半导体器件及半导体器件制造方法技术

这个半导体器件包括：半导体衬底；布线层，具有电极焊盘并且形成在半导体衬底的第一表面上；再布线层，具有经由通孔电连接至电极焊盘的布线并且形成在与第一表面相对的第二表面侧上；保护膜，形成在与半导体衬底相对的再布线层的表面上；以及分隔部，由绝缘材料形成并且布置在再布线层中的布线之间，其中，分隔部和空隙在布线延伸的方向上交替地形成在布线之间。线之间。线之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件及半导体器件制造方法


[0001]本技术涉及设置有再布线层的半导体器件和半导体器件制造方法。

技术介绍

[0002]存在形成再布线层(RDL)以将形成在布线层中的电极焊盘电连接至外部装置的半导体器件。
[0003]形成在再布线层中的用于半导体器件的高速操作的布线已经变得更精细。
[0004]当布线之间的距离变短时，布线间电容增加，阻碍高速操作。
[0005]鉴于这样的问题，下述的专利文献1公开了通过在布线之间设置空隙来减小静电电容的技术。
[0006]引用列表
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利申请公开号H07
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335747

技术实现思路

[0009]本专利技术要解决的问题
[0010]在旋涂法中，将化学液体滴到半导体晶片的中心，并且通过半导体晶片的离心力将化学液体大致均匀地应用到整个半导体晶片表面。因此，化学液体从半导体晶片的中心放射状扩散。
[0011]在这种情况下，在布线延伸的方向与化学液体流动的方向正交的情况下，容易形成空隙，但是，在布线延伸的方向与化学液体流动的方向大致平行的情况下，难以可靠地形成空隙。
[0012]鉴于这种问题，提出了本技术，并且其目的是在布线之间可靠地形成空隙。
[0013]解决问题的方法
[0014]根据本技术的半导体器件包括：半导体衬底；布线层，包括电极焊盘，布线层形成在半导体衬底的第一表面上；再布线层，包括经由通孔电连接至电极焊盘的布线，再布线层形成在半导体衬底中与第一表面相对的第二表面侧上；保护膜，形成在再布线层中与半导体衬底相对的一侧上的表面上；以及分隔部，包括绝缘材料，分隔部布置在再布线层中的布线之间，其中，分隔部和空隙在布线延伸的方向上交替地形成在布线之间。
[0015]因此，两条布线和两个分隔部形成空隙。
[0016]根据本技术的半导体器件制造方法包括：在第一表面上形成有包括电极焊盘的布线层并且在与第一表面相对的第二表面侧上形成有包括经由通孔电连接至电极焊盘的布线的再布线层的半导体衬底上，在再布线层中的布线之间在布线延伸的方向上，交替地形成分隔部和空隙。
附图说明
[0017]图1是示出了半导体器件的实例的截面图。
[0018]图2是与图3一起示出再布线层的实例的示图，并且是后表面侧的平面图。
[0019]图3是再布线层的实例的截面图。
[0020]图4是表示在平行布线的布线之间形成分隔部与空隙的状态的后表面侧的平面图。
[0021]图5是沿图4中的线B
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B截取的截面图。
[0022]图6是沿图4中的线C
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C截取的截面图。
[0023]图7是示出平行布线、分隔部和空隙的放大截面图。
[0024]图8是示出形成再布线层的状态的截面图。
[0025]图9是示出形成嵌入式凹部的状态的截面图。
[0026]图10是示出形成绝缘膜的状态的截面图。
[0027]图11是示出通过CMP处理暴露平行布线的状态的截面图。
[0028]图12是示出应用抗蚀剂的状态的后表面侧的平面图。
[0029]图13是沿图12中的线D
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D截取的截面图。
[0030]图14是示出去除绝缘膜的状态的后表面侧的平面图。
[0031]图15是沿图14中的线E
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E截取的截面图。
[0032]图16是沿图14中的线F
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F截取的截面图。
[0033]图17是示出去除抗蚀剂的状态的后表面侧的平面图。
[0034]图18是沿图17中的线G
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G截取的截面图。
[0035]图19是沿图17中的线H
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H截取的截面图。
[0036]图20是示出在第一变形例中应用抗蚀剂的状态的后表面侧的平面图。
[0037]图21是图20的J
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J线剖视图。
[0038]图22是示出在第一变形例中去除绝缘膜的状态的后表面侧的平面图。
[0039]图23是图22的K
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K线剖视图。
[0040]图24是表示在第一变形例中去除抗蚀剂后的状态的后表面侧的平面图。
[0041]图25是示出在第二变形例中应用抗蚀剂的状态的后表面侧的平面图。
[0042]图26是图25的P
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P线剖视图。
[0043]图27是表示在第二变形例中去除绝缘膜的状态的后表面侧的平面图。
[0044]图28是沿图27中的线R
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R截取的截面图。
[0045]图29是示出在第二变形例中去除抗蚀剂的状态的后表面侧的平面图。
[0046]图30是用于说明第三变形例的图，后表面侧的平面图示出了分隔部的布置间隔根据布线间距离而改变的状态。
[0047]图31是用于说明第四变形例的图，是表示在形成为非线状的平行布线的布线之间形成有分隔部的状态的后表面侧的平面图。
[0048]图32是示出本技术应用于作为图像传感器的半导体器件的状态的截面图。
具体实施方式
[0049]在下文中，将参照附图按照以下顺序描述根据本技术的实施方式。
[0050]<1.半导体器件的配置>
[0051]<2.布线间电容>
[0052]<3.制造方法>
[0053]<4.变形例>
[0054]<4
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1.第一变形例>
[0055]<4
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2.第二变形例>
[0056]<4
‑
3.第三变形例>
[0057]<4
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4.第四变形例>
[0058]<4
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5.其他变形例>
[0059]<5.总结>
[0060]<6.本技术>
[0061]<1.半导体器件的构造>
[0062]根据本技术的半导体器件1通过例如晶片级芯片尺寸封装(WCSP)技术制造。图1示出了半导体器件1的配置的实例的截面。
[0063]半导体器件1设置有：半导体衬底2、堆叠在半导体衬底2的前表面2a上的布线层3、堆叠在半导体衬底2的后表面2b上的绝缘树脂膜4、再布线层(RDL)5、以及保护膜6。
[0064]另外，在以下的各截面图中，在正确方向上观察符号时的图的下侧被设为前表面侧，图的上侧被设为后表面侧。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；布线层，包括电极焊盘，所述布线层形成在所述半导体衬底的第一表面上；再布线层，包括经由通孔电连接至所述电极焊盘的布线，所述再布线层形成在所述半导体衬底中与所述第一表面相对的第二表面侧上；保护膜，形成在所述再布线层中与所述半导体衬底相对的一侧的表面上；以及分隔部，包括绝缘材料，所述分隔部布置在所述再布线层中的布线之间，其中，所述分隔部和空隙在所述布线延伸的方向上交替地形成在所述布线之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘材料为SiOx、SiOxNy以及绝缘有机树脂中的任一种。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，具有第一布线间距离的两条布线和具有第二布线间距离的两条布线形成在所述再布线层中，所述第一布线间距离短于所述第二布线间距离，并且布置在具有所述第一布线间距离的两条布线之间并在所述布线延伸的方向上彼此相邻的所述分隔部之间的间隔大于布置在具有所述第二布线间距离的两条布线之间并在所述布线延伸的方向上彼此相邻的所述分隔部之间的间隔。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在所述再布线层中布线的两条布线的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳川吉明，重歳卓志，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：