半导体封装制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：第一半导体晶粒，包括衬底及形成于衬底的前侧处的晶体管；配电网路，在衬底的背侧处散布且穿透过衬底，以向晶体管提供电源信号及接地信号；介电材料，在侧向上环绕第一半导体晶粒；以及第二半导体晶粒，具有与第一半导体晶粒接合的中心部分及与介电材料接触的周边部分。的周边部分。的周边部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装


[0001]本技术涉及一种半导体封装。

技术介绍

[0002]长久以来，制作具有更强计算能力且更小的装置是构建集成电路的目标。集成电路包括电源连接及接地连接。通常，电源信号及接地信号经由嵌置于位于胞元中的装置之上的金属化层堆叠中的电源轨条而提供至所述装置。通过此种方式，电源信号及接地信号必须经由延伸穿过金属化层堆叠的长路径而提供至胞元。另外，由于电源轨条被设计于原本就已经非常拥挤的胞元布线区域(routing area)中，因此电源轨条可能会是阻止胞元的进一步微缩的因素之一。

技术实现思路

[0003]在本技术的一个态样中，提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：半导体晶粒；介电材料；衬底穿孔；以及重布线结构。所述半导体晶粒包括：衬底；晶体管，形成于衬底的前侧处；金属化层，覆盖晶体管；以及电源轨条，自衬底的前侧延伸至所述衬底中，且通过金属化层中的导电特征电性连接至晶体管。介电材料在侧向上环绕所述半导体晶粒，且具有与衬底的背表面实质上共面的表面。衬底穿孔自衬底的背侧延伸至所述衬底中，且与电源轨条电性连接。重布线结构覆盖衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：半导体晶粒，包括：衬底；晶体管，设置于所述衬底的前侧处；金属化层，设置于所述晶体管上方；以及电源轨条，设置于所述衬底中且邻近于所述衬底的所述前侧，且通过所述金属化层中的导电特征电性连接至所述晶体管；介电材料，与所述半导体晶粒侧向接触，且具有与所述衬底的背表面实质上共面的表面；衬底穿孔，设置于所述衬底中且邻近于所述衬底的背侧，且与所述电源轨条电性连接；以及重布线结构，覆盖所述衬底的所述背表面及所述介电材料的所述表面，且具有电性连接至所述衬底穿孔的重布线元件。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述介电材料具有与所述半导体晶粒的前表面实质上共面的另一表面。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括延伸穿过所述介电材料的介电穿孔。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述介电穿孔相对于所述衬底的所述背表面而突出。5.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述介电穿孔的端面与所述衬底穿孔的背离所述电源轨条的表面实质上共面。6.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述介电穿孔相对于所述衬底穿孔的背离所述电源轨条的表面而突出。7.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述重布线结构包括介电层堆叠，所述重布线元件散布于所述介电层堆叠中，所述介电穿孔穿透过所述介电层中最靠近所述介电材料的第一介电层，且终止于所述介电层中的所述第一介电层与第二介电层之间的介面处。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层将所述衬底与所述重布线结构分隔开，且在所述介电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭鸿毅，谢政杰，余国宠，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：