本公开的实施例提供了用于集成电路设备的冷却系统

一种制造半导体结构的方法包括形成从衬底向上延伸的半导体鳍；形成延伸跨过半导体鳍的栅极条；在半导体鳍上和栅极条的相对侧处形成源极/漏极区域；在所述栅极条的侧壁上形成栅极间隔件；在栅极间隔件上形成薄膜层；对栅极条执行蚀刻工艺，以将栅极条分为...

半导体器件包括衬底、设置在衬底上方的一个或多个布线层、设置在一个或多个布线层上方的钝化层、设置在钝化层上方的第一导电层、设置在第一导电层上方的第二导电层、形成在第一导电层和第二导电层中的隔离结构，以隔离第一导电层和第二导电层的部分，以及...

本实用新型提供一种半导体结构。一种半导体结构，包括第一介电层，电极，第二介电层以及相变化材料。电极位于所述第一介电层内。第二介电层位于所述电极内。相变化材料上覆于所述第一介电层、所述电极和所述第二介电层。所述电极的最上层表面至少位于以下...

一种半导体装置，此处所述的一些实施方式提供纳米结构晶体管，其包括内侧间隔物位于栅极结构与源极/漏极区之间。在制作纳米结构晶体管时形成于牺牲纳米片的末端区的空洞中的内侧间隔物，包括面向源极/漏极区的凹入区。形成技术包括形成牺牲纳米片与内侧...

一种半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第二晶体管的第三源极/漏极结构及第四源极/漏极结构。此第二源极/漏极结构及此第三源...

一种半导体装置结构，包括源极/漏极结构，位于基板上；多个半导体层位于基板上；栅极层围绕半导体层各自的一部分；栅极介电层接触栅极层；以及盖层。盖层具有第一部分位于半导体层与源极/漏极结构之间；以及第二部分自第一部分的两端向外延伸。半导体装...

一种半导体装置及晶体管装置，半导体装置包括一基底半导体结构、图案化介电层以及金属互连结构。基底半导体结构具有一顶部介电层及设置在该顶部介电层中的一或多个金属接触结构；一图案化介电层位于该顶部介电层上，且该图案化介电层包括通过一间隙区域分...

本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括第一导电层，覆盖第一绝缘层，其中第一导电层包括第一区域以及与第一区域分隔的第二区域。第一介电层覆盖第一导电层的第一区域以及第二区域。第二导电层覆盖第一导电层的第一区域的第一部分。第二介电层覆...

本公开实施例提出一种半导体装置。半导体装置可包括一或多种装置种类，比如静态随机存取存储器装置种类、环形振荡器装置种类及/或输入/输出装置种类。装置种类可包括n型金属氧化物半导体纳米结构晶体管与p型金属氧化物半导体纳米结构晶体管。在此例中...

一种使用带电粒子束观察样品的装置，包括配置为产生和引导离子束的离子束柱、配置为产生并引导电子束的电子束柱、用于容纳样品的真空室以及定位在真空室中的探针。探针被配置为在样品和电源之间提供电连接。本申请的实施例还公开了一种用于带电粒子束显微...

本文公开了用于改进层间介电

本申请的实施例提供了一种触发器及其制造方法。触发器包括在第一方向上延伸并且位于衬底的第一层级上的第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区。第一有源区对应于第一类型的第一组晶体管。第二有源区对应于不同于第一类型的第二类型的第二组晶体...

一种形成封装件的方法包括将可渗透板附接至金属盖，可渗透板包括金属材料，以及将包括液态金属的介质分配至第一封装组件。第一封装组件位于第二封装组件上方并且接合至第二封装组件。包括液态金属的介质中包括液态金属。该方法还包括将金属盖附接至第二封...

本申请提供半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：位于半导体衬底之上的源极/漏极区域；位于源极/漏极区域之上的电介质层，该电介质层包括第一电介质材料；位于所述电介质层之上的层间电介质，该层间电介质包括第二电介质材料和杂质，...

本公开的各种实施例针对包括阻挡层的存储器单元，该阻挡层被配置为阻挡金属从存储器单元的电极向存储器单元的铁电层的扩散。更具体地，阻挡层和铁电层位于存储器单元的顶部电极和存储器单元的底部电极之间，两者都包括金属。此外，阻挡层位于铁电层和电极...

本公开涉及具有增强防伪特征的光学指纹传感器。公开了一种图像感测装置。该图像感测装置包括像素阵列和被设置在像素阵列上方的微透镜。像素阵列包括被配置为采集指纹的细节点的感测像素和被配置为提供定位码的定位像素。素。素。

本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上方的介电结构内的下部电极。铁电数据存储结构设置在下部电极上方，并且上部电极设置在铁电数据存储结构上方。一个或多个受应力的侧壁间隔件布置在上部电极的相对侧上。铁电数据存储结构具有从一个或多个受应...

一种半导体器件的测试线结构，包括衬底层、位于衬底层顶部上的前侧绝缘层、位于衬底层下方的背侧绝缘层、以及垂直地延伸穿过前侧绝缘层、衬底层和背侧绝缘层的探针焊盘结构。探针焊盘结构包括位于前侧绝缘层中的前侧探针焊盘和位于背侧绝缘层中的背侧探针...

本公开提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括：形成第一电容器电极；在所述第一电容器电极上形成第一阻氧层；在所述第一阻氧层上形成电容器绝缘体层；在所述电容器绝缘体层上形成第二阻氧层；在所述第二阻氧层上形成第二电容器电极；以及形成电耦合...