本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括晶体管，所述晶体管包括：多个层，其中所述多个层中的每一个均具有至少一种III族

本发明的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；第一晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第一堆叠的沟道；第二晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第二堆叠的沟道；隔离结构，包括位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道之间的芯介...

根据本发明的实施例的半导体器件包括位于第一介电层中的第一导电部件和第二导电部件、位于第一介电层上方的缓冲层、位于缓冲层上方的第二介电层、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第一底部通孔、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第二底部通孔、设置在第一底部通...

半导体结构包括：第一电极，包括第一金属材料；存储器膜，包括至少一种介电金属氧化物材料并且接触第一电极；以及第二电极，包括第二金属材料并且接触存储器膜。存储器膜包括具有小于0.01的钝化元素与氧的第一平均原子比率的中心区域，并且包括具有大...

纳米结构晶体管可以以可以降低纳米结构晶体管中的源极/漏极区合并的可能性的方式来形成。在本文所描述的纳米结构晶体管的俯视图中，在纳米结构晶体管的纳米结构沟道的相对侧上的源极/漏极区是错开的，使得源极/漏极区之间的距离增加。这降低了源极/漏...

一种半导体装置的形成方法，执行多次干式蚀刻操作以形成互连结构的开口，并且在干式蚀刻操作之间执行湿式清洁操作。这种多步骤蚀刻方法提高了去除残留材料的效率，从而提高互连结构的品质且降低蚀刻不足的可能性，这两者都提高了半导体装置良率和半导体装...

本公开涉及一种用于制造集成芯片上系统(SoIC)封装件的方法。特别地，在半导体管芯之间沉积介电填充材料之前，在半导体管芯的侧壁上沉积胶层。胶层可以是含氮层，诸如氮化硅、碳氮化硅和氮氧化硅。介电填充材料可以是由TEOS或mDEOS形成的氧...

根据本申请的实施例，提供了制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，形成包括第一半导体层和第二半导体层的堆叠层的鳍结构，形成隔离绝缘层，使得堆叠层从隔离绝缘层暴露，在暴露的堆叠层的至少侧壁上方形成牺牲包覆层，在暴露的堆叠层上方形成...

本申请的实施例提供了一种封装件及其形成方法，封装件包括：封装衬底，该封装衬底包括具有沟槽的绝缘层；以及接合到封装衬底的封装组件。封装组件包括：重分布结构，接合到重分布结构的光学管芯，光学管芯包括靠近光学管芯的第一侧壁的边缘耦合器；与光学...

提供了多栅极晶体管结构及其形成方法。根据本发明的形成半导体结构的方法包括在衬底上方形成鳍状结构并包括由牺牲层交错的沟道层，使鳍状结构凹进以形成源极/漏极凹槽，使牺牲层的侧壁凹进以形成内部间隔件凹槽，在衬底和内部间隔件凹槽上方沉积介电层，...

一种半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍和源极/漏极结构。半导体鳍和源极/漏极结构位于半导体衬底上，并且源极/漏极结构与半导体鳍连接。源极/漏极结构包括具有W

一种半导体装置的制造方法，可形成用于半导体装置的虚设栅极结构。虚设栅极结构可以由非晶多晶硅层形成。可在毯覆式沉积操作中沉积非晶多晶硅层。对半导体元件进行退火操作以从非晶多晶硅层移除空隙、接缝及/或其他缺陷。退火操作可以使非晶多晶硅层结晶...

实施例包括形成交叉点存储器器件的方法、形成多层选择器材料的方法和器件。多层选择器结构的第一层可以包括多层选择器结构的第二层的元素的子集。开关元件的梯度浓度可以在选择器结构中找到，第一层包括基本稳定的元素浓度，第二层包括共有元素以及第一层...

本公开的实施例提供一种形成半导体装置结构的方法。在一个实施例中，方法包括形成具有交替堆叠的第一半导体层与第二半导体层的鳍片结构，移除第二半导体层的边缘部分以在相邻第一半导体层之间形成空腔，在第一半导体层的侧壁上选择性地形成钝化层，在第二...

一种记忆体装置包括第一记忆体单元，此第一记忆体单元包括串行地彼此电性耦接的第一晶体管及第一反熔丝结构。第一晶体管包括跨主动区域延伸的第一栅极结构、在主动区域的第一部分中设置的第一源极/漏极结构、及在主动区域的第二部分中设置的第二源极/漏...

一种半导体结构，包括一第一电路区域；一第一内密封环至少部分围绕第一电路区域；以及一外密封环至少部分围绕第一内密封环。外密封环包括一第一角部以及位于第一角部处的大致三角形的一角部密封环(CSR)结构。第一内密封环包括与角部密封环结构相邻并...

一种集成电路结构及集成电路装置，集成电路结构包括：在第一方向上延伸的两个主动区、在第二方向上延伸的两个栅极结构、在第一金属层中在第二方向上延伸的第一金属段、在第二金属层中在第一方向上延伸的第二金属段及第三金属段、及自第三金属段延伸至栅极...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了半导体器件和制造具有不同阈值电压的半导体器件的方法。在实施例中，通过偶极子材料的沉积、扩散和去除来调谐各个半导体器件的阈值电压，以便在不同的晶体管内提供不同的偶极子区域。这些不同的偶极子区域使得不...

本实用新型涉及一种半导体结构,包括：衬底，具有第一区域、环绕第一区域的第二区域及环绕第二区域的第三区域；装置层，其安置于所述衬底上，装置层在第一区域上面的部分包括装置；通路层，其安置于所述装置层上，通路层在第一区域上面的第一部分包括第一...

提供一种半导体元件，其包含浅沟渠隔离区域、第一半导体鳍片结构、以及第二半导体鳍片结构。第一半导体鳍片结构自浅沟渠隔离区域的顶面延伸第一鳍片高度，其中第一半导体鳍片结构设置在第一区域中。第二半导体鳍片结构自浅沟渠隔离区域的顶面延伸第二鳍片...