一种半导体结构及其形成方法，此方法包含形成第一鳍结构于基底的第一区之上以及第二鳍结构于基底的第二区之上，形成第一栅极介电层围绕第一鳍结构和第二栅极介电层围绕第二鳍结构，形成阻挡层于第一栅极介电层之上，用第一含氟气体处理基底，在用第一含氟...

本公开提供一种半导体结构、基板封装及形成半导体结构的方法，包括：包括至少一半导体晶粒的一封装、一重分布结构、一基板封装、多个焊料材料部分、以及一第二底部填充材料部分。重分布结构包括多个结合垫及位于至少一半导体晶粒与重分布结构之间的第一底...

本公开提供了半导体制造系统的实施例。半导体制造系统包括设备前端模块，设备前端模块具有将半导体晶圆从晶圆载体转移到设备前段模块的装载端口；以及嵌入在设备前端模块中并且配置为产生空气帘以保护半导体晶圆的晶圆湿度控制装置。晶圆湿度控制装置还包...

器件包括栅电极和围绕栅电极的栅极电介质。栅电极围绕纳米结构。纳米结构包括堆叠的纳米片。栅极电介质由高k(HK)材料形成。HK材料在与相邻器件对准的方向上覆盖栅电极的侧壁。使HK材料的部分从侧壁凹进并且由具有小于HK材料的介电常数和大于H...

示例性方法包括接收用于混合鳍器件的混合鳍器件布局，混合鳍器件包括设置在单鳍有源区域和多鳍有源区域上方的栅极。单鳍有源区域和多鳍有源区域沿第一方向纵向延伸。栅极沿第二方向纵向延伸，第二方向与第一方向不同，并且栅极具有沿第一方向的宽度。单鳍...

本揭示揭露一种监控制造设施的环境及安全的监控方法及监控系统。在一实施方式中，监控方法包含：将自动化物料搬运系统(AMHS)载具由第一位置运输至第二位置，以及使用位于AMHS载具上的至少一感测器侦测至少一参数，以判断第一位置及第二位置间的...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，鳍结构具有交替堆叠于基底上方的第一半导体层及第二半导体层；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻鳍结构未被牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区，进而形成源极/漏极空间；在源极...

本申请公开了具有掺杂栅极电介质层的半导体器件及其形成方法。在实施例中，提供了包括第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层的半导体器件，其中第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层包括掺杂有偶极掺杂剂的高k材料。第一掺杂栅极电介质层中...

一种半导体封装包括第一晶粒，第一晶粒包括具有第一输入及第二输入的电压调节器。所述半导体封装包括第二晶粒，第二晶粒耦合至第一晶粒且包括第一负载电路。电压调节器被配置成基于经由第一输入接收的第一电压及经由第二穿孔结构自第一负载电路接收的第二...

本公开涉及背侧照明图像设备的结构和方法。一种图像传感器结构包括：第一衬底，具有前侧和背侧；光电检测器，设置在第一衬底的前侧上并且沿着第一方向横跨尺寸Dp；栅极电极，形成在第一衬底的前侧上并且部分地与光电检测器交叠；掺杂区域，作为浮动扩散...

本公开涉及形成光学模块的方法。提供了光学模块及其形成方法。在一个实施例中，示例性方法包括：在第一晶圆之上形成多个第一光学元件，在第二晶圆之上形成多个第二光学元件，在第三晶圆之上形成多个第三光学元件，将第一晶圆与第二晶圆对准，使得在第一晶...

本公开一种元件结构。元件结构包含金属

一些实施例提供了在其中填充替换栅电极层之前调节栅极开口的侧壁轮廓的工艺，使得在随后的栅电极回蚀刻工艺期间提高蚀刻速率均匀性和稳定性。具体地，将牺牲栅电极的轮廓调整为更直的轮廓而不是碗型轮廓，这减少了在替换栅极工艺期间在替换栅电极中产生的...

本发明的实施例提供了存储器和逻辑器件协同优化的方法和结构。本发明的实施例提供了一种器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底。该器件可以包括设置在第一区域中的第一栅极结构和设置在第二区域中的第二栅极结构。该器件还可以包括与第一栅极结构相邻设...

方法包括：形成从半导体衬底突出的半导体鳍。半导体鳍具有外延部分以及位于外延部分下面的台面部分。外延部分具有与多个牺牲层交错的多个沟道层。半导体衬底具有位于(110)晶面中的顶面。方法也包括：形成横跨半导体鳍的伪栅极结构；至少去除与伪栅极...

用于晶圆传输的推车，该推车包括推车主体，推车主体包括围绕间隔的侧壁和可附接到侧壁的盖子；第一晶圆保持架，被配置为承载晶圆并且被设置在间隔内；第二晶圆保持架，被配置为承载晶圆并且被设置在间隔内以及第一晶圆保持架上方；分离器，设置在第一晶圆...

器件包括半导体纳米结构的堆叠件、包裹半导体纳米结构的栅极结构、邻接栅极结构和堆叠件的源极/漏极区域、位于源极/漏极区域上的接触结构、位于堆叠件下方的背侧介电层以及从接触结构延伸至背侧介电层的顶面的通孔结构。本申请的实施例还涉及半导体器件...

提供了存储器系统和存储器阵列的操作方法。用于执行存储器中计算(CiM)操作的存储器系统包括存储器阵列和处理电路。存储器阵列包括多个存储器单元。处理电路耦合到存储器阵列，并且包括编程电路和控制电路。编程电路耦合到存储器阵列，并且被配置为执...

一种负电容器件包括半导体层。界面层设置在半导体层上方。非晶介电层设置在界面层上方。铁电层设置在非晶介电层上方。金属栅电极设置在铁电层上方。如下条件中的至少一个成立：界面层为掺杂的；非晶介电层具有氮化外表面；扩散阻挡层设置在非晶介电层和铁...

本公开的一些实施例提供一种形成重分布结构的方法。形成重分布结构包括在一第一晶种层的一部分上形成一第一导电材料，在第一晶种层以及第一导电材料的上方形成一遮罩，其中遮罩中的一开口至少部分暴露第一导电材料，在开口中形成一第一导电导孔，利用第一...