【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体监控结构，具体涉及一种半导体监控结构和监控方法。
技术介绍
1、为了增加载流子迁移率，降低功耗，cmos器件(晶体管)在制造工艺的过程中，其工艺制成节点逐渐减少。而随着晶体管工艺尺寸的降低，接触孔尺寸也逐渐减小，这无疑会导致晶体管接触孔到多晶硅栅极的短路风险逐渐增加。
2、如图1所示，现有技术中通常使用接触孔接触电阻链等监控设计结构，以降低接触孔与多晶硅栅极之间的风险，而该设计结构通常监控电阻的阻值来监控overlay(覆盖层)或接触孔和电阻之间的开路风险，但却无法监控接触孔到多晶硅栅极之间的短路风险。
3、基于此，需要一种新技术方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体监控结构和监控方法，以至少解决现有的监控设计结构无法监控接触孔到多晶硅栅极之间的短路风险。
2、本专利技术实施例提供以下技术方案：
3、本专利技术实施例提供一种半导体监控结构，包括多个两端设置有接触孔的有源区，所述多个有源区通过金属层首尾连接形成链式结构，其中，位于首端的所述有源区的所述接触孔与第一焊盘连接，位于尾端的所述有源区的所述接触孔与第二焊盘连接，还包括：
4、多晶硅单元，所述多晶硅单元沿所述链式结构的延伸方向设置于多个所述有源区上，所述多晶硅单元的第一端与第三焊盘连接，所述多晶硅单元的第二端与第四焊盘连接。
5、进一步地，所述多晶硅单元为多晶硅方块电阻。
6、进一步地，所述多个有
7、进一步地，所述多晶硅单元的第二端通过金属层与第四焊盘连接。
8、本专利技术的一种半导体监控方法，应用于如上任一所述的半导体监控结构，包括：
9、连接第一焊盘和第三焊盘，通过设计测试结构以监控接触孔与所述多晶硅单元之间是否发生短路。
10、进一步地，所述连接第一焊盘和第三焊盘，通过设计测试结构以监控接触孔与所述多晶硅单元之间是否发生短路包括：
11、连接所述第一焊盘和所述第三焊盘，并监控所述接触孔和所述多晶硅单元之间的漏电流；
12、在所述漏电流增加时，则半导体的覆盖层异常。
13、进一步地，所述连接所述第一焊盘和所述第三焊盘，并监控所述接触孔和所述多晶硅单元之间的漏电流包括：
14、调整所述接触孔上金属层与所述多晶硅单元之间的距离x，并根据所述距离x设计系列doe实验，以监控所述漏电流。
15、进一步地，所述半导体监控方法还包括：
16、将第三焊盘和第四焊盘连接，以测试多晶硅单元的连续性和所述多晶硅单元的阻值。
17、进一步地，所述半导体监控方法还包括：
18、将所述第一焊盘和第二焊盘连接，以测试接触电阻的阻值。
19、与现有技术相比，本专利技术实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
20、本专利技术的一种半导体监控结构，通过在多个多个有源区上设置多晶硅单元，从而可以调节第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘以及第四焊盘的连接关系，以测试电阻的连续性以及多晶硅单元与接触孔之间是否发生短路，解决了现有的监控设计结构无法监控接触孔到多晶硅栅极之间的短路风险。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体监控结构，包括多个两端设置有接触孔的有源区，所述多个有源区通过金属层首尾连接形成链式结构，其中，位于首端的所述有源区上的所述接触孔与第一焊盘连接，位于尾端的所述有源区上的所述接触孔与第二焊盘连接，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的半导体监控结构，其特征在于，所述多晶硅单元为多晶硅方块电阻。
3.根据权利要求2所述的半导体监控结构，其特征在于，所述多个有源区形成的链式结构和所述多晶硅单元均为蛇形结构。
4.根据权利要求1所述的半导体监控结构，其特征在于，所述多晶硅单元的第二端通过金属层与所述第四焊盘连接。
5.一种半导体监控方法，其特征在于，应用于如权利要求1～4任一所述的半导体监控结构，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体监控方法，其特征在于，所述连接第一焊盘和第三焊盘，通过设计测试结构以监控接触孔与多晶硅单元之间是否发生短路包括：
7.根据权利要求6所述的半导体监控方法，其特征在于，所述连接所述第一焊盘和所述第三焊盘，并监控所述接触孔和所述多晶硅单元之间的漏电流包括：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。