本发明提供一种垂直型逻辑器件及制备方法。器件包括半导体基底；第一电极、沟道层及第二电极，依次堆叠于半导体基底上；第一导电硅化物层及第一金属连线层，第一导电硅化物层位于半导体基底上，且与第一电极电接触，第一金属连线层位于第一导电硅化物的表...

本发明提供一种垂直型二维沟道逻辑器件及其制备方法。器件包括半导体基底、第一电极、二维沟道材料层、第二电极、栅极结构、绝缘材料层及补充电极材料层；第一电极、二维沟道材料层及第二电极均为环状结构，依次堆叠形成开孔；栅极结构绕设于二维沟道材料...

本发明提供一种垂直型逻辑器件及其制备方法。器件包括半导体基底、第一电极、沟道层、第二电极、栅极结构、绝缘材料层及补充电极材料层；第一电极、沟道层及第二电极均为环状结构，且在半导体基底上依次堆叠形成第一开孔；栅极结构绕设于沟道层的周向上，...

本发明提供一种二维沟道器件及其制备方法。器件包括半导体基底、二维沟道材料层和栅极结构，半导体基底内形成有源极、漏极和沟道区，二维沟道材料层位于源极、漏极和沟道区的表面，沟道区内填充有绝缘材料层，栅极结构位于沟道区的上表面，栅极结构的横向...

本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，该衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构；第一氦离子缺陷层及第二氦离子缺陷层，第一氦离子缺陷层形成于有源区的第二主面内，第二氦离子缺陷层形成...

本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构；第一导电类型缓冲区，位于衬底的第二主面内；集电极区，位于衬底的第二主面；氦离子缺陷层，位于衬底的第二...

本实用新型公开一种液体存储装置，包括：容器，具有第一开口部，容器内存储有液体；盖体，与所述第一开口部配合固定，所述盖体具有第二开口部；管状保护件，具有第一端和第二端，管状保护件的第一端与所述第二开口部配合固定。在更换容器时，需要将插入至...

本发明提供一种H形电容结构的垂直型存储器及其制备方法，通过在第一逻辑单元的漏极区及第二逻辑单元的漏极区的外周形成电容器存储单元，且第一逻辑单元漏极区外周的电容器存储单元与第二逻辑单元漏极区外周的电容器上下结合使整个电容器存储单元呈H形圆...

本申请涉及一种晶圆结构及其制作方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括内部区域及位于所述内部区域外围的边缘区域；所述内部区域包括多个完整芯片区，所述边缘区域包括多个非完整芯片区；于各所述完整芯片区内及各所述非完整芯片区内形成功率器件，在形成所...

本发明提供一种垂直型存储器件及其制备方法。器件包括下逻辑单元及上逻辑单元，上逻辑单元位于下逻辑单元的上方，且与下逻辑单元接触；下逻辑单元包括基底及第一栅极结构层，基底内形成有第一源区、第一漏区及第一沟道区，第一沟道区位于第一源区和第一漏...

本发明提供一种混合PiN结肖特基二极管及其P型欧姆接触的制备方法，该制备方法包括：提供叠层结构，由下向上依次包括N+衬底层及N

本发明提供一种固定研磨粒抛光装置及抛光方法。装置包括基垫、抛光垫、抛光液注入装置及夹持结构，抛光垫位于基垫上，抛光液注入装置一端与抛光液源相连接，另一端延伸到抛光垫的上方，夹持结构位于抛光垫上方，用于夹持待抛光的基板，其中，抛光垫包括多...

本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，该衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构，IGBT器件包括有源区、过渡区及终端区；氧离子缺陷层，形成于过渡区及终端区的第二主面内；集电极区，...

本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供碳化硅衬底；于碳化硅衬底的表面形成包括依次叠置的第一金属层及第二金属层的叠层结构；对所得结构进行退火处理，以使第一金属层与碳化硅衬底中的硅反应生成金属硅化物层，并使第二金属层与碳化硅衬底中的...

本发明提供一种半导体设备及半导体工艺方法。设备包括托盘、顶针及喷气装置；托盘上设置有若干个贯穿托盘的通孔，顶针一一对应设置在通孔内，且可在通孔内上下移动；喷气装置与气体源相连通，包括若干个第一喷气管和若干个第二喷气管，若干个第一喷气管一...

本发明提供一种OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质，其中，通过对第二目标图形进行圆化处理后，得到的圆化图形更加接近实际硅片的图形，可以减少由于与实际硅片图形间的差异所引起的误报错；通过第一仿真图形与第二圆化图形之间的逻辑否运算...

本发明提供一种沟槽IGBT芯片版图结构，包括：若干个沿互相垂直的第一方向及第二方向排布的沟槽型IGBT芯片；每个沟槽型IGBT芯片包括一个元胞结构，每个元胞结构中形成有若干条互相平行的栅沟槽，且栅沟槽的方向沿第一方向或第二方向；沿第一、...

本发明提供一种垂直型存储器及制备方法，通过在第一逻辑单元及第二逻辑单元之间形成存储单元，可制备具有2T1C的单元结构的垂直型存储器，从而可缩小垂直型存储器的尺寸；在制备的2T1C的单元结构中，当通过第一逻辑单元向存储结构的第二极板存储电...

本发明涉及一种光刻胶更换方法，包括：获取待更换光刻胶信息；按照预设规则查询光刻胶管理信息，以得到与所述待更换光刻胶信息对应的目标光刻胶信息；接收基于所述目标光刻胶信息所领取的光刻胶的第一待验证信息；根据所述待更换光刻胶信息对所述第一待验...

本发明提供一种垂直型晶体管、存储器及制备方法，通过去除栅导电层与第一栅介电层之间的第二栅介电层，以在栅导电层与第一栅介电层之间形成凹槽，由于水的介电常数较高，从而通过在凹槽中形成水介电层，可提高栅介电层的介电常数，从而可增强栅控能力，以...