2，第二源极S2。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0023]请参阅图1，图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图。在本实施例中，所述阵列基板包括基板101和设于所述基板101上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括依次层叠于所述基板101上的第一有源层140和绝缘层106，所述第一薄膜晶体管还包括氧化物层105，所述氧化物层105直接层叠于所述第一有源层140上且位于所述第一有源层140和绝缘层106之间。
[0024]在本实施例中，所述基板101的材料可以是刚性材料，如玻璃等，也可以是柔性材料，如聚酰亚胺(Polyimide，PI)等。当所述基板101采用PI膜时，所述基板101也可以进一步包括双层PI膜。
[0025]所述第一有源层140包括第一源极区142和第一漏极区143，以及设于所述第一源极区142和所述第一漏极区143之间的第一沟道区141。
[0026]所述氧化物层105至少覆盖所述第一沟道区141。具体的，所述氧化物层105可以仅覆盖所述第一沟道区141，在其它实施例中也可以同时覆盖所述第一源极区142和第一漏极区143。所述氧化物层105是含铟，镓，锌，锡与镧系金属中至少一种的氧化物。具体地，所述氧化物层105的材料可以是IGZO或Ln
‑
IZO。
[0027]所述阵列基板还包括遮光层102、缓冲层103、栅极层、源漏极层、层间介质层107和钝化保护层108。
[0028]所述遮光层102设于所述基板101和所述第一有源层140之间，且至少对应所述第一沟道区141设置，即，所述第一沟道区141在所述基板101上的正投影落入所述遮光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基板和设于所述基板上的第一薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠于所述基板上的第一有源层和绝缘层，所述第一薄膜晶体管还包括氧化物层，所述氧化物层直接层叠于所述第一有源层上且位于所述第一有源层和绝缘层之间。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物层的材料是包含铟，镓，锌，锡与镧系金属中至少一种的氧化物。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括第一源极区和第一漏极区，以及设于所述第一源极区和所述第一漏极区之间的第一沟道区，所述氧化物层至少覆盖所述沟道区。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述基板的材料是聚酰亚胺，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设于所述基板和所述第一有源层之间，所述遮光层在所述基板上的投影至少覆盖所述第一沟道区在所述基板上的投影。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述基板上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘旺康，刘兆松，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：