一种模拟至数字转换装置与偏移校正方法。模拟至数字转换装置包含N级第一模拟至数字转换器(ADC)、第二ADC、校正电路、数据恢复电路与输出电路。N级第一ADC以第一取样频率时间交错转换输入信号为多级第一量化输出。第二ADC以第二取样频率转...

本实用新型实施例公开一种垂直光栅耦合器。所述光栅耦合器包含具有第一光栅的第一波导、具有第二光栅的第二波导及定位于所述第一波导与所述第二波导之间的电介质层。所述第一光栅包含由多个第一光栅间隙分离的多个第一光栅脊，且所述第二光栅包含由多个第...

本公开提出一种存储器结构。存储器单元阵列包括存储器单元和在第一方向上延伸的第一N型井。存储器结构还包括形成在存储器结构的外围区中的第二N型井。第二N型井在第二方向上延伸，并且与第一N型井的一个接触。存储器结构还包括形成在第二N型井中的拾...

本实用新型实施例提供一种半导体测试器件，其包括用于测试的多个器件使用一个或多个重分布层串联，并用于对多个管芯进行半导体器件测试。如此，半导体器件测试可以支持数以千计或更多的每晶片总管芯数(例如，10,000个管芯或更多大)。此外，重分布...

一种集成电路设计优化的装置及存储集成电路设计指令的装置。在一个实施例中，所述装置包括一或多个处理器，所述一或多个处理器被配置成：接收包括数字子系统及模拟子系统的集成电路的电路设计；合成用于所述数字子系统的第一硬件描述语言网络连线表；基于...

本公开提供一种半导体结构。在一个实施例中，例示性半导体结构包括：第一多个通道构件位于基板上方；第二多个通道构件位于基板上方；第三多个通道构件位于基板上方；栅极结构包绕(wrapping around)第一多个通道构件、第二多个通道构件及...

本文所描述的一些实施例提供一种沉积工具，包括一接地构件，在基板平台的边缘环与抽吸盘构件之间。接地构件包括一接地带，具有变形区域。变形区域包括一凹陷边缘以减少沉积工具的操作期间接地带摩擦抽吸盘构件表面的可能性。接地带的材料性质可减少重复循...

一种半导体结构，在沉积钌之后，退火金属栅极及/或中段结构的钌以减少甚至消除缝隙。由于退火减少或移除沉积的钌中的缝隙，金属栅极及/或中断结构的电阻降低而增加电性效能。此外对金属栅极而言，退火可产生更一致的沉积轮廓，其可使时间控制的蚀刻工艺...

本实用新型涉及半导体装置，提供具有取代间隔物结构的装置与形成这样的装置的方法。此方法包含形成初始间隔物结构，其中此初始间隔物结构具有用于选定的蚀刻剂的初始蚀刻速率。此方法更包含去除初始间隔物结构的一部分，其中不去除初始间隔物结构的剩余部...

本实用新型提供一种包括芯片堆叠结构、热增强组件及第一绝缘包封体的具有热增强性能的封装结构。热增强组件堆叠在芯片堆叠结构之上并热耦合到芯片堆叠结构，其中热增强组件的第一侧向尺寸大于芯片堆叠结构的第二侧向尺寸。第一绝缘包封体侧向地包封热增强...

本实用新型提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：第一半导体晶粒，包括衬底及形成于衬底的前侧处的晶体管；配电网路，在衬底的背侧处散布且穿透过衬底，以向晶体管提供电源信号及接地信号；介电材料，在侧向上环绕第一半导体晶粒；以及第二半导体晶粒...

本实用新型提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：第一半导体晶粒，包括衬底及形成于衬底的前侧处的晶体管；配电网路，在衬底的背侧处散布且穿透过衬底，以向晶体管提供电源信号及接地信号；介电材料，在侧向上环绕第一半导体晶粒；以及第二半导体晶粒...

本实用新型的各种实施例是有关于一种集成芯片(IC)，所述集成芯片包括衬底。所述衬底上设置有多个粘合结构。所述粘合结构上设置有微机电系统(MEMS)结构。所述MEMS结构包括设置于空腔内的可移动器件。所述可移动器件与所述衬底之间设置有第一...

本实用新型的各种实施例是有关于一种集成芯片(IC)，所述集成芯片包括衬底。所述衬底上设置有多个粘合结构。所述粘合结构上设置有微机电系统(MEMS)结构。所述MEMS结构包括设置于空腔内的可移动器件。所述可移动器件与所述衬底之间设置有第一...

本实用新型与集成芯片相关，集成芯片包括覆盖衬底的第一介电层和在第一介电层内的第一导电互连线。接合层在第一介电层上方。接合层包括接合介电层和在接合介电层中的接合互连线。第一带电介电层在沿第一介电层的底部。第二带电的介电层在沿第一介电层的顶...

本实用新型与集成芯片相关，集成芯片包括覆盖衬底的第一介电层和在第一介电层内的第一导电互连线。接合层在第一介电层上方。接合层包括接合介电层和在接合介电层中的接合互连线。第一带电介电层在沿第一介电层的底部。第二带电的介电层在沿第一介电层的顶...

一种半导体装置包含一通道区、一栅极介电层、一栅电极层、多个栅极侧壁间隔物以及一源极及一漏极。栅极介电层位于通道区上方。栅电极层位于栅极介电层上方。栅电极层及栅极介电层位于该些栅极侧壁间隔物之间。在沿源极至漏极方向的一横截面中，该些栅极侧...

一种半导体装置包含一通道区、一栅极介电层、一栅电极层、多个栅极侧壁间隔物以及一源极及一漏极。栅极介电层位于通道区上方。栅电极层位于栅极介电层上方。栅电极层及栅极介电层位于该些栅极侧壁间隔物之间。在沿源极至漏极方向的一横截面中，该些栅极侧...

一种芯片封装结构包括：组合件，含有中介物及半导体管芯；封装基底，经由焊料材料部分贴合至组合件；以及盖结构，贴合至封装基底。盖结构包括：第一板部分，具有第一厚度且位于在平面图中与中介物具有区域交叠的中介物投影区中；第二板部分，具有小于第一...

一种芯片封装结构包括：组合件，含有中介物及半导体管芯；封装基底，经由焊料材料部分贴合至组合件；以及盖结构，贴合至封装基底。盖结构包括：第一板部分，具有第一厚度且位于在平面图中与中介物具有区域交叠的中介物投影区中；第二板部分，具有小于第一...