超导互连结构的制备方法和超导互连结构技术

本发明专利技术提供了一种超导互连结构的制备方法和超导互连结构，涉及量子芯片技术领域，该制备方法先在衬底的第一表面形成掩膜层，利用掩膜层形成通孔，然后对掩膜层进行图案化，并形成第一窗口，通孔位于第一窗口内，然后利用掩膜层将衬底支撑在载台上并进行超导材料沉积，在通孔内

【技术实现步骤摘要】
超导互连结构的制备方法和超导互连结构


[0001]本专利技术涉及量子芯片
，具体而言，涉及一种超导互连结构的制备方法和超导互连结构
。

技术介绍

[0002]硅通孔
(Through Silicon Via
，
TSV)
技术被认为是实现三维集成最有前景的技术，
TSV
技术通过在芯片与芯片
、
晶圆与晶圆之间制作垂直通孔，实现芯片之间的直接互连
。
它能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大
、
芯片间的互连线最短
、
外形尺寸最小，显著提高芯片速度，降低芯片功耗，因此成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术
。
[0003]在
TSV
应用于量子芯片领域，目前常规的工艺是在
TSV
正面
、
背面
、
侧壁沉积一层超导连接层，超导材料能够有效的在硅片表面和硅通孔内沉积，但对于现有的工艺条件来说，基片放在加热台上，在
>TSV
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种超导互连结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底
(110)
两个表面中的第一表面形成掩膜层
(200)
；利用所述掩膜层
(200)
在所述衬底
(110)
上形成通孔
(111)
；对所述掩膜层
(200)
进行图案化，形成露出所述衬底
(110)
的第一窗口
(230)
，所述通孔
(111)
位于所述第一窗口
(230)
内；利用所述掩膜层
(200)
将所述衬底
(110)
支撑在载台上并进行超导材料沉积，在所述衬底
(110)
两个表面中的第二表面
、
所述通孔
(111)
内和所述第一窗口
(230)
内沉积形成超导层
(130)。2.
根据权利要求1所述的超导互连结构的制备方法，其特征在于，所述第一窗口
(230)
与所述衬底
(110)
的外部连通
。3.
根据权利要求1所述的超导互连结构的制备方法，其特征在于，所述超导层
(130)
形成之后，所述制备方法还包括：去除所述掩膜层
(200)。4.
根据权利要求3所述的超导互连结构的制备方法，其特征在于，利用所述掩膜层
(200)
在所述衬底
(110)
上形成通孔
(111)
的步骤之前，所述制备方法还包括：在所述衬底
(110)
的第二表面形成刻蚀停止层
(300)
；对所述刻蚀停止层
(300)
进行图案化，形成露出所述衬底
(110)
的第二窗口
(310)
，所述通孔
(111)
位于所述第二窗口
(310)
内；其中，进行超导材料沉积时，所述超导层
(130)
形成在所述第二窗口
(310)

【专利技术属性】
技术研发人员：沈龙，王念慈，马亮亮，张辉，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：