【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件建模，具体涉及一种多晶硅电阻及其建模方法、系统。
技术介绍
1、poly电阻(多晶硅电阻)是集成电路设计中最常用到的一种电阻，它是由用作mos管栅极的poly层做成的电阻，有些工艺除了有用来做栅极的poly，还有专门用来做电阻、电容的其它poly层。
2、现有的电阻模型以电阻本体进行建模，虽然有利于降低建模难度，以及方便基于该电阻模型设计电路，但是电阻模型的精度不高，容易影响电路准确性。
3、基于此，需要一种新的多晶硅电阻及其建模方法、系统。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种电阻模型的建模方法，应用于半导体器件建模中，与实际电阻更匹配，提高了电阻的模型精度，有助于改进半导体工艺，减少了生产中的不确定性，提高了生产效率和产品质量。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、本说明书实施例提供一种多晶硅电阻建模方法，包括：
4、建立多晶硅电阻的本体对应的第一电阻模型，第一电阻模型用于表征所述本体对
【技术保护点】
1.一种多晶硅电阻建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，建立所述本体两端对应的第二电阻模型，包括：
3.根据权利要求1所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，建立所述本体两端对应的第二电阻模型，包括：
4.根据权利要求1所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，所述建立多晶硅电阻的本体对应的第一电阻模型，第一电阻模型用于表征所述本体对应的电阻大小，包括：
5.根据权利要求2或3所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，所述建立所述本体的两端硅化物合金对应的硅化物多晶硅电阻模型，包括：
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅电阻建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，建立所述本体两端对应的第二电阻模型，包括：
3.根据权利要求1所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，建立所述本体两端对应的第二电阻模型，包括：
4.根据权利要求1所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，所述建立多晶硅电阻的本体对应的第一电阻模型，第一电阻模型用于表征所述本体对应的电阻大小，包括：
5.根据权利要求2或3所述的多晶硅电阻建模方法，其特征在于，所述建立所述本体的两端硅化物合金对应的硅化物多晶硅电阻模型，包括：
6.根据权利要求2或3所述的多晶硅电...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦丰强，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。