半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置包含多个鳍结构，设置于基底上方，以及功函数合金层，设置于多个鳍结构的每一者上方，多个鳍结构包含第一鳍结构及第二鳍结构，功函数合金层的第一部分中的第一元素的含量不同于功函数合金层的第二部分中的第一元素的含量，第一部分设置于第一鳍结构上方，第二部分设置于第二鳍结构上方。第二部分设置于第二鳍结构上方。第二部分设置于第二鳍结构上方。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本公开实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]本文有关于半导体装置，且特别是有关于制造非平面晶体管的方法。
[0003]由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度的不断改善的缘故，半导体产业已经历了快速成长。大多数情况下，集成密度的改善来自最小化部件尺寸的不断缩小，这允许更多组件整合至给定区域中。
[0004]鳍式场效晶体管(Fin Field
‑
Effect Transistor，FinFET)装置在集成电路中得到普遍应用。鳍式场效晶体管装置具有三维结构，三维结构包括从基底突出的鳍。被配置来控制鳍式场效晶体管装置的导电通道中的电荷载子的流动的栅极结构环绕鳍。举例来说，在三栅极鳍式场效晶体管装置中，栅极结构环绕鳍的三个面，进而在鳍的三个面上形成导电通道。

技术实现思路

[0005]在一些实施例中，提供半导体装置，半导体装置包含多个鳍结构，设置于基底上方；以及功函数合金层，设置于多个鳍结构的每一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：多个鳍结构，设置于一基底上方；以及一功函数合金层，设置于该多个鳍结构的每一者上方，其中该功函数合金层的一第一部分中的一第一元素的含量不同于该功函数合金层的一第二部分中的该第一元素的含量。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该功函数合金层的一第三部分中的该第一元素的含量不同于该功函数合金层的该第一部分中的该第一元素的含量及该功函数合金层的该第二部分中的该第一元素的含量。3.一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成多个鳍结构；在该多个鳍结构的每一者上方沉积一功函数合金层，该功函数合金层包含一第一元素；在该多个鳍结构的每一者上方的除了该功函数合金层的一第一部分之外的该功函数合金层的一部分上方形成一第一保护层；以及降低该功函数合金层的该第一部分中的该第一元素的含量。4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中该第一元素为一可蚀刻元素，且降低该功函数合金层的该第一部分中的该第一元素的含量的步骤包括湿蚀刻该功函数合金层的该第一部分。5.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，更包括：移除该第一保护层。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该多个鳍结构更包括至少一第一鳍结构及至少一第二鳍结构，其中该功函数合金层的该第一部分在该至少一第一鳍结构上方，且其中半导体装置的制造方法更包括：在除了该功函数合金层的一第二部分之外的该多个鳍结构中的每一者上方的该功函数合金层的一部分上方形成一第二保护层，该第二部分在该至少一第二鳍结构之上；以及降低该功函数合金层的该第二部分中的该第一元素的含量，其中该功函数合金层的该第二部分中的该第一元素降低的含量不同于该功函数合金层的该第一部分中的该第一元素降低的含量。7.如权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘育麒，林冠玮，林群能，汪于仕，叶明熙，黄国彬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：