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本申请提供一种电阻模型的建模方法，应用于半导体器件建模技术领域，包括：建立多晶硅电阻的本体对应的第一电阻模型，第一电阻模型用于表征所述本体对应的电阻大小；建立所述本体两端对应的第二电阻模型，第二电阻模型用于表征所述本体端部的电阻大小；其中，...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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