半导体器件及其形成方法技术

公开了形成用于在衬底的前侧和衬底的背侧之间提供连接的通孔的方法，以及包括该通孔的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括：栅极结构，位于衬底上；第一隔离部件，部分地延伸穿过栅极结构；第一导电部件，延伸穿过第一隔离部件；以及第二导电部件，部分地延伸穿过栅极结构，第二导电部件电连接至第一导电部件。本发明专利技术的实施例还涉及形成半导体器件的方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数码相机、和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或者介电层、导电层、和半导体材料层，并且使用光刻技术对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件，来制造半导体器件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小特征尺寸，来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多的组件集成至给定的区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了需要解决的其他问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：栅极结构，位于衬底上；第一隔离部件，部分地延伸穿过栅极结构；第一导电部件，延伸穿过第一隔离部件；以及第二导电部件，部分地延伸穿过栅极结构，其中，第二导电部件电耦接至第一导电部件。
[0005]本专利技术的另一实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；第一源极/漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：栅极结构，位于衬底上；第一隔离部件，部分地延伸穿过所述栅极结构；第一导电部件，延伸穿过所述第一隔离部件；以及第二导电部件，部分地延伸穿过所述栅极结构，其中，所述第二导电部件电耦接至所述第一导电部件。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部件延伸穿过所述衬底。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部件延伸穿过位于所述衬底上的浅沟槽隔离区。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部件包括阻挡层和位于所述阻挡层上的导电填充材料，其中，所述阻挡层的侧面与所述第一隔离部件的侧面对准。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部件在截面图中呈T形，并且其中，所述第一隔离部件的第一宽度小于所述第二导电部件的第二宽度。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部件与所述第一导电部件的侧面物理接触。7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：浅沟槽隔离结构，位于所述衬底上；第一层间电介质，位于所述浅沟槽隔离结构上；以及第二层间电介质，位于所述第一层间电介质上，其中，所述第二导电部件延伸穿过所述浅沟槽隔离结构，并且部分地穿过所述第一层间电介质，并且其中，所述第一导电部件延伸穿过所述第二层间电介质，并且部分地穿过所述第一层间电介质。8.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：游力蓁，苏焕杰，黄麟淯，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：