本技术提供了一种真空检漏装置。所述真空检漏装置包括：盖板、密封圈、以及连接管；所述盖板具有一内腔，能够容纳被检测装置的凸起部，并且设置为能够与所述被检测装置贴合，侧壁与所述被检测装置贴合处有密封沟槽，底部有通孔；所述密封圈，设置于所述密...

本公开涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括提供衬底，衬底内包括沿平行于衬底的第一方向依次分布的源区、沟道区及漏区，沟道区的正上方包括栅极；于源区及漏区内形成凹槽；在反应腔室内通过控制射频偏压功率及含有目标元素的反应流体的流...

本发明涉及半导体技术领域，提供SiC功率器件及其制备方法。SiC功率器件包括SiC基底、形成在所述SiC基底上的器件层和形成在所述器件层上的层间介质层；所述层间介质层包括：二氧化硅层，覆盖所述器件层的表面；致密性膜层，覆盖所述二氧化硅层...

本申请提供一种硅片预清洗腔室，涉及半导体设备技术领域。所述硅片预清洗腔室包括分别独立设置的第一腔室和第二腔室，所述第一腔室与所述第二腔室之间设有传送装置，其中，所述第一腔室用于对硅片进行刻蚀处理，由所述第一腔室内的底部延伸设有第一底座，...

本发明提供了一种磁控溅射装置及磁控溅射方法。所述磁控溅射装置包括：溅射电源、以及辅助电源。所述溅射电源包括溅射电源阴极板和溅射电源阳极板，所述溅射电源阴极板和所述溅射电源阳极板形成溅射电场，所述溅射电源阴极板面向所述溅射电源阳极板方向一...

本发明提供了一种CMOS半导体器件及集成方法，该集成方法包括如下步骤：提供第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底的一表面上制备第一器件层，第一器件层包括多个第二导电类型的MOS器件；提供第二导电类型衬底，在第二导电类型衬底的一表面上制备第...

本发明提供了一种针测系统，包括探针台、探针卡及物体检测传感器；所述探针台包括盖板，所述盖板上设有一开口；探针卡，置于所述开口内；所述物体检测传感器置于所述盖板上；所述物体检测传感器配置为沿第一方向发射光信号和接收光信号，以检测所述探针卡...

本说明书实施例提供一种修整头，包括：安装座、直驱电机和升降机构，所述安装座内开设有用于容置所述直驱电机的腔室，所述直驱电机设置于所述腔室内，所述直驱电机的输出端连接有研磨头，所述升降机构设置于所述安装座上，以带动所述安装座上下移动。通过...

本申请提供了基于晶圆清洗设备的换液方法和系统，其包括分别获取第一药液、第二药液的独立换液开始时间和独立换液结束时间，设定所述第一药液的换液时长大于所述第二药液的换液时长；分析所述第一药液、所述第二药液的独立换液开始时间和独立换液结束时间...

本发明公开了一种半导体监控结构和监控方法，包括多个两端设置有接触孔的有源区，所述多个有源区通过金属层首尾连接形成链式结构，其中，位于首端的所述有源区的所述接触孔与第一焊盘连接，位于尾端的所述有源区的所述接触孔与第二焊盘连接，还包括多晶硅...

本申请提供一种晶圆小电阻测试结构、测试方法及测试系统，应用于晶圆测试技术领域，其中对晶圆上待测试的待测小电阻结构引入串联容性支路构成串联测试支路，进而利用量测机台对该串联测试支路进行不同频率的交流信号下对应阻值的量测，从而根据量测结果计...

本发明提供一种用于半导体结构中钝化层断裂检测的结构及方法，该检测结构包括至少一检测MOM电容结构及位于其外围的参照MOM电容结构，检测MOM电容结构包括至少一检测叉指组、多个检测金属及检测钝化单元，检测金属在第一方向上位于检测叉指组的两...

本说明书实施例提供一种晶圆吸取结构，包括：吸笔头和真空管路，所述吸笔头内开设有若干通道，所述吸笔头的第一侧面开设有真空吸孔，所述吸笔头的第一侧面为弹性面，所述通道的第一端与所述真空吸孔相连接，所述通道的第二端与所述吸笔头的第二侧面相平齐...

本发明提供了一种晶圆刻蚀装置及其刻蚀方法。所述装置包括传送机构以及至少一组第一、第二腔室；第一腔室用于采用表面吸附反应方式对置于其中的晶圆执行表面修饰工艺，以使所述晶圆表面吸附生成表面生成物；第二腔室独立于第一腔室设置，第二腔室用于采用...

本申请提供一种离子注入机晶圆靠栅，应用于靠栅技术领域，其中包括包括基座，所述基座设置为弧形，所述基座用于连接转盘，晶圆承载盘与转盘连接，所述基座与转盘接触的一面水平设置，所述基座沿长度方向的一侧一体设置有弧形挡边，所述弧形挡边的弧度与晶...

本说明书实施例提供一种研磨盘喷水装置，包括喷水手臂，所述喷水手臂设置于所述研磨盘上方，所述喷水手臂内容置有水管，所述水管上设置有多个出水孔，多个所述出水孔均贯穿所述喷水手臂靠近所述研磨盘的一侧，多个所述出水孔靠近所述研磨盘的一端均连接有...

本发明涉及OPC技术领域，提供接触层OPC热点修补方法和装置。接触层OPC热点修补方法包括：确定接触层的初始OPC图形中通孔面积小于面积规格的面积热点OPC图形；获得初始OPC图形中通孔间距小于第一间距规格的第一标记图形和通孔与多晶硅层...

本申请提供了一种半导体测试结构及其形成方法，所述结构包括：第一电容，电连接至浅沟槽隔离结构；第二电容，电连接至与浅沟槽隔离结构相邻的有源区，浅沟槽隔离结构表面与有源区表面之间具有台阶；第一、第二电容的两极板间的介电层厚度相同，在垂直浅沟...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成沟槽；于沟槽的底部形成补偿层；将所得结构进行热氧化，以得到栅氧化层，位于沟槽底部的栅氧化层的厚度大于位于沟槽侧壁的栅氧化层的厚度。本申请通过在沟槽的...

本发明提供了一种光学检测装置及晶圆检测方法。所述光学检测装置包括用于承托待测晶圆的晶圆承载盘、分别设置在所述晶圆承载盘的上方和下方的顶层基板与底层基板、以及分别设置于所述顶层基板以及所述底层基板的内表面的两组摄像头模块组成，分别用于检测...