本公开的各种实施例涉及包括光耦合集成电路(IC)芯片的半导体封装。第一IC芯片和第二IC芯片在衬底的中央处上覆于衬底上。光子芯片上覆于第一IC芯片和第二IC芯片上并电耦合到第二IC芯片。激光器件芯片在衬底的外围处上覆于衬底上，与光子芯片...

本申请的实施例提供了图像传感器器件及其形成方法。方法包括：在衬底的背侧上形成掩模层，该衬底包括具有光电探测器的像素区域，晶体管位于衬底的前侧之上或之中；通过将掩蔽层暴露于图案化的光而在掩蔽层中形成掩蔽开口，掩模开口包括：掩蔽像素区域的掩...

本公开涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种制造半导体器件的方法中，通过对半导体层进行图案化来形成鳍结构，形成隔离绝缘层以使得鳍结构的上部从隔离绝缘层突出，通过沉积工艺形成栅极电介质层，对栅极电介质层执行氮化操作，以及在栅极电...

本公开涉及基于石墨的互连及其制造方法。本文公开了无障碍互连及其制造方法。示例性互连结构具有设置在导电过孔之上的导电线。导电线具有设置在第一电介质层中的第一导电插塞，并且第一导电插塞包括导电非金属材料，例如，石墨。导电过孔包括设置在第二电...

本公开涉及晶体管源极/漏极区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：半导体鳍，从半导体衬底延伸；纳米结构，位于半导体鳍之上；源极/漏极区域，与纳米结构的沟道区域相邻；底部间隔件，位于源极/漏极区域与半导体鳍之间；以及间隙，位于底部...

本公开涉及用于高压操作的GAA LDMOS结构。横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)型的栅极全环绕(GAA)高压晶体管具有设置为低于半导体衬底的表面的环形栅极电极。该环形栅极电极围绕由第一源极/漏极区域、主体区域和扩散区域形成的竖直...

一种半导体元件及其形成的方法，尤其提供一种包含蚀刻停止层的半导体元件以及一种形成方法。半导体元件可以包含源极/漏极区域和栅极结构，其中第一蚀刻停止层在到源极/漏极区域的导电插塞上方，且第二蚀刻停止层在栅极结构上方。第一蚀刻停止层和第二蚀...

揭露一种形成电容器的方法与电容器。此方法包含形成金属化层的一部分于基板上，形成介层窗层于基板上，以及形成第一电极于金属化层与介层窗层之间，其中第一电极电性连接金属化层。此方法亦包含形成第二电极于金属化层与介层窗层之间，其中第二电极电性连...

本发明实施例涉及半导体封装结构及其形成方法。本发明实施例涉及一种半导体结构，其包含衬底、设置于所述衬底中的电容器、设置于所述衬底上的互连结构及设置于所述衬底中的第一掺杂区域。所述互连结构包含耦合到所述衬底的第一通路结构及耦合到所述电容器...

一种半导体工艺超纯水生产方法、再生废水方法和微影方法，生产用于半导体制造的超纯水(UPW)的系统及方法包括执行高级氧化工艺(AOP)预处理步骤、生物修复步骤、及高级氧化工艺后处理步骤的ABA模块。原水流动穿过ABA模块，ABA模块是用于...

一种半导体制造方法及设备，半导体制造方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等...

本公开涉及半导体器件的电介质层及其形成方法。公开了形成改进的电介质层的方法和由其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：晶体管结构，位于半导体衬底上；第一电介质层，位于晶体管结构上；第二电介质层，位于第一电介质层上，第二电...

本申请的实施例提供了具有标准单元的半导体器件及其形成方法。具有标准单元的半导体器件包括第一底部晶体管、第一顶部晶体管、第二底部晶体管、第二顶部晶体管和第一底部晶体管层级金属线。第一底部晶体管位于第一行中。第一顶部晶体管设置在第一行中的第...

一种集成电路包括互补场效应晶体管(CFET)。CFET包括第一晶体管，该第一晶体管具有对应于第一晶体管的沟道区域的第一半导体纳米结构和围绕第一半导体纳米结构的第一栅极金属。CFET包括第二晶体管，该第二晶体管包括位于第一半导体纳米结构之...

一种半导体装置的形成方法，本公开所述的多重图案化技术使得能够在鳍片结构的鳍片间间隔得以减少同时提供鳍片结构的蚀刻深度精确的控制的方式下形成半导体装置的鳍片结构。在一些实施例中，蚀刻操作被执行来蚀刻基板以形成鳍片结构。蚀刻操作包括高级的脉...

一种电源控制器件，包括第一开关和第二开关。第一开关的第一端子被配置为接收第一电压域中的第一电压信号，第二开关的第一端子被配置为接收不同于第一电压域的第二电压域中的第二电压信号。第二开关的第二端子耦接第一开关的第二端子，控制电路耦接第一开...

根据本发明的存储器结构包括设置在第一介电层中的导电部件、设置在导电部件上方的铁电隧道结(FTJ)堆叠件、沿着FTJ堆叠件的侧壁设置的间隔件、设置在间隔件和FTJ堆叠件上方的第二介电层以及延伸穿过第二介电层并且与顶部电极层的顶面接触的接触...

公开了具有隔离结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一FET和第二FET、隔离结构以及导电结构。第一FET包括第一鳍结构、设置在第一鳍结构上的第一栅极结构阵列以及设置在第一鳍结构上的第一S/D区域阵列。第二FET包括第二鳍结构、...

提供半导体装置及其制造方法。在一些实施方式中，在装置的源极/漏极区下方形成缓冲层。缓冲层的形状可以包含弯曲顶表面，其具有延伸以增加装置的鳍片结构的纳米片的覆盖率的高度。形状也包含具有向装置的浅沟槽隔离区延伸的宽度的区域。形状降低掺质从源...

一种方法包括：形成积层封装衬底，形成积层封装衬底包括形成第一多条再分布线(RDL)和第二多条RDL，在第一多条RDL上形成第一多个贯通孔，将互连管芯接合至第二多条RDL，将互连管芯和第一多个贯通孔密封在第一密封剂中，以及在第一密封剂上方...