【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种用于金属布线层的测试元件群及一种用于金属布线层的测试元件群的制造方法。
技术介绍
1、集成电路芯片已被广泛地使用在当今的电子产品中。正如本领域技术人员所熟知的,集成电路芯片的内部电路一般包括互连的半导体元件,如二极管、晶体管、电容器和其他元件。随着科技的进步,在集成电路中提供等电位接触的金属布线层内的宽度和间距也越来越小,以使晶圆具有更密集的半导体元件。由于金属线路与间距足够细,微小缺陷(micro-defects)将会直接影响产品的可靠度并引发金属-金属短路问题,使得工艺的设计和能力变得更加重要。因此,包含间距测试的芯片验收试验(wafer acceptance test,wat)被应用于工艺中。在间距测试中,间距测试元件群(test element group,teg)被形成于晶粒中或相邻晶粒间的切割道上以检查是否有任何微小金属残留物扼杀产品可靠性,此潜在的风险被称为早期失效(infant mortality)。teg配置以通过teg连接垫连接于具有测试探针的测试机台。在电性连接后,测试机台可用以测量teg的电性
...【技术保护点】
1.一种用于金属布线层的测试元件群,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,该块区与该线区的该连接部之间有第二间隙。
3.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,该线区的所述多个梳齿部沿着该块区的长度方向延伸。
4.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,该线区的所述多个梳齿部沿着该块区的宽度方向延伸。
5.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,所述多个梳齿部每一者的所述多个延伸段的任相邻两者之间的距离相同。
6.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,所述多个梳齿部每一者
...【技术特征摘要】
1.一种用于金属布线层的测试元件群,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,该块区与该线区的该连接部之间有第二间隙。
3.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,该线区的所述多个梳齿部沿着该块区的长度方向延伸。
4.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,该线区的所述多个梳齿部沿着该块区的宽度方向延伸。
5.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,所述多个梳齿部每一者的所述多个延伸段的任相邻两者之间的距离相同。
6.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,所述多个梳齿部每一者的所述多个延伸段为线形且平行于该连接部的长度方向。
7.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,所述多个梳齿部的每一者从上方观察时呈十字形轮廓。
8.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,所述多个梳齿部每一者的所述多个延伸段为叉形。
9.如权利要求8所述的测试元件群,其特征在于,所述多个延伸段的每一者还包括三垂直部分以及与该三垂直部分邻接的水平部分,且该三垂直部分的其中一者比该三垂直部分的另外两者长。
10.如权利要求1所述的测试元件群,其特征在于,所述多个梳齿部每一者的所述多个延伸段为钩形。
【专利技术属性】
技术研发人员:施纯骅,饶瑞修,
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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