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金属衬垫生成方法及具有金属衬垫的半导体结构技术
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文档序号:41323104
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本发明提供了一种金属衬垫生成方法,通过在图形化金属衬垫层的金属衬垫图形侧壁形成能够被湿法刻蚀去除的薄膜层,从而在干法刻蚀去除所述图形化金属衬垫层表面的覆盖层的过程中,对金属衬垫图形侧壁以及顶角处起保护作用,进而减少金属衬垫的损伤,提高生产效...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。
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