一种半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括提供一半导体基底，在半导体基底的介质层中形成多个间隔设置的通孔

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，具体涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构
。

技术介绍

[0002]在现有技术中，经常用到化学机械研磨
(Chemical Mechanism Polishing)
对半导体结构层进行平坦化以获得相对平坦的表面
。
化学机械研磨
(Chemical Mechanism Polishing)
也称为化学机械平坦化，是一种表面全局平坦化技术，它是通过硅片和一个研磨头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片与研磨液之间有研磨液，并同时施加压力，通过化学与机械共同作用实现表面平坦化
。
[0003]在一般芯片的
ILD(Inter Layer Dielectric
，层间介电层
)
工艺制程中，在介质层中沉积形成钨之后，直接使用化学机械研磨工艺就可以实现平坦化
。
然而，对于介质层较薄或者是钨栓塞在介质层中形成密度较大的芯片，在介质层中沉积钨之后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基底，所述半导体基底包括基底
、
形成于基底的表面的金属层以及形成在金属层表面的介质层；在所述介质层中形成多个间隔设置的通孔，所述通孔沿垂直于所述介质层的表面的方向上贯穿所述介质层；在对应所述通孔的位置及所述介质层的表面形成金属连接层，使对应所述通孔位置处的所述金属连接层完全填充所述通孔且高出所述通孔；完全填充于所述通孔内部且高于所述通孔的金属连接层形成为所述金属连接层的第一部分，形成于所述介质层的表面的金属连接层形成为所述金属连接层的第二部分；回刻蚀所述金属连接层，以完全去除所述第二部分，暴露出所述介质层；并去除部分所述第一部分直至所述第一部分回缩至所述通孔的内部；研磨高于所述金属连接层的所述介质层，直至所述介质层低于所述金属连接层
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底的形成方法包括：提供一衬底；在所述衬底的表面上形成缓冲层；在所述缓冲层的表面上形成第一阻挡层，所述金属层形成在所述第一阻挡层的上方
。3.
根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述介质层中形成多个间隔设置的通孔的步骤中，包括：刻蚀所述介质层直至暴露所述金属层，使所述通孔形成在金属层的上方并且暴露所述金属层，或者刻蚀所述介质层以及部分所述金属层，使每个所述通孔贯穿所述介质层并延伸至部分所述金属层中
。4.
根据权利要求1或3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在对应所述通孔的位置及所述介质层的表面形成金属连接层的步骤之前，还包括：在所述通孔的内壁以及所述介质层的表面上形成第二阻挡层
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝磊，王峰，李乐，黄永彬，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：