晶圆固定装置及晶圆金属溅射机台制造方法及图纸

本技术提供了一种晶圆固定装置及晶圆金属溅射机台。本技术通过缩小扣环内壁的延伸部的宽度，以将扣环内壁延伸部边缘设定在所述晶圆用于形成电子元件的有效区域以外，且相对设置的两所述延伸部之间的间距大于预设阈值，改善晶圆背面金属沉积过程中晶圆偏移时造成的金属沉积均匀性下降和晶圆边缘不平整的问题；通过缩小扣环外径，以扩大保护罩与扣环之间的间隙，能够降低气体流动阻力，使气体流速增大，提高制备效率及良品率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆固定装置及晶圆金属溅射机台。

技术介绍

1、晶圆背金工艺是一种半导体制造中的工艺，通过在晶圆背面沉积金属，使得晶圆的电性能和可靠性得以提高。

2、目前，若想将金属沉积在晶圆背面，需要利用背面金属机台，它将要进行背金工艺的晶圆利用扣环固定在基座上，利用高真空环境，将氩离子解离后，产生二次电子和氩离子，再利用靶材上的负电位，使氩离子加速撞击靶材，使靶材上的金属沉积在晶圆表面，从而完成晶圆背面金属的沉积，降低器件的热阻。但是，如今的背面金属机台仍存在着腔体金属沉积均匀性不稳定和气体抽速比较慢的问题，影响着晶圆背面金属的均匀沉积。

3、图1是现有技术中晶圆金属溅射机台的剖面图。如图1所示，晶圆金属溅射机台包括扣环11、保护罩12、加热器14以及基座15。所述扣环11的内壁具有一延伸部13，所述延伸部13用于将所述晶圆16固定在所述基座15的表面，所述保护罩12位于所述扣环11的外部且与扣环11之间形成一间隙17，所述加热器14设置于所述基座15的内部，置于所述扣环11及所述保护罩12下方。

4、图2是现有技术中扣环的俯视图。如图2所示，所述扣环11的内壁具有一延伸部13，所述延伸部13用于将所述晶圆16固定在所述基座15(示于图1中)表面，防止所述晶圆16移动。

5、由于延伸部向所述晶圆延伸的宽度较宽，所述晶圆的边缘被压盖过多，使得晶圆在背面沉积金属的过程中的均匀性会降低；同时，晶圆的边缘会被延伸部压的过紧，从而导致晶圆边缘不平整。此外，扣环与保护罩之间的间隙过小，从而导致气体的流速过慢，降低晶圆背面沉积金属的效率。

6、因此，如何保持金属沉积的均匀性稳定以及如何加快气体抽速是目前背面金属机台需要克服的难点。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是，提供一种晶圆固定装置及晶圆金属溅射机台，能够解决在晶圆背面沉积金属的过程中的气体抽速比较慢的问题，从而令晶圆背面金属均匀沉积的稳定性得以提高。

2、为了解决上述问题，本技术提供了一种晶圆固定装置，包括：扣环，所述扣环内壁延伸有多个延伸部，所述延伸部用于压接晶圆的边缘以固定所述晶圆的位置，所述延伸部的边缘设定在所述晶圆用于形成电子元件的有效区域以外，且相对设置的两所述延伸部之间的间距大于预设阈值；保护罩，所述保护罩置于所述扣环外侧，与所述扣环之间具有一用于降低气体流动阻力的间隙。

3、在一些实施例中，所述延伸部与所述晶圆贴合一侧的表面为光滑表面。

4、在一些实施例中，相对设置的两所述延伸部之间的间距大于所述晶圆直径的98％，且小于所述晶圆直径。

5、在一些实施例中，多个所述延伸部在所述扣环内壁均匀分布。

6、在一些实施例中，所述扣环内壁延伸有6个延伸部。

7、在一些实施例中，所述间隙的尺寸大于所述晶圆直径的3％。

8、在一些实施例中，相对设置的两所述延伸部之间的间距大于195mm，所述扣环的外径小于324mm，所述间隙的尺寸大于5mm。

9、为了解决上述问题，本技术还提供了一种晶圆金属溅射机台，包括：包括上述实施例中任一项所述的晶圆固定装置。

10、在一些实施例中，还包括加热器，所述加热器置于所述扣环及所述保护罩下方。

11、在一些实施例中，所述加热器设置于一基座内，所述晶圆放置于所述基座表面，所述加热器能够加热所述晶圆。

12、上述技术方案通过缩小扣环内壁的延伸部的宽度，以将扣环内壁的延伸部的边缘设定在所述晶圆用于形成电子元件的有效区域以外，且相对设置的两所述延伸部之间的间距大于预设阈值，从而改善晶圆背面金属沉积过程中晶圆偏移时造成的金属沉积均匀性下降和晶圆边缘不平整的问题；通过缩小扣环外径，以扩大保护罩与扣环之间的间隙，能够降低气体流动阻力，使气体的流速增大，以提高制备过程的效率及良品率。

13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

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【技术保护点】

1.一种晶圆固定装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述延伸部与所述晶圆贴合一侧的表面为光滑表面。

3.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，相对设置的两所述延伸部之间的间距大于所述晶圆直径的98％，且小于所述晶圆直径。

4.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，多个所述延伸部在所述扣环内壁均匀分布。

5.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述扣环内壁延伸有6个延伸部。

6.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述间隙的尺寸大于所述晶圆直径的3％。

7.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，相对设置的两所述延伸部之间的间距大于195mm，所述扣环的外径小于324mm，所述间隙的尺寸大于5mm。

8.一种晶圆金属溅射机台，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的晶圆固定装置。

9.根据权利要求8所述的晶圆金属溅射机台，其特征在于，还包括加热器，所述加热器置于所述扣环及所述保护罩下方。

10.根据权利要求9所述的晶圆金属溅射机台，其特征在于，所述加热器设置于一基座内，所述晶圆放置于所述基座表面，所述加热器能够加热所述晶圆。

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆固定装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述延伸部与所述晶圆贴合一侧的表面为光滑表面。

3.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，相对设置的两所述延伸部之间的间距大于所述晶圆直径的98％，且小于所述晶圆直径。

4.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，多个所述延伸部在所述扣环内壁均匀分布。

5.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述扣环内壁延伸有6个延伸部。

6.根据权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述间隙的尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：厉清，胡博涛，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：