表面发射激光器及表面发射激光器的制造方法技术

提供了一种能够在抑制可靠性降低的同时实现电阻降低的表面发射激光器。本技术提供了一种表面发射激光器，包括：第一结构，包括第一多层膜反射器；第二结构，包括第二多层膜反射器；以及布置在第一结构和第二结构之间的有源层。第二结构至少在厚度方向上在第一表面和第二表面之间的一部分中具有杂质浓度相对高的高浓度杂质区域，所述第一表面是有源层另一侧的表面，所述第二表面是靠近有源层一侧的表面，该部分包括第一表面，并且在第一表面和第二表面之间具有至少一个杂质扩散抑制层。根据本技术，可以提供一种能够在抑制可靠性降低的同时实现电阻降低的表面发射激光器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

根据本公开的技术(在下文中也称为“本技术”)涉及表面发射激光器和用于制造表面发射激光器的方法。

技术介绍

1、常规地，在第一多层膜反射器和第二多层膜反射器之间布置有源层的表面发射激光器是已知的。

2、在传统的表面发射激光器中，存在这样的表面发射激光器，其中，在第二多层膜反射器上设置具有相对高的杂质浓度的区域以降低电阻(例如，参见专利文献1)。

3、引用列表

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利申请公开第2005-93634号

技术实现思路

1、本专利技术要解决的问题

2、然而，在传统的表面发射激光器中，无法在降低电阻的同时抑制可靠性降低。

3、因此，本技术的主要目的是提供一种能够降低电阻同时抑制可靠性降低的表面发射激光器。

4、问题的解决方案

5、本技术提供了一种表面发射激光器，包括：

6、第一结构，包括第一多层膜反射器；

7、第二结构，包括第二多层膜反射器；以及>

8、有源层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表面发射激光器，包括：

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，

3.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层布置在所述高浓度杂质区域的至少一部分与所述有源层之间。

4.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层包含In。

5.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层由GaInP基化合物半导体或GaInAs基化合物半导体制成。

6.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层包含Al。

7.根据权利要求6所述的表面发射激光器，其中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种表面发射激光器，包括：

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，

3.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层布置在所述高浓度杂质区域的至少一部分与所述有源层之间。

4.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层包含in。

5.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层由gainp基化合物半导体或gainas基化合物半导体制成。

6.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层包含al。

7.根据权利要求6所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层的al组分为1％以上且15％以下。

8.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，

9.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，

10.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述至少一个杂质扩散抑制层是多个杂质扩散抑制层。

11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：立川佳照，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：