本发明专利技术提供了一种金属衬垫生成方法，通过在图形化金属衬垫层的金属衬垫图形侧壁形成能够被湿法刻蚀去除的薄膜层，从而在干法刻蚀去除所述图形化金属衬垫层表面的覆盖层的过程中，对金属衬垫图形侧壁以及顶角处起保护作用，进而减少金属衬垫的损伤，提高生产效率，降低生产成本。或者，通过在金属衬垫层的表面形成能够图形化并能够被湿法刻蚀去除的阻挡层，从而可以图形化获取金属衬垫图形，并湿法刻蚀去除的阻挡层，减少金属衬垫的损伤，提高生产效率，降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种金属衬垫生成方法及具有金属衬垫的半导体结构。
技术介绍
1、铝衬垫(al pad)是晶圆与外界连接的互联截面，同时也是集成电路的最后一道工序。其通常采用物理气相沉积工艺在晶圆的顶层金属层表面形成铝薄膜层，然后利用光刻和刻蚀工艺对铝薄膜层进行处理形成衬垫，通过衬垫可与外部电路连接。
2、现有工艺中，当铝衬垫沉积完成后，衬底上依次覆盖有第一氮化硅(sin)层、第一四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane，简称teos)层、第二氮化硅层、第二四乙氧基硅烷层、铝薄膜层、以及氮化钛(tin)覆盖层。其中，氮化钛覆盖层位于最顶层。经过干法刻蚀后，可以将氮化钛覆盖层以及铝薄膜层都刻出对应图案，但是对应铝衬垫表面依旧覆盖氮化钛覆盖层，要形成最终的铝衬垫，需要将顶层的氮化钛覆盖层去除。
3、现有工艺中，去除氮化钛覆盖层的方式是干法刻蚀，但是刻蚀去除氮化钛覆盖层的过程中容易对铝衬垫的侧壁以及顶角处造成比较严重的损伤。如何减少铝衬垫工艺制造过程中铝衬垫的损伤是亟待解决的问题。
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【技术保护点】
1.一种金属衬垫生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形化金属衬垫层为铝层，所述覆盖层为氮化钛层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层远离所述衬底的表面与所述图形化金属衬垫层远离所述衬底的表面基本齐平。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层为氮化铝层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜层的工艺为含氮反应物处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述含氮反应物处理中的反应氮源气体为氮气、氨气、以及氮氧化物中的一种。
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【技术特征摘要】
1.一种金属衬垫生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形化金属衬垫层为铝层，所述覆盖层为氮化钛层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层远离所述衬底的表面与所述图形化金属衬垫层远离所述衬底的表面基本齐平。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层为氮化铝层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜层的工艺为含氮反应物处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述含氮反应物处理中的反应氮源气体为氮气、氨气、以及氮氧化物中的一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层为氮化钛层或者氮化硅层中的一种。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成所述薄膜层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述覆盖层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：晋东坡，谢梦婷，阳黎明，李钊，黄永彬，罗夏，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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