方法包括：形成设置在衬底上的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍上方形成栅极结构；在第一鳍上外延生长第一源极/漏极(S/D)部件，并且在第二鳍上外延生长第二S/D部件；沉积覆盖第一S/D部件和第二S/D部件的介电层；蚀刻介电层以形成暴露第一...

本公开的实施例提供了一种集成电路的布局设计方法，该方法包括接收电路布局，该电路布局包括将在集成电路

形成半导体结构的方法包括提供其上形成有源极/漏极部件和栅极结构的半导体衬底；在半导体衬底上形成层间介电层；图案化层间介电层以形成沟槽来将源极/漏极部件暴露在沟槽内；在沟槽的侧壁上形成介电衬垫；在沟槽中填充金属层；使沟槽中的金属层的部分凹...

一种半导体器件，包括：纳米结构的第一堆叠件；纳米结构的第二堆叠件，与第一堆叠件水平偏移；第一源极/漏极区，邻接纳米结构的第一堆叠件；第二源极/漏极区，邻接纳米结构的第二堆叠件；壁结构，位于第一堆叠件与第二堆叠件之间并且与第一堆叠件的纳米...

方法包括在半导体衬底上方形成互连结构。互连结构包括多个介电层，并且互连结构和半导体衬底位于晶圆中。在互连结构上方形成多个金属焊盘。形成穿透晶圆的多个通孔。多个通孔包括穿透互连结构的顶部部分以及位于顶部部分下面并且连接至顶部部分的中间部分...

本发明的各个实施例针对图像传感器及其形成方法，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。光电探测器分别设置在多个像素区域内。浮动扩散节点沿着多个像素区域的中间区域处的衬底的前侧表面设置。多个阱区域设置在多个像素区域的拐角处的衬底内。...

本申请的各种实施例针对具有高全阱容量(FWC)的堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。第一集成电路(IC)芯片和第二IC芯片彼此堆叠。第一IC芯片包括第一半导体衬底，第二IC芯片包括第二半导体衬底。像素传感器位于第一IC芯片和...

本公开提供一种半导体结构。根据本公开的一个范例性半导体结构包括有源区，位于基板上方并且在第一方向上呈纵向指向；金属栅极堆叠，设置于有源区的通道区域上方，并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上呈纵向指向；多个源极/漏极特征，耦接至通道区域...

提供一种电容器装置，包括在电极上的应变层以及形成在应变层上的高介电常数介电层。应变层允许高介电常数介电层高度结晶而不需要额外的退火制程。高介电常数介电层的高度结晶导致介电常数值(k值)增加，进而提高金属绝缘体金属电容器中的电容密度。提供...

本实用新型实施例提供一种阻抗匹配电路。所述阻抗匹配电路包含经配置以产生参考电压的参考电压产生器。码产生器经配置以通过比较所述参考电压与相关联于第一节点的第一电压来产生第一校准码，且通过比较所述参考电压与相关联于第二节点的第二电压来产生第...

本揭露关于过滤器监测系统，用于监测过滤器的即时效率，以及用类似于过滤器的真实世界使用的测试来测试过滤器，以更新过滤器的技术规范。监测过滤器的即时效率的方法及系统可利用一或多个颗粒计数器以即时监测其效率。由颗粒计数器收集的数据可用于判定过...

本发明提供一种三芯片互补金属氧化物半导体影像传感器及用于形成影像传感器的方法。影像传感器包括第一芯片，第一芯片包括多个影像感测组件；转移晶体管及扩散阱对应于多个影像感测组件；接地节点由多个影像感测组件共享；以及深沟渠隔离结构自被共享的接...

本实用新型实施例提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，具有电路区及围绕所述电路区的密封环区；具有第一宽度W1的多个第一有源区，形成于电路区中；具有第二宽度W2的多个第二有源区，形成于密封环区中；多个第一栅极堆叠，在电路区中设置于...

本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括基底、位在基底上的晶体管结构、耦接到晶体管结构的内连线结构、具有第一顶部电极及第一底部电极的第一电容器以及具有第二顶部电极及第二底部电极的第二电容器，内连线结构包括第一金属线、位在与第一金属线相同...

本实用新型提供一种包括冷却系统的半导体封装，半导体封装可包括中介层、接合到中介层的一个或多个封装组件、中介层上的包封体、以及一个或多个封装组件上方的冷却系统。冷却系统可以包括在一个或多个封装组件的顶表面上的一个或多个金属层、一个或多个金...

本实用新型提供一种一种集成电路装置，包括第一位线结构。第一位线结构具有水平部分及垂直部分，其中垂直部分的上表面暴露出来以与接触件进行电性接触，接触件继而与金属图案电性接触，能够经由金属图案向第一位线结构施加操作电压。操作电压。操作电压。

本实用新型提供一种半导体结构。提供一种包括至少一个半导体管芯及中介层的组装件。提供一种包括衬底接合垫的封装衬底。封装衬底包括面对组装件的第一水平表面、位于第一水平表面的相对的侧上的第二水平表面、以及在第一水平表面与第二水平表面之间延伸的...

提供一种互连结构。互连结构包括：第一介电层；第一导电部件和第二导电部件，在第一介电层之中；第一介电部件，设置在第一导电部件正上方；第一蚀刻停止层，设置在第一介电层和第二导电部件上方；第一导电层，设置在第一介电部件上，并与第一介电部件接触...

多栅极半导体装置包含隔离部件，设置于基底上方，基底的顶部突出通过隔离部件；通道元件，设置于基底上方；第一介电部件及第二介电部件，设置于隔离部件上方，并将通道元件夹于中间；外延部件，邻接通道元件，并位于基底的顶部的顶表面正上方，基底的顶部...

本公开提供一种半导体装置。在一个实施例中，范例性的半导体装置包括设置于基板上方的多个通道构件的垂直堆叠；包裹环绕多个通道构件的垂直堆叠的每个通道构件的栅极结构；以及设置于基板上方并耦接至多个通道构件的垂直堆叠的源极/漏极特征，其中源极/...