【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及晶圆吸取，具体涉及一种晶圆吸取结构。
技术介绍
1、mosfet(场效应管)背金片背面为一层电极作用的金属。用吸笔吸取时，为避免沾污背面的金属层，通常会要求吸晶圆正面。目前常用的吸笔一般有两种，一种是采用弯头圆盘硅胶吸笔进行吸取，该吸笔由于硅胶材质柔软的特性，吸晶圆正面时，可有效降低对晶圆正面的划伤，但此种吸笔因金属管的弯折设计，只能从硅片盒开口处依次吸取，而无法从片盒中部去吸取需要的晶圆，使用上有局限性，如果要从片盒中部取片，目前只能使用peek(聚醚醚酮)材质的平头吸笔，该硬质吸笔用于吸正面极易产生划伤，尤其是对表面没有passivation(钝化处理)钝化层保护的晶圆，容易造成晶圆的刮伤，严重时可能会导致晶圆的报废。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种晶圆吸取结构，通过设置吸笔头和真空管路对晶圆进行吸取，在吸笔头内开设若干通道和真空吸孔，真空管路至少部分插入通道内与真空吸孔相连通，可实现对晶圆的真空吸取操作，将吸笔头与晶圆相接触的第一侧面设置为弹性面，能够避免对晶圆造成划伤，可以从片盒中的任意位置吸取晶圆。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：一种晶圆吸取结构，包括：
3、吸笔头，所述吸笔头内开设有若干通道，所述吸笔头的第一侧面开设有真空吸孔，所述吸笔头的第一侧面为弹性面，所述通道的第一端与所述真空吸孔相连接，所述通道的第二端与所述吸笔头的第二侧面相平齐；
4、真空管路，所述真空管路至少部分插入所述通道内与所述真
5、优选的，所述真空管路包括第一管道和第二管道，所述第一管道至少部分插入所述通道内与所述真空吸孔相连通，所述第二管道与所述第一管道相连通并且延伸到所述吸笔头外部。
6、优选的，所述第一管道包括一体成型的第一子管道、第二子管道和连接管道，所述第一子管道和第二子管道之间通过连接管道相连通，所述连接管道与所述第二管道之间相连接。
7、优选的，所述通道设置有两组，所述第一子管道和所述第二子管道之间相互平行设置，所述第一子管道和所述第二子管道分别插入两组所述通道内。
8、优选的，所述第一子管道和第二子管道的长度相同，且不大于所述通道的长度；
9、和/或，所述第一子管道和第二子管道的直径均为2.5mm，所述第一子管道的直径小于所述真空吸孔的直径。
10、优选的，所述吸笔头为橡胶吸笔头或者硅胶吸笔头。
11、优选的，所述吸笔头的第一侧面开设有真空泄压槽，所述真空吸孔处于所述真空泄压槽内。
12、优选的，所述真空泄压槽为t型凹槽，所述真空吸孔设置有两组，两组所述真空吸孔关于所述t型凹槽的对称线对称分布。
13、优选的，所述吸笔头的第三侧面为具有坡度的面，使得所述吸笔头的第四侧面的宽度小于第二侧面的宽度，所述第二侧面的宽度为4mm，所述第四侧面的宽度为2mm；
14、和/或，所述第一侧面为矩形状，所述第一侧面的长度为30±1mm，所述第二侧面的宽度为20±1mm。
15、优选的，所述第一侧面和第二侧面为相邻面，所述第三侧面为所述第一侧面的相对面，所述第二侧面为第四侧面的相对面。
16、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
17、通过设置吸笔头和真空管路对晶圆进行吸取，在吸笔头内开设若干通道和真空吸孔，真空管路至少部分插入通道内与真空吸孔相连通，可实现对晶圆的真空吸取操作，将吸笔头与晶圆相接触的第一侧面设置为弹性面，能够避免对晶圆造成划伤，可以从片盒中的任意位置吸取晶圆。
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1.一种晶圆吸取结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述真空管路包括第一管道和第二管道，所述第一管道至少部分插入所述通道内与所述真空吸孔相连通，所述第二管道与所述第一管道相连通并且延伸到所述吸笔头外部。
3.根据权利要求2所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述第一管道包括一体成型的第一子管道、第二子管道和连接管道，所述第一子管道和第二子管道之间通过连接管道相连通，所述连接管道与所述第二管道之间相连接。
4.根据权利要求3所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述通道设置有两组，所述第一子管道和所述第二子管道之间相互平行设置，所述第一子管道和所述第二子管道分别插入两组所述通道内。
5.根据权利要求3所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述第一子管道和第二子管道的长度相同，且不大于所述通道的长度；
6.根据权利要求1-5任一项所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述吸笔头为橡胶吸笔头或者硅胶吸笔头。
7.根据权利要求1所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述吸笔头的第一侧面开设有真空泄压槽，所
8.根据权利要求7所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述真空泄压槽为T型凹槽，所述真空吸孔设置有两组，两组所述真空吸孔关于所述T型凹槽的对称线对称分布。
9.根据权利要求1所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述吸笔头的第三侧面为具有坡度的面，使得所述吸笔头的第四侧面的宽度小于第二侧面的宽度，所述第二侧面的宽度为4mm，所述第四侧面的宽度为2mm；
10.根据权利要求9所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述第一侧面和第二侧面为相邻面，所述第三侧面为所述第一侧面的相对面，所述第二侧面为第四侧面的相对面。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸取结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述真空管路包括第一管道和第二管道，所述第一管道至少部分插入所述通道内与所述真空吸孔相连通，所述第二管道与所述第一管道相连通并且延伸到所述吸笔头外部。
3.根据权利要求2所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述第一管道包括一体成型的第一子管道、第二子管道和连接管道，所述第一子管道和第二子管道之间通过连接管道相连通，所述连接管道与所述第二管道之间相连接。
4.根据权利要求3所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述通道设置有两组，所述第一子管道和所述第二子管道之间相互平行设置，所述第一子管道和所述第二子管道分别插入两组所述通道内。
5.根据权利要求3所述的晶圆吸取结构，其特征在于，所述第一子管道和第二子管道的长度相同，且不大于所述通道的长度；
【专利技术属性】
技术研发人员：彭吉华，楼昊颢，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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