本公开的各个实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括将第一半导体晶圆接合到第二半导体晶圆。接合界面设置在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间。第一半导体晶圆具有横向地围绕中心区域的外围区域。在第一半导体晶圆的第一外边缘和第二半导体晶圆的...

半导体装置结构包括第一栅极介电层，其具有上表面与角落表面，其中第一栅极介电层的上表面的最高点在第一高度。半导体装置结构包括第一栅极层，其具有上表面，其中第一栅极层的上表面的最高点在第二高度，且第二高度高于第一高度。半导体装置结构包括第一...

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，其包括中介层和接合到中介层的第一侧的第一管芯。第二管芯接合到中介层的第二侧。第二管芯包括衬底和贯穿衬底的贯通孔。该方法还包括通过多个第一焊料区域将第二封装组件接合到第一...

本实用新型实施例涉及一种用于集成电路芯片的边缘轮廓控制的装置。一种用于集成电路芯片封装的结构包含：衬底；装置层，其放置于所述衬底上；互连结构，其放置于所述装置层上；绝缘层，其放置于所述互连结构上；导电垫，其位于所述互连结构上，其中所述导...

提供了图像传感器、图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器包括硅衬底、布置在硅衬底中的锗区域、布置在硅衬底和锗区域之间的掺杂半导体隔离层、布置在锗区域上的重p掺杂区域、布置在硅衬底上的重n掺杂区域、布置在锗区域正下方的第一n型...

本发明的实施例提供一种形成存储器器件的方法，包括：在衬底上方形成绝缘体层，其中所述绝缘体层定义第一开口；在所述第一开口内形成导通孔；在所述导通孔上方形成存储单元堆叠，其中所述存储单元堆叠包含上覆于吸气剂金属层的第一电极、上覆于所述第一电...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括一基板。半导体装置还包括在基板的第一侧上的导电网络。半导体装置还包括在基板的第二侧上的主动区域，其中基板的第一侧与基板的第二侧相对。半导体装置还包括电性连接到导电网络的贯通导孔，其中贯通导孔延伸...

一种编程电路包括时间差转换电路及脉冲产生器电路。所述时间差转换电路被配置成从第一神经元器件接收第一脉冲且从第二神经元器件接收第二脉冲，且被配置成输出与第一脉冲和第二脉冲之间的时间差对应的时间差信号。所述脉冲产生器电路包括：输入，耦合到时...

绝缘栅极双极性晶体管包括：半导体基板、包含第一硅化合物的隔离区、包含第二硅化合物的高导热区、第一导电型的集极区与本体区、第二导电型的缓冲区、漂移区与至少一源极区。半导体基板具有在水平方向延伸的顶面与底面。高导热区具有底部与侧壁部。第二硅...

在本揭露的一些实施例的一些态样中，揭示一种静电放电(ESD)保护电路及其操作方法。在一些态样中，该ESD保护电路包括：耦接至一衬垫的一第一晶体管、耦接于该第一晶体管与接地之间的一第二晶体管、耦接至该第一晶体管的一晶体管堆叠，及耦接于该晶...

一种互连结构及其形成方法，互连结构包括设置于介电材料中的第一导电特征、设置于介电材料上第一蚀刻终止层、设置于第一蚀刻终止层上的第一介电层、及延伸穿过第一介电层和第一蚀刻终止层并电性连接第一导电特征的第二导电特征。第一蚀刻终止层包括硼基层...

本公开总体涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种制造半导体器件的方法中，在电介质层的表面区域中形成导电图案，在电介质层之上形成包括在导电图案之上的开口的掩模图案，将导电图案的一部分转换为高电阻部分，该高电阻部分的电阻率高于穿过开口...

本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括：半导体衬底；一组垂直堆叠的纳米结构，位于半导体衬底之上；第一源极/漏极区域；以及第二源极/漏极区域，其中，一组垂直堆叠的纳米结构沿第一截面延伸在第一源极/漏极区域和第二源极/漏...

本揭露的一实施例提供了一种半导体装置及其静电放电的方法，半导体装置包括：第一阱、第二阱、第三阱、第一掺杂区域、至少一个的第二掺杂区域。第一导电类型的第一阱设置于基板上。不同于第一导电类型的第二导电类型的第二阱在布局图上是在第一阱周围。第...

本公开涉及多栅极器件的栅极结构。根据本公开的方法包括提供衬底，该衬底包括围绕在有源区域之上的虚设栅极堆叠和沿着虚设栅极堆叠的侧壁延伸的间隔件层，选择性地去除虚设栅极堆叠以形成暴露有源区域的栅极沟槽，在有源区域之上沉积栅极电介质层，在栅极...

公开了包括沿第一界面的混合接合和焊料接合的半导体封装件及其形成方法。在实施例中，封装件包括：第一中介层，第一中介层包括第一再分布结构；第一管芯，利用电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合至第一再分布结构的第一表面；第二管芯，利用第一焊...

本申请公开了半导体器件中的功函数调谐。本公开描述了一种用于形成半导体器件的方法，该半导体器件具有掺杂钽的功函数金属层以减轻氧扩散并提高器件阈值电压。该方法包括在沟道结构上形成栅极电介质层以及在栅极电介质层上形成功函数金属层。栅极电介质层...

一种集成电路装置，包含以不含氯的前驱物所形成的铁电层。根据本公开，铁电层可形成为不含氯。邻近铁电层的结构亦以不含氯的前驱物来形成。邻近的结构中不含氯防止了氯扩散至铁电层之中，以及防止了在与铁电层的界面形成氯复合物。铁电层可用于存储装置中...

本发明的实施例描述了用于字线延迟联锁电路的系统和器件。器件包括第一逻辑门、联锁电路和延迟电路。第一逻辑门被配置为接收复位信号。联锁电路与第一逻辑门的输出端连接，并被配置为产生第一信号并且选择性地操作第一逻辑门。延时电路连接至联锁电路的输...

公开了具有空气间隔件结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的纳米结构沟道区域、围绕纳米结构沟道区域的栅极结构、设置在栅极结构上的第一空气间隔件、设置在衬底上的源极/漏极(S/D)区域以及设置在S/D区域上的接触结...