一种存储器器件，包括形成为存储器阵列的多个一次性可编程(OTP)存储器单元。多个OTP存储器单元中的每个包括彼此串联电耦合的晶体管和金属结构，并且多个OTP存储器单元形成在衬底的第一侧上。存储器器件包括加热器结构，该加热器结构设置在衬底...

提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括第一组半导体层与第一栅极电极层。第一组半导体层设置在基板之上，包括多个垂直排列的第一半导体层。第一栅极电极层围绕第一组半导体层中的每个第一半导体层。第一栅极电极层包括设置在相邻第一半导体...

本公开涉及用于多栅极器件的栅极轮廓调整。本文公开了栅极轮廓调整技术。示例性栅极轮廓调整方法包括在沟道层之上形成栅极结构。栅极结构包括虚设栅极和沿着虚设栅极的侧壁设置的栅极间隔件。该方法还包括部分地去除虚设栅极以形成限定栅极轮廓的栅极开口...

一种半导体封装装置及其半导体配线板，半导体配线板包含一第一线路层

一种基板限制组件及门板装置，门板装置包含门体以及基板限制组件。基板限制组件设置于门体的一侧。基板限制组件包含限制器本体以及多个限制件。限制件设置于限制器本体上，并呈间隔排列。每一限制件包含两弹性臂以及夹持结构。夹持结构包含夹持本体、夹持...

本实用新型提供一种用于使半导体芯片处理合格的光学检查设备，包括：照明模块、收集模块及图像处理器。照明模块产生具有处于第一波段及第二波段中的波长的光源光对半导体芯片进行照明。收集模块包括第一图像传感器及第二图像传感器，第一图像传感器接收自...

一种半导体结构包括：逻辑管芯；存储器管芯堆叠，藉由第一氧化物结合件结合至逻辑管芯，且包括藉由第一直接结合件结合于一起的第一对存储器管芯；以及第一硅穿孔(TSV)，位于逻辑管芯中且延伸穿过第一氧化物结合件且将逻辑管芯电性连接至第一对存储器...

一种半导体装置，包括多个纳米结构、设置在多个纳米结构的各个纳米结构上的一栅极介电层、设置在栅极介电层及多个纳米结构上的一栅极电极，以及相邻于纳米结构的一源极/漏极区。源极/漏极区包括一外延结构，包括一多边形上部及一个柱形下部，其中多边形...

本实用新型提供一种内存器与集成电路。本实用新型提供一种内存器与集成电路。本实用新型提供一种内存器与集成电路。

半导体装置包含设置在基底上方的通道构件的垂直堆叠，栅极结构包含包覆环绕通道构件的垂直堆叠的每个通道构件的第一部分和直接设置在通道构件的垂直堆叠上方的第二部分。栅极结构包含栅极介电层和设置在栅极介电层上方的功函数层。半导体装置也包含直接设...

本揭露的各种实施例提供一种存储器装置及其形成方法。在一实施例中，提供一种存储器装置。存储器装置包括：第一氧化物材料，具有第一侧壁及第二侧壁；第一间隔件层，接触第一氧化物材料的第一侧壁，第一间隔件层具有第一导电类型；第二间隔件层，接触第一...

一种半导体装置，包括多个半导体片或半导体线，位于从基板上突出的底部鳍片结构上；源极/漏极外延层，与半导体片或半导体线接触；栅极介电层，设置在半导体片或半导体线的每一个通道区上，并包绕半导体片或半导体线的每一个通道区；栅极电极层，设置在栅...

本实用新型提供一种集成电路封装，包括：封装衬底；中介层，具有键合至封装衬底的第一侧；第一管芯，键合至中介层的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；环，位于封装衬底上，其中所述环环绕第一管芯及中介层；模制化合物，设置于所述环与第一管芯之间，...

本实用新型提供一种集成电路(IC)，所述集成电路包括设置于半导体衬底上的第一半导体装置及第二半导体装置。第一半导体装置包括第一闸极结构、第一源极区及第一汲极区。第一源极区及第一汲极区设置于第一阱区中。第二半导体装置包括第二闸极结构、第二...

本文公开了涉及用于感测温度的一种温度量测装置。一方面，装置包括第一电阻，包括第一层中的第一金属轨。第一金属轨可具有第一热阻系数。一方面，装置包括第二电阻，包括沿着一方向在第一层上方的第二层中的第二金属轨。第二金属轨可具有第二热阻系数。一...

本实用新型提供一种感测放大器，包括：第一对晶体管，具有栅极端子、耦合至第一电源供应端子的源极端子、以及漏极端子，所述栅极端子分别耦合至用于接收第一输入信号的第一输入端子及用于接收第二输入信号的第二输入端子。感测放大器也包括：第二对晶体管...

在实施例中，集成电路封装件包括：第一集成电路管芯，包括第一器件层和第一前侧互连结构，第一前侧互连结构包括互连第一器件层的第一器件的第一互连件；第二集成电路管芯，包括第二器件层和第二前侧互连结构，第二前侧互连结构包括互连第二器件层的第二器...

一种测试设备、测试系统，以及测试方法。测试设备包含测试工具的插座用以提供测试信号。受测装置(DUT)板用以提供电气路由。集成电路(IC)晶粒安置在该插座与该DUT板之间。该些测试信号通过该DUT板电气地路由至该IC晶粒。该IC晶粒包括基...

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括形成电感器管芯，其包括在衬底上方形成金属通孔，形成环绕金属通孔的磁性外壳，金属通孔和磁性外壳共同地形成电感器，以及在磁性外壳周围沉积介电层。该方法还包括将电感器管芯放置在载体上方，将电...

本申请提供了图像传感器结构及其形成方法。公开了一种半导体结构。该半导体结构包括被深沟槽隔离结构隔离的多个像素和相邻像素。在实施例中，一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上外延生长p型半导体层；在p型半导体层之上外延生长n型半导体层；在n...