本申请提供一种电镀工艺洗边装置，涉及半导体加工工艺处理设备的技术领域，其包括洗边盖体及旋转基座；洗边盖体盖合于旋转基座，并与旋转基座形成洗边腔室；洗边盖体设有与洗边腔室连通的第一进液通道；旋转基座设有与洗边腔室连通的第二进液通道；旋转基...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成金属硅化物阻挡层，金属硅化物阻挡层中含有氮元素；于金属硅化物阻挡层的上表面形成氮元素扩散阻挡层。本申请通过在金属硅化物阻挡层的上表面形成氮元素...

本申请涉及一种传感器装置及半导体设备。该传感器装置包括传感器，传感器包括工作面；清洗装置，清洗装置包括清洗喷嘴，清洗喷嘴位于传感器上，且清洗装置的喷口朝向工作面。该传感器装置可以对传感器工作面的污染物进行及时有效的清理，避免传感器误报警...

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；图案化所述衬底，于所述衬底内形成沟槽；采用同质外延工艺形成覆盖所述沟槽的内壁的第一外延层；采用异质外延工艺形成覆盖所述第一外延层且填充所述沟槽的第二外...

本发明提供了一种具有气隙的半导体结构及其制备方法，通过提供一半导体基板，所述半导体基板包括半导体衬底，所述半导体衬底上划分有相邻的第一区域和第二区域，所述半导体衬底的表面包括形成于所述第一区域的牺牲层与形成于所述第二区域的介质层，所述牺...

本申请提供一种半导体设备化学品加液系统及生产系统，应用于半导体生产技术领域，其中系统中包括：扫码器，用于在向半导体设备添加化学品前，分别扫描所述半导体设备上的第一识别码和所述化学品上的第二识别码；扫码比对器，用于判断所述第一识别码与所述...

本技术公开了一种预热器调整结构和装载锁系统，所述预热器调整结构包括压板、伸缩件、预热器支架和预热器。其中，所述伸缩件的上端与所述压板的底端连接；所述预热器支架设置于所述压板的下方，并与所述伸缩件的下端连接；所述预热器可拆卸地设置于所述预...

本申请提供一种新型挡圈结构，应用于晶圆挡圈技术领域，其中，包括环形基座、挡圈和发射件，晶圆设置于所述环形基座内，所述环形基座沿周向开设有滑槽，所述挡圈设置环形基座的滑槽内，所述发射件用于控制挡圈的展开和收缩，当所述挡圈处于展开状态时，所...

本说明书实施例提供一种lam flex机台手臂检测装置，包括：机械手臂，机械手臂包括安装臂和托臂，机台通过安装臂带动托臂运动进入晶圆盒托取晶圆；电容位移传感器，以在托臂进入晶圆盒时检测出托臂底部与下方晶圆之间的距离；信号处理发送组件，信...

本技术提供了一种磨刀板固定装置，包括：磨刀板的承载板，所述承载板包括一矩形的承载面，所述承载面的短边小于磨刀板的宽度，所述承载面内设置有凹槽以及通孔，所述凹槽与通孔连通，所述通孔与所述承载板外部的抽真空装置相连，用于抽出凹槽内的气体，以...

本发明提供了一种金属衬垫生成方法，通过在图形化金属衬垫层的金属衬垫图形侧壁形成能够被湿法刻蚀去除的薄膜层，从而在干法刻蚀去除所述图形化金属衬垫层表面的覆盖层的过程中，对金属衬垫图形侧壁以及顶角处起保护作用，进而减少金属衬垫的损伤，提高生...

本申请提供了一种传动连接机构及晶圆溅射装置。所述传动连接机构包括：安装轴及连接件，安装轴的侧壁具有一向外凸起的第一定位销；所述连接件包括一套筒以及一闸板，所述套筒固定于所述闸板上，所述安装轴套接于所述套筒内，所述套筒的侧壁沿轴向设置有一...

本技术提供一种磨液输送装置及研磨设备。所述磨液输送装置包括：固定手臂；至少一研磨液输送管，固定于所述固定手臂表面，所述研磨液输送管远离所述固定手臂的表面具有多个沿所述研磨液输送管轴向排布的喷孔；固定环，套设在所述研磨液输送管的喷孔表面，...

本发明提供了一种金属互联方法及金属互联结构，在形成的第二凹槽中预填充低电阻率的纯金属材料形成第二金属结构，去除高电阻率的第二凹槽侧壁的阻挡层，进而改善第二凹槽结构因侧壁的阻挡层导致的高电阻问题，并且在形成的第一凹槽内壁的与所述第二凹槽的...

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底中形成有源/漏区域；于源/漏区域上形成预设厚度的外延层；对外延层进行金属化工艺，将外延层至少部分地转换为金属半导体层。所述半导体结构的制备方法可...

本申请提供了一种光刻胶供应装置，所述光刻胶供应装置包括：第一储存罐，所述第一储存罐用以储存光刻胶；第二储存罐，所述第二储存罐与所述第一储存罐相连；第一管道，所述第一管道的一端与气体源相连，所述第一管道的另一端与所述第一储存罐相连接，用以...

本技术提供了一种晶圆固定装置及晶圆金属溅射机台。本技术通过缩小扣环内壁的延伸部的宽度，以将扣环内壁延伸部边缘设定在所述晶圆用于形成电子元件的有效区域以外，且相对设置的两所述延伸部之间的间距大于预设阈值，改善晶圆背面金属沉积过程中晶圆偏移...

本技术提供了一种夹持圆形陶瓷环的装置。所述夹持圆形陶瓷环的装置包括：第一夹持臂，第一夹持臂包括第一杆件，以及垂直于第一杆件的第一板件，第一板件和第一杆件相互连接，并且第一板件远离第一杆件的一端能够与待夹持的圆形陶瓷环的内壁贴合；第二夹持...

本发明提供一种基于沟槽结构的LOCOS氧化隔离层的制备方法，借用形成沟槽结构时使用的氮化硅阻挡层作为后续采用LOCOS隔离工艺形成氧化隔离层的材料阻挡层，省去了去除形成沟槽结构时使用的氮化硅阻挡层的步骤以及形成采用LOCOS隔离工艺形成...

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底内具有沟槽；传输反应物和第一添加剂至所述沟槽，形成填充满所述沟槽的介质层以及位于所述介质层内的第一掺杂元素，所述介质层中包括成核元素，所述第一...