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形成半导体结构的方法包括提供其上形成有源极/漏极部件和栅极结构的半导体衬底；在半导体衬底上形成层间介电层；图案化层间介电层以形成沟槽来将源极/漏极部件暴露在沟槽内；在沟槽的侧壁上形成介电衬垫；在沟槽中填充金属层；使沟槽中的金属层的部分凹进，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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