半导体元件的制备方法技术

本公开提供一种半导体元件的制备方法，包括：形成一绝缘组件在一基底中，该绝缘组件界定一主动区；形成一第一隔离层在该基底上，该第一隔离层具有一位元线接触点；形成一第二隔离层在该第一隔离层上，该第二隔离层具有一位元线开口；形成一位元线结构在该位元线开口中，该位元线结构电性连接到该位元线接触点，且形成一接触孔以围绕该位元线结构并暴露该位元线接触点的一部分；共形地形成一氮化物间隙子层在该位元线结构、该第二隔离层以及该导电接触点上；共形地形成一等离子体氧化物层在该氮化物间隙子层上；以及使用包含多个负电荷离子的一水溶液而执行一湿式清洗工艺。离子的一水溶液而执行一湿式清洗工艺。离子的一水溶液而执行一湿式清洗工艺。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请案主张2022年5月11日申请的美国正式申请案第17/741,589及17/741,619号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开关于一种半导体结构的制备方法。特别涉及一种可避免或减少粒子诱发缺陷的半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0004]半导体元件广泛用于电子产业。半导体元件可具有相对较小的尺寸、多功能特性及/或相对较低的制造成本。半导体元件技术的发展不断进步，新一代半导体元件的设计比上一代更小、更复杂。依据创新产品的要求，元件的数量与密度不断增加，每个元件的尺寸也必须相对应变小。随着元件尺寸的变小，制造方法期间所产生的杂质所引起的缺陷的影响会变得更加严重，并可据此影响制造良率。
[0005]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一实施例提供一种半导体结构的制备方法，包括形成一第一隔离层在一基底上；形成一导电接触点在该第一隔离层中；形成具有一开口的一第二隔离层在该第一隔离层上，该开口暴露该导电接触点的一上表面；形成一导电线结构在该第二隔离层的该开口中，该导电线结构覆盖该导电接触点的该暴露的上表面的一部分，借此形成一接触孔在该第二隔离层与该导电线结构之间；形成一等离子体氧化物层以覆盖该导电线结构、该第二隔离层以及该导电接触点的各暴露的表面；使用包含多个负电荷离子的一水溶液而执行一湿式清洗工艺；形成一罩盖层在该等离子体氧化物层上，该罩盖层填满该接触孔；以及执行一回蚀工艺以移除在该接触孔上的该罩盖层。
[0007]本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法，包括形成一绝缘组件在一基底中，该绝缘组件界定一主动区；形成一第一隔离层在该基底上，该第一隔离层具有一位元线接触点；形成一第二隔离层在该第一隔离层上，该第二隔离层具有一位元线开口；形成一位元线结构在该位元线开口中，该位元线结构电性连接到该位元线接触点，且形成一接触孔以围绕该位元线结构并暴露该位元线接触点的一部分；共形地形成一氮化物间隙子层在该位元线结构、该第二隔离层以及该导电接触点上；共形地形成一等离子体氧化物层在该氮化物间隙子层上；以及使用包含多个负电荷离子的一水溶液而执行一湿式清洗工艺。
[0008]在一些实施例中，该多个带负电荷离子选自包含多个碳酸根离子(carbonate ions)、碳酸氢根离子(bicarbonate ions)以及其组合的群组。
[0009]在一些实施例中，包含该多个负电荷离子的该水溶液选自包含用二氧化碳溶解的去离子水、用碳酸钠溶解的去离子水、用碳酸氢钠溶解的去离子水，以及其组合的群组。
[0010]在一些实施例中，通过使用包括亚磷酸(phosphorus acid)的一湿式蚀刻剂而执行该回蚀工艺。
[0011]在一些实施例中，通过使用包括亚磷酸以及硅酸(silicic acid)的一湿式蚀刻剂而执行该回蚀工艺。
[0012]在一些实施例中，形成具有一开口的一第二隔离层在该第一隔离层上的该制备方法包括：形成一第二隔离层在该第一隔离层上；以及形成一开口在该第二隔离层中以暴露该导电接触点的一上表面，其中该开口的一宽度大于该导电接触点的该上表面的一宽度。
[0013]在一些实施例中，该导电接触点的一上表面完全通过该开口而暴露。
[0014]在一些实施例中，形成在该开口中的该接触孔围绕该导电线结构。
[0015]在一些实施例中，在形成该等离子体氧化物层之前，该制备方法还包括共形地沉积一氮化物间隙子层在该基底上。
[0016]在一些实施例中，该等离子体氧化物层共形地设置在氮化物间隙子层。
[0017]在一些实施例中，在执行该湿式清洗工艺之前，该等离子体氧化物层包括在其表面上的多个带正电荷离子。
[0018]在一些实施例中，在执行该湿式清洗工艺之后，该等离子体氧化物层在其表面上没有带正电荷离子。
[0019]在一些实施例中，通过使用该等离子体氧化物层作为一蚀刻终止层而执行该回蚀工艺。
[0020]在一些实施例中，在执行该回蚀工艺以移除在该接触孔上的该罩盖层之后，该等离子体氧化物层在其表面上没有结晶硅酸盐粒子。
[0021]在该半导体结构或该半导体元件的该多个制备方法中，在该等离子体氧化物层形成之后，使用含有该多个负电荷离子的一水溶液进行一湿式清洗工艺。该湿式清洗工艺不仅可以去除化学与粒子杂质，还可以去除该等离子体氧化物层形成期间所产生的多个带正电离子。否则，在该等离子体氧化物层形成期间所形成的该多个带正电的离子将与在该后续的回蚀工艺中所产生的该多个带负电的离子结合形成未期望的晶体或粒子。通过在该回蚀工艺之前使用该湿式清洗工艺，可避免或减少由未期望的晶体或粒子所引起的缺陷，并且可据此提高制造良率。因此，可以提高该元件的效能。
[0022]上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。
附图说明
[0023]当结合附图考虑时，可以通过参考详细描述以及权利要求来获得对本公开的更完整的理解，其中相同的元件编号在整个附图中是代类似的元件。
[0024]图1是流程示意图，例示本公开一些实施的半导体结构的制备方法。
[0025]图2到图9是剖视示意图，例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一或多个阶段。
[0026]图10是流程示意图，例示本公开一些实施的半导体元件的制备方法。
[0027]图11到图19是剖视示意图，例示本公开一些实施例的半导体元的制备方法的一或多个阶段。
[0028]附图标记说明：
[0029]10：制备方法
[0030]100：制备方法
[0031]101：基底
[0032]103：第一隔离层
[0033]105：导电接触点
[0034]107：第二隔离层
[0035]109：开口
[0036]111：下导电材料层
[0037]113：上导电材料层
[0038]114：导电线结构
[0039]115：下导电线结构
[0040]117：上导电线结构
[0041]119：接触孔
[0042]121：氮化物间隙子层
[0043]123：等离子体氧化物层
[0044]124：湿式清洗工艺
[0045]125：罩盖层
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，包括：形成一绝缘组件在一基底中，该绝缘组件界定一主动区；形成一第一隔离层在该基底上，该第一隔离层具有一位元线接触点；形成一第二隔离层在该第一隔离层上，该第二隔离层具有一位元线开口；形成一位元线结构在该位元线开口中，该位元线结构电性连接到该位元线接触点，且形成一接触孔以围绕该位元线结构并暴露该位元线接触点的一部分；共形地形成一氮化物间隙子层在该位元线结构、该第二隔离层以及该导电接触点上；共形地形成一等离子体氧化物层在该氮化物间隙子层上；以及使用包含多个负电荷离子的一水溶液而执行一湿式清洗工艺。2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中该多个带负电荷离子选自包含多个碳酸根离子、碳酸氢根离子以及其组合的群组。3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中包含该多个负电荷离子的该水溶液选自包含用二氧化碳溶解的去离子水、用碳酸钠溶解的去离子水、用碳酸氢钠溶解的去离子水，以及其组合的群组。4.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中通过使用包括亚磷酸的一湿式蚀刻剂而执行该回蚀工艺。5.如权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其中该亚磷酸包括多个硅酸盐离子。6.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，还包括：形成一罩盖层在该等离子体氧化物层上，该罩盖层填满该接触孔；以及执行一回蚀工艺以移除在该接触孔上的该罩盖层。7.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中在该第二隔离层中的该位元线开口的一最小宽度大于该导电接触点的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立涵，王治权，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：