在实施例中，器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一纳米结构，位于隔离区域之上；第二纳米结构，位于隔离区域之上；第一栅极间隔件，位于第一纳米结构上；第二栅极间隔件，位于第二纳米结构上；介电壁，在顶视图中沿着第一方向位于第一栅极间隔件和第二栅...

本揭示内容描述一种半导体结构及其制造方法，特别是具有异质结构通道层的半导体结构。该半导体结构包括基板及位于基板上的鳍片结构。该鳍片结构包括通道层及位于通道层与基板之间的底层。该通道层包括位于该底层顶部的第一部分、第二部分及第三部分。该第...

一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一纳米结构的第一垂直堆叠件；与第一垂直堆叠件相邻的第二纳米结构的第二垂直堆叠件；以及与第一纳米结构相邻的第一栅极结构。第一栅极结构包括位于第一纳米结构之间的第一栅极部分，以及从第一栅极部分的第一侧壁延...

一种集成电路(IC)，具有一或多个解耦合电容器(DCAP)单元，该一或多个解耦合电容器单元的每一者包含一或多个聚硅层，以及一或多个聚硅(PO)层开口，形成在一或多个聚硅层上。一或多个解耦合电容器单元亦提供了集成电路的解耦合电容器。耦合电...

在各种实施例中提供一种记忆体阵列及记忆体装置。在那些实施例中，记忆体装置具有包括多层椭圆临限值切换(OTS)材料的OTS选择器，以实现用于OTS选择器的低漏电流及相对低的临限值电压。多层可以具有至少一层低带隙OTS材料及至少一层高带隙O...

一种半导体装置结构的形成方法。在具有形成于其中的导体部件的半导体结构上形成第一与第二蚀刻停止层。在第二蚀刻停止层上形成介电层，在介电层上形成包括钨基材料的硬掩模并将其图形化。在图形化的硬掩模的上方形成阻剂层。使用图形化的阻剂层作为掩模而...

一种半导体装置及其形成方法，形成一半导体装置的方法包括：在一基板上方形成一电子元件；在该电子元件上方形成一第一绝缘层；形成一接点插塞，该接点插塞延伸穿过该第一绝缘层至该电子元件，其中该接点插塞包括由一导电材料形成的一第一部分及设置于该第...

本公开涉及晶体管栅极隔离结构及其形成方法。提供了晶体管栅极隔离结构及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：隔离区域；第一栅极结构，位于所述隔离区域上；第二栅极结构，位于所述隔离区域上；以及栅极隔离结构，在第一截面中位于所述第一栅极结构和...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。描述了一种半导体器件结构以及形成这种结构的方法。该结构包括设置在半导体衬底之上的鳍，并且所述鳍具有第一宽度。该结构还包括设置在鳍周围的隔离区域，设置在鳍和隔离区域之上的栅极电极，以及设置在栅极电极中...

本申请公开了太阳能电池和图像传感器的集成。本公开提供了一种具有太阳能电池和图像传感器阵列的集成电路(IC)结构。根据本公开的集成电路结构包括：第一衬底，包括多个光电二极管；互连结构，设置在第一衬底上；第一接合层，设置在互连结构上；第二接...

本申请公开了半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成薄膜欧米茄晶体管，其包括：在电介质层之上形成栅极鳍，在栅极鳍的侧壁和顶表面上形成栅极电介质，以及在栅极电介质之上沉积氧化物半导体层。栅极鳍、栅极电介质和氧化物半导体层共同形成鳍结构。...

本发明的实施例涉及一种包括衬底以及形成在衬底中的源极和漏极区的存储器件及其形成方法。存储器件包括形成在衬底上并且在源极和漏极区之间的栅极电介质。存储器件还包括形成在栅极电介质上的栅极结构，并且栅极结构具有平坦的顶面。该存储器件还包括具有...

本申请涉及一种炉管装置，炉管装置包括反应容器、收集容器以及温控组件，温控组件包括连接管、温控部、第一采集部以及第一控制器，温控部包覆于连接管，第一采集部镶嵌于温控部内并被配置为采集连接管的第一温度信息，第一控制器被配置为根据第一温度信息...

本发明的实施例提供了一种形成集成电路(IC)的方法，包括生成第一电路的网表、生成第一电路的第一单元布局、通过自动布局布线(APR)工具将第一单元布局放置在布局设计的第一区域中。第一电路被配置为非功能电路。第一电路包括彼此电断开的第一引脚...

公开了形成用于在衬底的前侧和衬底的背侧之间提供连接的通孔的方法，以及包括该通孔的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括：栅极结构，位于衬底上；第一隔离部件，部分地延伸穿过栅极结构；第一导电部件，延伸穿过第一隔离部件；以及第二导电部件...

一种形成半导体封装件的方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆，其中第一晶圆包括多个电子管芯，第二晶圆包括多个光子封装件；在接合第一晶圆后，在第二晶圆的多个光子管芯的相邻光子管芯之间形成沟槽；用光学胶填充该沟槽。切割第一晶圆和第二晶圆，以形成多...

本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括第一封装组件，该第一封装组件包括：集成电路管芯；围绕集成电路管芯的密封剂；扇出结构，电连接至集成电路管芯，其中，在横截面视图中，第一开口完全延伸穿过扇出结构并且至少部分地穿过密封剂，并且在顶视图...

半导体结构包括传感器晶圆，该传感器晶圆包括位于衬底上和衬底内的多个传感器芯片。多个传感器芯片中的每个包括像素阵列区域、接合焊盘区域和外围区域。相邻的外围区域之间设置划线，并且划线位于多个传感器芯片的相邻的传感器芯片之间。多个传感器芯片中...

根据本发明的实施例形成存储器器件的方法包括：在第一晶圆的第一衬底中形成沟槽；在沟槽中沉积数据存储元件；对第一晶圆实施热处理以改进数据存储元件中的结晶；在第一衬底上方形成第一再分布层；在第二晶圆的第二衬底中形成晶体管；在第二衬底上方形成第...

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在半导体衬底上方形成多个介电层，在多个介电层中形成多个金属线和通孔，形成延伸到多个介电层中的内密封环的下部部分和外密封环的下部部分，在多个金属线和通孔上方沉积第一介电层，并且蚀刻第一介...