半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体结构。提供一种包括至少一个半导体管芯及中介层的组装件。提供一种包括衬底接合垫的封装衬底。封装衬底包括面对组装件的第一水平表面、位于第一水平表面的相对的侧上的第二水平表面、以及在第一水平表面与第二水平表面之间延伸的开口。组装件是通过将第一焊料材料部分接合至衬底接合垫中的相应一者及位于中介层上的第一中介层接合垫中的相应一者而贴合至封装衬底。本实用新型专利技术可以减小底部填充胶材料的侧向范围且能够减小封装后退距离。减小封装后退距离。减小封装后退距离。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本技术实施例涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]随着中介层的侧向大小随封装大小的增大而增大，在中介层与封装衬底之间施加底部填充胶材料变得更加困难，此乃因底部填充胶材料需要被推过中介层的侧向大小的至少一半。长的底部填充胶挤出距离会不利地影响底部填充胶材料在封装工艺中的均匀分布。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种半导体结构，包括：组装件，包括至少一个半导体管芯及中介层；封装衬底，包括衬底接合垫；以及第一焊料材料部分，接合至所述衬底接合垫中的相应一者及位于所述中介层上的第一中介层接合垫中的相应一者，其中所述封装衬底包括面对所述组装件且具有第一内周边及第一外周边的第一表面、位于所述第一表面的相对的侧上且具有第二内周边及第二外周边的第二表面、以及在所述第一内周边与所述第二内周边之间延伸的至少一个内侧壁。
[0004]本技术实施例提供一种半导体结构，包括：组装件，包括至少一个半导体管芯及中介层，所述中介层包括第一中介层接合垫及第二中介层接合垫；封装衬底，包括衬底接合垫且包括面对所述组装件且具有第一内周边及第一外周边的第一表面、位于所述第一表面的相对的侧上且具有第二内周边及第二外周边的第二表面、以及在所述第一内周边与所述第二内周边之间延伸的至少一个内侧壁，其中在平面图中，由所述第一内周边包围的区域与所述第二中介层接合垫的区域交迭；第一焊料材料部分，接合至所述衬底接合垫中的相应一者及所述第一中介层接合垫中的相应一者；以及至少一个表面安装管芯，通过第二焊料材料部分接合至所述第二中介层接合垫。
附图说明
[0005]当接合附图阅读时，自以下详细描述最佳地理解本
技术实现思路
的态样。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，出于论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的大小。
[0006]图1是根据本技术实施例的在第一载体晶片的上方形成管芯侧重布线结构之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0007]图2是根据本技术实施例的在形成集成扇出型穿孔结构(TIV结构)之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0008]图3是随后可被整合至示例性结构中的示例性局部硅互连(local silicon interconnect，LSI)桥的垂直剖视图。
[0009]图4是根据本技术实施例的在将LSI桥贴合至管芯侧重布线结构之后的示例
性结构的垂直剖视图。
[0010]图5是根据本技术实施例的在形成模制化合物中介层框架之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0011]图6是根据本技术实施例的在对附加重布线结构进行贴合之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0012]图7是根据本技术实施例的在形成包括含LSI的中介层与有机中介层的堆迭的复合中介层之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0013]图8是根据本技术实施例的在将第二载体晶片贴合至复合中介层之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0014]图9是根据本技术实施例的在对第一载体晶片进行分离之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0015]图10是根据本技术实施例的在将半导体管芯贴合至复合中介层之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0016]图11是根据本技术实施例的在形成模制化合物层之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0017]图12是根据本技术实施例的在对第三载体晶片进行贴合及对第二载体晶片进行分离之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0018]图13是根据本技术实施例的在将焊料材料部分贴合至中介层接合垫且对集成无源器件进行贴合之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0019]图14A是根据本技术实施例的在通过对第三载体晶片进行分离且对重构晶片进行划切而获得的扇出型封装的形成之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0020]图14B是图14A所示扇出型封装的俯视图。
[0021]图15A是根据本技术实施例的在将表面安装管芯贴合至焊料材料部分的子集之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0022]图15B是图15A所示示例性结构的俯视图。
[0023]图16A是根据本技术实施例的在将封装衬底贴合至扇出型封装之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0024]图16B是图16A所示示例性结构的俯视图。
[0025]图17A是根据本技术实施例的在形成中介层封装底部填充胶材料部分且对加强环进行贴合之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0026]图17B是图17A所示示例性结构的俯视图。
[0027]图18是根据本技术实施例的在将封装衬底贴合至印刷电路板之后的示例性结构的垂直剖视图。
[0028]图19是根据本技术实施例的在将封装衬底贴合至印刷电路板之后的示例性结构的第一替代配置的垂直剖视图。
[0029]图20是根据本技术实施例的在将封装衬底贴合至印刷电路板之后的示例性结构的第二替代配置的垂直剖视图。
[0030]图21是示出根据本技术实施例的用于形成示例性结构的步骤的流程图。
具体实施方式
[0031]以下
技术实现思路
提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及配置的特定实例以简化本
技术实现思路
。当然，此等特定实例仅为实例且不意欲为限制性的。举例而言，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且亦可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本
技术实现思路
可在各种实例中重复附图标号及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
[0032]此外，为易于描述，可使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”以及类似物的空间相对术语，以描述如诸图中所示出的一个部件或特征与另一部件或特征的关系。除诸图中所描绘的定向之外，空间相对术语亦意欲涵盖组件在使用或操作中的不同定向。设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解译。
[0033]本文中技术的各种实施例可有关于半导体器件，且具体而言是有关于底部填充胶材料在半导体管芯封装中的均匀施加。一般而言，本文中技术的各种实施例方法及结构可用于提供一种封装结构，所述封装结构包括扇出型封装、接合至扇出型封装的封装衬底、以及经由封装衬底中的开口而被施加至位于扇出型封装与封装衬底之间的间隙中的底部填充胶材料部分。因此，可至少部分地自用于对扇出型封装与封装衬底进行接合的焊料材料部分的阵列的中心区经由封装衬底中的开口来施加底部填充胶材料部分。在开口中存在至少一个表面安装管芯的情形中，穿过封装衬底的开口的大小可大到足以在其中容纳至少一个表面安装管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：组装件，包括至少一个半导体管芯及中介层；封装衬底，包括衬底接合垫；以及第一焊料材料部分，接合至所述衬底接合垫中的相应一者及位于所述中介层上的第一中介层接合垫中的相应一者，其中所述封装衬底包括面对所述组装件且具有第一内周边及第一外周边的第一表面、位于所述第一表面的相对的侧上且具有第二内周边及第二外周边的第二表面、以及在所述第一内周边与所述第二内周边之间延伸的至少一个内侧壁。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括表面安装管芯，所述表面安装管芯通过第二焊料材料部分接合至位于所述中介层上的第二中介层接合垫。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括底部填充胶材料部分，所述底部填充胶材料部分在侧向上环绕所述第一焊料材料部分中的每一者且包括位于所述中介层与所述封装衬底之间的水平延伸部分。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述底部填充胶材料部分包括垂直突出部分，所述垂直突出部分自所述水平延伸部分突出且进入由所述至少一个内侧壁在侧向上环绕的体积中。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：印刷电路板，通过焊接接头的阵列接合至所述封装衬底；附加底部填充胶材料部分，位于所述印刷电路板与所述封装衬底之间且在侧向上环绕所述焊接接头；以及经包封空腔，不具有任何固相材料且位于由穿过所述封装衬底及所述附加底部填充胶材料部分的至少一个内侧壁在侧向上定界的体积内，且由所述底部填充胶材料部分及所述印刷电路板在垂直方向上定界。6.一种半导体结构，其特征在于，包括：组装件，包括至少一个半导体管芯及中介层，所述中介层包括第一中介层接合垫及第二中介层接合垫；封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯皓程，王宗鼎，郑荣伟，梁裕民，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：