本申请涉及一种热电偶的清洗冶具及清洗装置。热电偶包括套管以及电源线；套管呈L型，包括相连接的水平套管以及竖直套管；电源线设置于竖直套管远离水平套管的一端；热电偶的清洗冶具包括冶具主体，水平夹具以及竖直夹具，冶具主体包括水平部以及竖直部，...

本公开提供了一种三维存储结构及存储器，其中存储结构包括相对设置的第一金属结构和第二金属结构；设置于第一金属结构和第二金属结构之间的存储单元，包括一开口朝向第二金属结构的凹形结构，凹形结构的底部与第一金属结构相接触；连接结构，位于第二金属...

本公开提供了一种三维存储结构的制备方法及存储器，其中制备方法包括提供一基底，其中包括第一介质层、形成于第一介质层内的第一金属结构以及部分暴露第一金属结构的第一通孔；于第一通孔的内壁以及第一介质层的部分表面形成具有凹形结构的存储单元，凹形...

本技术公开了一种芯片夹具，包括盒单元和两夹板单元。其中，盒单元为上端开口的中空结构，盒单元的两侧壁上分别开设有安装孔；两夹板单元的第一端设置于盒单元的内部，夹板单元的第二端穿过对应的安装孔位于盒单元的外部，且夹板单元的第二端可移动地设置...

本技术提供了一种用于扩展电阻测试的研磨装置。所述用于扩展电阻测试的研磨装置包括：外壳；研磨杆，所述研磨杆的第一端设置有研磨头，用于承载待研磨样品，所述研磨杆的第二端通过一支架与所述外壳连接，所述第一端与所述第二端为所述研磨杆的相对两端；...

本技术提供了一种外延炉加热灯板及外延炉。所述外延炉加热灯板具有上温区、中温区和下温区；所述上温区、中温区和下温区均包括依序排布的多根灯管，且所述上温区和所述下温区的灯管数量均大于所述中温区的灯管数量。本技术通过对外延炉加热灯板的灯管接线...

本技术提供一种半导体测试结构。所述半导体测试结构包括多个子测试结构，所述子测试结构包括：第一金属层，所述第一金属层包括两第一金属结构；第二金属层，沿第一方向位于所述第一金属层的表面，所述第二金属层包括一金属条；接触块，位于所述第一金属层...

本技术提供了一种气体管路。所述气体管路包括：气源、反应腔以及控压泵；所述反应腔的进气口通过第一阀门与所述气源连接，所述控压泵与所述反应腔的出气口连接，所述气源通过第二阀门与所述控压泵连接。当所述气源的气压高于所述反应腔的气压时，通过先关...

本说明书实施例提供一种晶圆框架的切割晶圆膜与铁环粘附力检测装置，包括：基座，所述基座用于放置所述晶圆框架；施力机构，所述施力机构对放置于所述基座上的晶圆框架施加靠近基座方向的力，以检测所述切割晶圆膜与铁环之间是否脱落。通过设置基座用于承...

本说明书实施例提供一种管路排气装置，包括入口管路、出口管路、储液部和侧管路，入口管路上设置有第一气控阀，出口管路上设置有第二气控阀；其中，第一气控阀的第一气口与入口管路相连接，第一气控阀的第二气口与侧管路的第一端相连接，第一气控阀的第三...

本申请涉及一种报警电路及显微镜，通过将距离检测模块、报警模块分别于电源连接，使距离检测模块和报警模块处于并联状态，采用距离检测开关检测显微镜的物镜和被测件之间的距离，在距离大于或等于预设阈值期间处于第一状态，并使报警模块发生短路，报警模...

本技术提供了一种离子注入机的水管导向装置以及离子注入机，所述装置包括：固定件，所述固定件与所述离子注入机的机身上的轴筒固定连接；固定轴，所述固定轴的端面与所述固定件相连；至少一轴承，所述轴承套设固定在所述固定轴外侧；以及外壳体，所述外壳...

本申请提供一种电阻模型的建模方法，应用于半导体器件建模技术领域，包括：建立多晶硅电阻的本体对应的第一电阻模型，第一电阻模型用于表征所述本体对应的电阻大小；建立所述本体两端对应的第二电阻模型，第二电阻模型用于表征所述本体端部的电阻大小；其...

本申请提供一种N离子注入监测方法，应用于离子注入监测技术领域，其中包括S1、提供一晶圆，并将晶圆置于待检测机台上，预设N离子注入剂量值，对待监控机台上晶圆进行N离子注入；S2、对晶圆进行退火处理，使用刻蚀液对晶圆表面的绝缘层进行腐蚀；S...

本申请提供一种晶圆称重系统，晶圆称重系统包括：晶舟、称重传感器、检测电路及控制器；晶舟与称重传感器杠杆平衡连接，其中称重传感器用于在晶舟中放置晶圆时，获取晶圆重量；检测电路与称重传感器电连接，用于将称重传感器获取的晶圆重量转换为第一数字...

本发明公开了一种晶圆检测结构、工作站以及半导体设备，所述晶圆检测结构包括称重传感器和处理电路单元。其中，所述称重传感器设置于半导体设备中晶圆放置处，并在所述晶圆被放置到所述称重传感器上方时，产生电信号；所述处理电路单元与所述称重传感器连...

本发明提供了一种填充金属的方法及半导体结构。所述方法包括：提供一基底，所述基底包括沟槽，所述沟槽底部具有一通孔；于所述沟槽的底面和侧壁表面以及所述通孔的底面和侧壁表面沉积形成金属层；热处理使得所述沟槽侧壁上的所述金属层的金属回流至所述通...

本发明提供了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。该方法包括：提供第一导电类型重掺杂碳化硅衬底，包括第一表面和第二表面；在第一表面形成第一导电类型轻掺杂外延层；在第一导电类型轻掺杂外延层内形成第二导电类型阱区、源区及第二导电类型重掺杂...

本发明提供一种半导体芯片的测试结构及测试方法。半导体芯片具有栅极和源极；半导体芯片的测试结构包括：栅极焊盘，通过栅引线电性连接至所有栅极，栅引线包括至少一栅总线以及多个栅支线，栅总线自栅极焊盘引出，每一栅极通过一栅支线连接至栅总线；源极...

本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供芯片结构，芯片结构包括衬底、金属层、多个金属焊盘及介质层；衬底包括器件区域及焊盘区域；金属层位于器件区域内，且位于衬底上；多个金属焊盘均位于焊盘区域内，且间隔分布于衬底上；介质层覆盖器件区域...