本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成包括光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射。在将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射之后，加热光致抗蚀剂层。在...

本发明的实施例提供了一种用于货物转移的系统，该系统包括：第一自动物料搬送系统(AMHS)，所述第一自动物料搬送系统包括：第一架空转移(OHT)轨道，以及第一车辆，沿着所述第一架空转移轨道可移动，其中，所述第一车辆可操作以同时运载所述第一...

本申请的实施例提供了一种光学器件及其操作方法。光学器件包括具有第一半径的第一环形谐振器、具有第二半径的第二环形谐振器、以及并行馈送第一和第二环形谐振器的光波导。第一和第二环形谐振器被定位在光波导的相对侧上。第一和第二环形谐振器以及光波导...

根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性方法包括接收工件，该工件包括衬底上方的沟道区域、与沟道区域相邻的源极/漏极部件、在沟道区域上方的栅极结构以及源极/漏极部件上方的介电结构。该方法还包括形成穿透介电结构以...

本公开的各种实施例针对图像传感器。图像传感器包括接合到第二芯片的第一芯片。第一芯片包括半导体衬底。第一芯片包括第一晶体管单元和第二晶体管单元。第二晶体管单元与第一晶体管单元横向间隔开。第一衬底贯通孔(TSV)垂直延伸穿过半导体衬底。第一...

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。源极/漏极组件设置在有源区上方，并由介电材料围绕。源极/漏极接触件被设置在源极/漏极组件上方。源极/漏极接触件包括导电盖层和具有与导电盖层不同的材料组成的导电材料。导电材料具有与导电盖层直...

本公开涉及CMOS图像传感器。一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面；图像像素区域；以及黑色电平校准(BLC)区域，邻近图像像素区域。BLC区域包括：暗电流感测电路，包括设置在衬底中的光电二极管；第一密封环，设置在...

形成封装件的方法包括形成重建晶圆，形成重建晶圆包括在载体上方放置多个封装组件，在多个封装组件上方形成互连结构，并且互连结构电互连多个封装组件，在互连结构上方形成顶部电连接件，并且将顶部电连接件电连接至互连结构，以及在与顶部电连接件相同的...

提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底，衬底上的第一有源区、第二有源区和第三有源区，第一有源区域的沟道区上方的第一栅极结构，第二有源区域的沟道区上方的第二栅极结构，第三有源区域的沟道区上方的三栅极结构，第一栅极结构上方的第一帽...

本公开提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括具有沟道区和源极/漏极区的有源区、沟道区上方的栅极结构、设置在沟道区上并沿着栅极结构的侧壁延伸的栅极间隔件层、位于源极/漏极区上方的外延源极/漏极部件、其设置在外延源极/漏极...

提供了方法，方法包括沿开口的表面沉积催化剂层以及实施选择性增强工艺。选择性增强工艺改变金属组分在催化剂层的至少一个区域上的沉积速率。金属组分沉积在催化剂层上。示例性的选择性增强工艺包括自组装单分子层(SAM)、引入促进剂和/或引入抑制剂...

一种制造半导体器件的方法包括提供伪结构，该伪结构包括设置在衬底的前侧上方的多个沟道层、设置在多个沟道层的相邻沟道之间以及沟道层的横向端部处的内部间隔件、以及介于多个沟道层之间的栅极结构。伪结构设置在与有缘区域相邻的有源边缘处。执行蚀刻工...

本发明的实施例针对用于宽带隙半导体器件的三维(3D)半导体结构，其中，宽带隙半导体器件在第一IC管芯和第二IC管芯之中分开。第一IC管芯包括第一衬底和第一半导体器件。第一衬底包括第一宽带隙材料，并且第一半导体器件位于第一衬底上面，并且部...

本发明提供一种捕获电阻电压降的分析器以及其分析方法被提出。捕获电阻电压降的分析方法包括：接收电路的电路布局信息以及封装模型信息；根据电路布局信息以及封装模型信息以解析出电路中的多个凸点电流源分别对应的多个电路区块；根据各凸点电流源以及对...

本公开的实施例描述了具有隔离结构的半导体结构。半导体结构包括：纳米结构组，位于衬底上；栅极介电层，包裹纳米结构组；功函金属层，位于栅极介电层上和纳米结构组周围；以及隔离结构，与纳米结构组相邻并且与功函金属层接触。功函金属层的部分位于隔离...

本发明提供一种芯片功率消耗的分析器及其分析方法。芯片功率消耗的分析方法包括：接收电路的设计信息；基于设计信息，计算电路中的多个电路组件的多个时钟到达时间，根据时钟到达时间以在多个组件类型中设定基本组件类型；建立基本组件类型的基本需求电流...

一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：对应地包括在邻接第一和第二模拟单元区中的第一有源区和第二有源区(AR)，第一和第三模拟单元区邻接的区域(模拟单元边界(ACB)区域)从第一AR的顶部边界附近延伸到第二AR的底部边界附近；通孔

半导体装置包含多个鳍结构，设置于基底上方，以及功函数合金层，设置于多个鳍结构的每一者上方，多个鳍结构包含第一鳍结构及第二鳍结构，功函数合金层的第一部分中的第一元素的含量不同于功函数合金层的第二部分中的第一元素的含量，第一部分设置于第一鳍...

本公开涉及匹配工具的系统及方法。在一种匹配工具的方法中，判断至少两个曝光机工具的至少两个光学系统的多个像差映图。借由使用至少两个曝光机工具中的每一者的光学系统将第一布局图案分别投影至基板，以产生光阻图案。基于所判断的至少两个光学系统的像...

本公开的实施例关于一种操作方法，借由改造一等离子体处理系统的一或多个部件，操作等离子体处理系统。操作方法包括从等离子体处理系统的一气体供应机构移除一保持器。保持器包括一气体注射器，配置以将从一气体源接收的气体提供到等离子体处理系统的一等...