本实用新型提供一种半导体封装和半导体结构，半导体结构包括基板和形成在基板中的深沟槽电容器区域。深沟槽电容器区域包括多个深沟槽电容器单元，并且每个深沟槽电容器单元包括从基板的顶表面向下延伸的沟槽、设置在沟槽中的第一导电层、设置在沟槽中的第...

提供了一种温度传感器电路、控制电路和控制方法。温度传感器电路包括温度传感器和控制电路。控制电路耦合到温度传感器，并包括电流源、采样电路和计算电路。电流源被配置为在不同的时间段内向温度传感器提供第一电流和第二电流。采样电路耦合到温度传感器...

本申请的实施例提供了一种形成封装件的方法，该方法包括将光子引擎接合到中介层上，以及将封装组件接合到中介层上。封装组件包括器件管芯。该方法还包括将封装组件和光子引擎封装在密封剂中，将热电冷却器连接到光子引擎，以及将金属盖连接到封装组件。根...

在一个实施例中，揭露一种半导体装置及其形成的方法，形成半导体装置的方法包含：形成第一氧化层于半导体鳍片结构上方；进行第一氮化工艺以将第一氧化层转化为氮氧化层；沉积含硅层于氮氧化层上方；对含硅层进行第一退火，其中在进行第一退火之后，氮氧化...

在实施例中，晶圆接合方法包括：接收第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一对准标记，第一对准标记包括第一磁性部件的第一网格，第二晶圆包括第二对准标记，第二对准标记包括第二磁性部件的第二网格；在光学对准工艺中，使第一对准标记与第二对准标记对准...

一种半导体结构，包含：介电绝缘层、加热器线、相变材料线、第一电极、以及第二电极。介电绝缘层具有顶表面并且位在基板上方。加热器线接触顶表面的第一区域。相变材料线包含：中间部分其覆盖加热器线、第一端部其邻接中间部分的第一侧并接触顶表面的第二...

半导体器件包括衬底。该半导体器件包括延伸到衬底中并且具有第一U形的至少部分的第一栅极区域。该半导体器件包括延伸到衬底中并且具有第二U形的沟道区域。该半导体器件包括延伸到衬底中并且具有井形的第二栅极区域。井形设置在第二U形之间，并且第二U...

实施例提供了在纳米FET晶体管器件的外延区域(例如，外延源极/漏极区域)之下的双层级沟槽隔离结构及其形成方法。第一层级提供具有低k值的隔离结构。第二层级提供的隔离结构具有比第一层隔离结构高的k值、更大的材料密度和更大的蚀刻抗性。和更大的...

介绍一种包括存储器阵列及预充电选择电路的存储器装置。存储器阵列包括耦合至多条位元线及多条字元线的多个存储单元，其中所述多条字元线被配置成接收输入向量。预充电选择电路被配置成根据输入向量的值选择性地对所选择的位元线进行预充电。预充电选择电...

本实用新型提供一种存储器装置。存储器装置包括一或多个存储器单元、管线、第一脉冲产生器以及第二脉冲产生器。管线耦合至所述一或多个存储器单元。第一脉冲产生器耦合至一或多个存储器单元。第一脉冲产生器用于基于第一延迟频率信号而产生存储器频率信号...

本公开的各种实施例提供一种包括柱数组的半导体结构。中介层包括第一中介层接合接垫。使用中介层侧焊料材料部分将铜柱结构的数组接合至第一中介层接合接垫。通过使用衬底侧焊料材料部分将铜柱结构的数组接合至位于封装衬底上的衬底接合接垫以将封装衬底贴...

本揭露提供一种集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法。制造集成电路(IC)的方法包括以下步骤：提供基板；在基板中形成p型井区；在基板中形成n型井区；在第一温度下进行微波退火；在微波退火之后，在高于第一温度的第二温度下进行补充退火...

揭露一种半导体元件的形成方法。此方法包含形成多个绝缘区于半导体基材上，形成保护层于半导体基材的电阻区中，在形成保护层后，蚀刻栅极介电层，以形成晶体管的第一栅极介电层及第二栅极介电层于半导体基材的晶体管区中，移除保护层，分别形成第一虚设栅...

本文的实施例公开了用于堆叠半导体结构并且特别是用于具有高电压器件的堆叠半导体结构的沟槽隔离连接件。示例性堆叠器件装置包括具有第一器件的第一器件衬底以及具有第二器件的第二器件衬底。设置在第二器件衬底中的隔离结构围绕第二器件。隔离结构穿过第...

方法包括：形成从衬底突出的半导体鳍；横跨半导体鳍形成伪栅极结构；使邻近伪栅极结构的区域中的半导体鳍凹进以形成凹槽；在凹槽中生长外延部件以完全覆盖半导体鳍的暴露在凹槽中的端部；修整外延部件以减小外延部件的宽度以再次暴露半导体鳍的端部的位于...

在制造半导体器件的方法中，形成鳍结构，在鳍结构中，第一半导体层和第二半导体层交替地堆叠在衬底上方，蚀刻鳍结构的源极/漏极区域，从而形成源极/漏极间隔，横向蚀刻源极/漏极间隔中的第一半导体层的端部，在源极/漏极间隔的侧壁上形成第一绝缘层，...

一种实施例是一种集成电路封装件，包括封装组件，该封装组件包括集成电路管芯和连接到集成电路管芯的导电连接器，导电连接器设置在封装组件的第一侧处。该集成电路封装件还包括位于封装组件的第二侧上的金属层，第二侧与第一侧相对。该集成电路封装件还包...

提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电...

本发明的实施例提供了一种器件，包括衬底，以及衬底中的第一阱区，第二阱区和伪区，其中伪区是位于第一阱区和第二阱区之间的非功能区。第一阱区被配置为接收第一电压，第二阱区被配置为接收不同于第一电压的第二电压。该器件还包括有源区，该有源区延伸穿...

本发明涉及图像传感器集成芯片(IC)。图像传感器IC包括布置在位于衬底第一侧上的层间介电(ILD)结构内的一个或多个互连件。图像感测元件布置在衬底内。衬底的侧壁形成一个或多个沟槽，该一个或多个沟槽从衬底的第二侧延伸至位于图像感测元件相对...