半导体结构及其形成方法技术

形成半导体结构的方法包括提供其上形成有源极/漏极部件和栅极结构的半导体衬底；在半导体衬底上形成层间介电层；图案化层间介电层以形成沟槽来将源极/漏极部件暴露在沟槽内；在沟槽的侧壁上形成介电衬垫；在沟槽中填充金属层；使沟槽中的金属层的部分凹进，从而在金属层中形成凹槽；以及在凹槽中再填充介电材料层。本发明专利技术的实施例还提供了半导体结构。本发明专利技术的实施例还提供了半导体结构。本发明专利技术的实施例还提供了半导体结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
[0003]这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要在IC处理和制造方面进行类似的开发。例如，随着IC部件尺寸不断缩小，多层互连(MLI)部件变得更加紧凑，MLI部件的互连件表现出增加的接触电阻和各个导电层之间的不对准，这对性能、良率和成本提出了挑战。据观察，先进IC技术节点中的互连件所表现出的较高接触电阻会显著延迟(并且在一些情况下会阻止)信号有效地路由到IC器件(诸如晶体管)和从IC器件(诸如晶体管)路由，从而抵消了先进技术节点中这种IC器件的性能的任何改善。相应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：提供其上形成有源极/漏极部件和栅极结构的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介电层；图案化所述层间介电层以形成沟槽来将所述源极/漏极部件暴露在所述沟槽内；在所述沟槽的侧壁上形成介电衬垫；在所述沟槽中填充金属层；使所述沟槽中的所述金属层的部分凹进，从而在所述金属层中形成凹槽；以及在所述凹槽中再填充介电材料层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述金属层的所述部分凹进包括蚀刻所述金属层的所述部分从而形成接触件和与所述接触件自对准的通孔。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述介电材料层在组成上与所述介电衬垫和所述层间介电层不同。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述介电材料层包括氮化硅；所述介电衬垫包括氧化硅和氮氧化硅中的至少一种；以及所述层间介电层包括低k介电材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电衬垫包括在所述沟槽的表面上沉积介电膜以及对所述介电膜施加各向异性蚀刻。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述层间介电层还包括形成置于所述层间介电层下面的蚀刻停止层。7.根据权利要求6所述的方法，其中，使所述沟槽中的所述金属层的所述部分凹进包括：通过所述光刻工艺和蚀刻工艺形成图案化的介电层；以及使用所述层间介电层和所述图案化的介电层作为共同蚀刻掩模来使所述金属层凹进。8.根据权利要求7所述的方法，其中，使所述沟槽中的所述金属层的所述部分凹进包括使所述金属层的所述部分凹进，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡忠浩，王朝勋，姚佳贤，薛婉容，黄谚钧，杨复凯，王美匀，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：